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　　随着晶片功能愈趋强大，在半导体制程愈趋复杂的情况下，摩尔定律的推进已经放缓，以台积电、三星、英特尔等三大半导体厂目前采用的浸润式(immersion)微影及多重曝影(multi-patterning)技术来说，若要维持摩尔定律的制程推进速度，晶片成本会呈现等比级数般飙升。也因此，能够明显减少晶片光罩层数的极紫外光(EUV)微影技术，将可为摩尔定律延命。

　　来自产业链的最新消息称，台积电将包揽ASML今年的30台EUV光刻机中的18台，加上之前采购的几台，台积电有望在今年3月份启动7nm EUV的量产，推动7nm在其2019年晶圆销售中的占比从去年的9%提升到25%。

　　如何向芯片设计企业推荐最合适的工艺，芯片设计企业应该怎么权衡?不久前，在珠海举行的“2018中国集成电路设计业年会(ICCAD)”期间，芯原微电子、Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司、UMC(和舰)公司分别介绍了他们的看法。

　　荷兰光刻机霸主阿斯麦(ASML)公司公布了2018年第四季度及全年业绩报告，而在当天的声明中，公司CEO彼得·维尼克(Peter Wennink)特别指出，中国对其产品的需求强劲，继续看好对中国的出口。

　　12月中旬英特尔宣布扩建美国俄勒冈州以及以色列、爱尔兰的晶圆厂产能。英特尔这次的产能扩张计划有对应14nm的，但是并不是应急用的，也有面向未来工艺的，其中俄勒冈州的D1X晶圆厂第三期工程就是其中之一，未来英特尔的7nm EUV处理器会在这里生产。2018年下半年英特尔忽然出现了14nm产能不足的危机，这件事已经影响了CPU、主板甚至整个PC行业的增长，官方也承认了14nm产能供应短缺，并表示已经增加了额外的15亿美元支出扩建产能。12月中旬英特尔宣布扩建美国俄勒冈州以及以色列、爱尔兰的晶圆厂产

　　荷兰当地时间1月23日，ASML发布了去(2018)年第四季度及全年的业绩报告。报告指出，去年第四季度净销售额为31亿欧元，净收入为7.88亿欧元，毛利率为44.3%。具体来看，ASML指出，DUV光刻业务中，存储客户的需求使得TWINSCAN NXT:2000i保持着持续增长。同时ASML也提高了该产品的可靠性，据了解，上一代产品需要六个月才能达到高可靠性，而该产品仅用了两个月。去年全年，ASML净销售额为109亿欧元，净收入为26亿欧元。值得注意的是，ASML已与尼康签署了谅解

　　用于高端逻辑半导体量产的EUV(Extreme Ultra-Violet，极紫外线光刻)曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野，从7nm阶段的技术节点到今年(2019年，也是从今年开始)，每2年~3年一个阶段向新的技术节点发展。高端逻辑半导体的技术节点和对应的EUV曝光技术的蓝图。也就是说，在EUV曝光技术的开发比较顺利的情况下，5nm的量产日程时间会大约在2021年，3nm的量产时间大约在2023年。关于更先进的2nm的技术节点，还处于模糊阶段，据预测，其量产时间最快也是在2026

　　日前，有消息称，比利时研究机构Imec和微影设备制造商ASML计划成立一座联合研究实验室，共同探索在后3nm逻辑节点的奈米级元件制造蓝图。此次双方这项合作是一项为期五年计划的一部份，分为两个阶段：首先是开发并加速极紫外光(EUV)微影技术导入量产，包括最新的EUV设备准备就绪。其次将共同探索下一代高数值孔径(NA)的EUV微影技术潜力，以便能够制造出更小型的奈米级元件，从而推动3nm以后的半导体微缩。极紫外光(EUV)微影技术EUV光刻也叫极紫外光刻，它以波长为10-14 nm的极紫外

　　继联电在2017年进行高阶主管大改组，并宣布未来经营策略将着重在成熟制程之后，格芯也在新执行长Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布无限期暂缓7nm制程研发，并将资源转而投入在相对成熟的制程服务上。引入EUV工艺是半导体7nm工艺的关键转折点众所周知，目前半导体领域，7nm工艺是一个重要节点。而7nm工艺是半导体制造工艺引入EUV技术的关键转折，这是摩尔定律可以延续到5nm以下的关键，引入EUV工艺可以大幅提升性能，缩减曝光步骤、光罩数量等制造过程，节省时间和成本。不过引入EU

　　全球一号代工厂台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破，一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作，二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。今年4月开始，台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产，苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造，但仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。而接下来的第二代7nm工艺(CLNFF+/N7+)，台积电将首次应用EUV，不过仅限四个非关键层，以降低风险、加速投产，也借

　　半导体业界为EUV已经投入了相当庞大的研发费用，因此也不难理解他们急于收回。虽然目前还不清楚EUV是否已经100%准备就绪，但是三星已经迈出了实现大规模量产的第一步。

　　引领技术开发的少数芯片制造商认定，极紫外光(EUV)微影技术将在明年使得半导体元件的电晶体密度更进一步向物理极限推进，但才刚失去全球半导体产业龙头宝座的英特尔(Intel)，似乎放弃了继续努力在采用EUV的脚步上领先;该公司在1990年代末期曾是第一批开始发展EUV的IC厂商。曾是电子工程师的市场研究机构Bernstein分析师Mark Li表示，英特尔不会在短时间内导入EUV，该公司仍在克服量产10纳米制程的困难，因此其7纳米制程还得上好几年，何时会用上EUV更是个大问题。在此同时，三星(S

　　Entegris EUV 1010光罩盒展现极低的缺陷率，已获ASML认证

　　业界领先的特种化学及先进材料解决方案的公司Entegris(纳斯达克：ENTG)日前发布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以极紫外(EUV)光刻技术进行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是与全球最大的芯片制造设备制造商之一的ASML密切合作而开发的，已在全球率先获得ASML的认证，用于NXE:3400B等产品。随着半导体行业开始更多地使用EUV光刻技术进行先进技术制程的大批量制造(HVM)，对EUV光罩无缺陷的要求比以往任何时候都要严格。Entegris的EUV 1010光罩盒已

　　先前李在镕涉入政治关说丑闻的负面影响尚未完全消除，设法恢復各界对三星的信赖也是李在镕须解决的课题。

　　为进一步提升在中国市场晶圆代工领域的竞争力，6月14日，三星电子在中国上海召开 “2018三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，这是SFF首次在中国举行，中国半导体市场的影响力可见一斑。本次论坛上，三星电子晶圆代工事业部战略市场部部长、副社长裵永昌带领主要管理团队，介绍了晶圆代工事业部升级为独立业务部门一年来的发展成果，以及未来发展路线图和服务，首次发布了FinFET、GAA等晶体管构造与EUV曝光技术的使用计划，以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图，

　　在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。 极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。 EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。 根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [查看详细]