电子元器件知识大全,一文了解所有基本元器件! 作为一名专业的电子元器件采购和销售, 元器件有些基本知识是必须要懂的, 这篇文章 为大家整理了常见的电子元器件的知识,一文就可以了解所有哦! 一、电阻器 ※电阻:导电体对电流的阻碍作用称为电阻, 用符号 R 表示, 单位为欧姆、 千欧、兆欧, 分别用 Ω、K Ω、 M Ω表示。 ※电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)① 主称 ② 材料 ③ 分类 ④ 序号 ※电阻器的分类: ①线绕电阻器 ②薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化 学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器 ③实心电阻器 ④敏感电阻器:压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿 敏电阻器。 ※电阻器阻值标示方法: 1、直标法:用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值, 其允许误差直接用百分数表示, 若电阻上未注偏差,则均为± 20% 。 2 、文字符号法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,其允许 偏差也用文字符号表示。 符号前面的数字表示整数阻值, 后面的数字依次表示第一位小数阻 值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符号文字符号: DFGJKM ,允许偏差分别为:± 0.5% 、±1% 、±2% 、±5% 、±10% 、±20% 。 3 、数码法:在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右,第一、二 位为有效值,第三位为指数,即零的个数,单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 4 、色标法:用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大 部分采用色标法。 黑-0 、棕 -1 、红 -2 、橙 -3 、黄 -4 、绿 -5 、蓝 -6 、紫 -7 、灰 -8 、白 -9 、金 - ±5% 、银 - ± 10% 、无色 - ±20% 当电阻为四环时,最后一环必为金色或银色, 前两位为有效数字, 第三位为乘方数,第 四位为偏差。 当电阻为五环时, 最後一环与前面四环距离较大。 前三位为有效数字, 第四位为乘方数, 第五位为偏差。 ※贴片电阻的阻值识别:(在通常的贴片电阻电阻表面都标识数字,或用字母来表示, 阻值数法如下。 1、第一、二位数代表的是电阻的实数; 2 、第三位开始的数字如是 0 就代表几十欧( 10~99 欧之间)列: 100 就为 10 欧的电 阻、 990 为 99 欧的电阻; 3 、第三位开始的数字如是 1 就代表几百欧( 100~999 欧之间)例: 101 为 100 欧、 151 为 150 欧、 951 为 950 欧; 4 、第三位开始的数字如是 2 就代表几千欧 (1000~9999 欧之间) 例:102 为 1K 、152 为 1.5K 、992 为 9.9K ; 5 、第三位开始的数字如是 3 就代表几十 K (10K~99K 之间)例: 103 为 10K 、223 为 22K 、993 为 99K ; 6 、第三位开始的数字如是 4 就代表几百 K (100K~999K 之间)例: 104 为 100K 、 204 为 200K 、854 为 850K ; 7 、第三位开始的数字如是 5 就代表几 M (1M~9.9 之间)例: 105 为 1M 、 155 为 1.5M\955 为 9.5M ; 8 、第三位开始的数字如是 6 就代表十 M (100K~999K 之间)例: 106 为 10M\566 为 56M ; 9 、对于四个数字的标法就是前三位为实数,第四位为倍数。例: 1001 为 1K 、 1002 为 10K 、1005 为 10M ; 二、电容器 ※电容:是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。 我们把电容器的两极板间的电势差增 加 1 伏所需的电量, 叫做电容器的电容。 电容的符号是 C 。电容是电子设备中大量使用的电 子元件之一, 广泛应用于隔直, 耦合, 旁路, 滤波, 调谐回路, 能量转换, 控制电路等方面。 用 C 表示电容, 电容单位有法拉 (F)、微法拉 (uF )、皮法拉 (pF ),1F=10*6uF=10*12pF , 1 法拉( F)=1000000 微法( μF )1 微法( μF)=1000 纳法( nF )=1000000 皮法( pF ) ※电容器的型号命名方法: 国产电容器的型号一般由四部分组成 (不适用于压敏、可变、 真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 ※电解电容器的极性判别方法:用万用表测量就可以了,先把电解电容放电,然后将表 笔接到两端,摆动大的那次就对了, 但要注意:指针表的正极对的是电容的负极, 数字表相 反,而且,两次测量之间,电容必须放电。( 2 )用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚 为负;电容上面有标志的黑块为负极。在 PCB 上电容位置上有两个半圆,涂颜色的半圆对 应的引脚为负极。 ※电容器的分类: 按照其极性分为二大类:有极性电容器(如电解电容)和无极性电容器。 按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。 按电解质分类有: 有机介质电容器、 无机介质电容器、 电解电容器和空气介质电容器等。 按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 ※电容器容量标示: 1 、直标法:用数字和单位符号直接标出。如 01uF 表示 0.01 微法,有些电容用“ R ” 表示小数点,如 R56 表示 0.56 微法。 2 、文字符号法: 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。 如 p10 表示 0.1pF ,1p0 表示 1pF ,6P8 表示 6.8pF ,2u2 表示 2.2uF 。 3 、色标法:用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。 电容器偏差标志符号: +100%-0--H ,+100%-10%--R ,+50%-10%--T , +30%-10%--Q ,+50%-20%--S ,+80%-20%--Z 。 ※常用电容器: 铝电解电容器、 钽电解电容器、 薄膜电容器、 瓷介电容器、 独石电容器、 纸质电容器、微调电容器、陶瓷电容器、玻璃釉电容器、云母和聚苯乙烯介质电容器。 三、电感器 ※电感器:电感线圈是由导线一圈一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管 可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。在电子制作中虽然使用得不是很多, 但它们在电路中同样重要。 电感器和电容器一样, 也是一种储能元件, 它能把电能转变为磁 场能,并在磁场中储存能量。电感器用符号 L 表示,它的基本单位是亨利( H ),常用毫亨 (mH )为单位。 ※电感器的分类: 按电感形式分类:固定电感、可变电感。 按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 ※电感器作用特性:它经常和电容器一起工作,构成 LC 滤波器、 LC 振荡器等。另外, 人们还利用电感的特性, 制造了阻流圈、 变压器、 继电器等; 电感器的特性恰恰与电容的特 性相反,它具有阻止交流电通过而让直流电通过的特性。 收音机上就有不少电感线圈, 几乎都是用漆包线绕成的空心线圈或在骨架磁芯、 铁芯上 绕制而成的。 有天线线圈 (它是用漆包线在磁棒上绕制而成的) 、中频变压器 (俗称中周)、 输入输出变压器等等。 ※常用电感器:单层线圈、蜂房式线圈、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈、铜芯线圈、色码电 感器、阻流圈(扼流圈)、偏转线圈 ※变压器:是由铁芯和绕在绝缘骨架上的铜线圈线构成的。绝缘铜线绕在塑料骨架上, 每个骨架需绕制输入和输出两组线圈。 线圈中间用绝缘纸隔离。 绕好后将许多铁芯薄片插在 塑料骨架的中间。 这样就能够使线圈的电感量显著增大。 变压器利用电磁感应原理从它的一 个绕组向另儿个绕组传输电能量。 变压器在电路中具有重要的功能: 耦合交流信号而阻隔直 流信号, 并可以改变输入输出的电压比; 利用变压器使电路两端的阻抗得到良好匹配, 以获 得最大限度的传送信号功率。 ※继电器:就是电子机械开关,它是用漆包铜线在一个圆铁芯上绕几百圈至几千圈,当 线圈中流过电流时, 圆铁芯产生了磁场, 把圆铁芯上边的带有接触片的铁板吸住, 使之断开 第一个触点而接通第二个开关触点。 当线圈断电时, 铁芯失去磁性, 由于接触铜片的弹性作 用,使铁板离开铁芯,恢复与第一个触点的接通。 因此, 可以用很小的电流去控制其他电路 的开关。整个继电器由塑料或有机玻璃防尘罩保护着,有的还是全密封的,以防触电氧化。 四、半导体器件 ※半导体:是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一样能够完全导电,又不像绝缘体 那样不能导电, 它介于两者之间, 所以称为半导体。 半导体最重要的两种元素是硅 (读“gui ”) 和锗(读“ zhe ”)。 ※半导体分类:半导体主要分为二极管、三极管、可控硅、集成电路。 ※二极管分类:用于稳压的稳压二极管,用于数字电路的开关二极管,用于调谐的变容 二极管,以及光电二极管等,最常看见的是发光二极管、整流二极管……二极管在电路中用 “D ”表示;发光二极管用“ LED ”表示;稳压二极管用“ Z ”表示。 ※二极管极性判别: 1、普通二极管:一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表 示负极,有的直接标上“ - ”号。 2 、发光二极管的极性判别可以从管脚和管子内部结构来判别, 如果管脚不是被剪过的, 目前普遍认为发光二极管的长管脚是正极, 短管脚是负极, 和立式电解电容的极性辨别是一 致的。 从管芯内部结构来看, 管芯是由大小瓣两部分组成, 大瓣上有一圆锥坑以便聚光提高 亮度, 中间通过一细金属线将两瓣连在一起, 与管芯小瓣部分相接的是长脚正极, 与管芯大 瓣部分相接是短脚负极。 3 、万用表欧姆档来判断, 当正向导通时电阻值小, 用黑表笔连接的就是二极管的正极。 顺口溜叫“黑小正、红大负”。 ※普通二极管的检测:二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电 阻档测量其正反向电阻来判断(一般用 R ×100 或×1K 档) ※普通发光二极管的检测: 1、利用具有× 10k Ω挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时,二极 管正向电阻阻值为几十至 200k Ω,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为 0 或为∞,反向 电阻值很小或为 0 ,则易损坏。 这种检测方法, 不能实地看到发光管的发光情况, 因为×10k Ω挡不能向 LED 提供较大正向电流。 2 、用 3V 稳压源或两节串联的干电池及万用表(指针式或数字式皆可)可以较准确测 量发光二极管的光、电特性。为此可按图 10 所示连接电路即可。如果测得 VF 在 1.4 ~3V 之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。如果测得 VF=0 或 VF ≈3V ,且不发光,说明 发光管已坏。 ※红外发光二极管的检测:由于红外发光二极管,它发射 1~3 μm 的红外光,人眼看 不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数 mW ,不同型号的红外 LED 发光强度角分 布也不相同。红外 LED 的正向压降一般为 1.3 ~2.5V 。正是由于其发射的红外光人眼看不 见,所以利用上述可见光 LED 的检测法只能判定其 PN 结正、反向电学特性是否正常,而 无法判定其发光情况正常否。为此,最好准备一只光敏器件(如 2CR 、2DR 型硅光电池) 作接收器。用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外 LED 加上适当正向电流后 是否发射红外光。其测量电路如图 11 所示。 ※三极管:三极管就是由二个 PN 结构成三个极的电子元件,基极( B )集电极( C)、 发射极( E)。 ※三极管作用:三极管在电路中主要起电流放大和开关作用;也起隔离作用。 ※三极管命名:中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器 件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 2- 二极管、 3- 三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时: A-N 型锗 材料、 B-P 型锗材料、 C-N 型硅材料、 D-P 型硅材料。表示三极管时: A-PNP 型锗材料、 B-NPN 型锗材料、 C-PNP 型硅材料、 D-NPN 型硅材料。 第三部分: 用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P- 普通管、 V- 微波管、 W- 稳压管、 C- 参量管、 Z- 整流管、 L-整流堆、 S- 隧道管、 N- 阻尼管、 U- 光电器件、 K- 开关管、 X- 低 频小功率管 (F3MHz,Pc1W) 、G- 高频小功率管( f3MHz,Pc1W )、 D- 低频大功率管 (f3MHz,Pc1W )、 A- 高频大功率管( f3MHz,Pc1W )、 T- 半导体晶闸管(可控整 流器)、 Y- 体效应器件、 B- 雪崩管、 J- 阶跃恢复管、 CS- 场效应管、 BT- 半导体特殊器件、 FH- 复合管、 PIN-PIN 型管、 JG- 激光器件。 第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如: 3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管 ※三极管分类: 1、按材料和极性分有硅 / 锗材料的 NPN 与 PNP 三极管。 2 、按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。 3 、按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反 压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。 4 、按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。 5 、按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。 6 、按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑 料封装三极管等。 ※三极管引脚极性:插件引脚图示( 1 ),贴件引脚图示( 2 )下图为 9014 。一般中小 功率的三极管都是遵守左向右依次为 ebc (条件是中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自 己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为 ebc ) ※场效应管: MOS 场效应管即金属 - 氧化物 - 半导体型场效应管,英文缩写为 MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor ),属于绝缘栅型。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应, 在半导体 中感生出导电沟道来进行工作的。 当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗 空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源 区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。 当 VDS ≠0 时,源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。 使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGSVT 并取不同数值 时,反型层的导电能力将改变,在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS ,实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。 ※场效应分类: 场效应管主要有结型场效应管 (JFET)和绝缘栅型场效应管 (IGFET )。 绝缘栅型场效应管的衬底( B )与源析( S )连在一起,它的三个极分别为栅极( G )、漏极 (D )和源极 (S)。晶体管分 NPN 和 PNP 管,它的三个极分别为基极 (b )、集电极 (c )、 发射极( e )。场效应管的 G 、D 、S 极与晶体管的 b 、c、 e 极有相似的功能。绝缘栅型效 应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同, 结型管是利用耗 尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流, 绝缘栅型场效应管则是用半导体 表面的电场效应、 电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。 它们性质的差异使结型场 效应管往往运用在功放输入级(前级),绝缘栅型场效应管则用在功放末级(输出级)。场 效应管的工作原理和三极管其本一样,只是他们一个是压控型元件,一个是电流控制元件, 场效应管只有一个 PN 结,如图所示 1-1 。 ※场效应分类使用注意事项及检测方法: MOS 场效应管比较“娇气”。这是由于它的 输入电阻很高,而栅 - 源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少 量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压( U=Q/C ),将管子损坏。因此出厂时各管脚 都绞合在一起, 或装在金属箔内, 使 G 极与 S 极呈等电位, 防止积累静电荷。 管子不用时, 全部引线也应短接。 在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。测量之前,先把人体对地短路后, 才能摸触 MOSFET 的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电 位。再把管脚分开,然后拆掉导线 档,首先确定栅极。若某脚与其 它脚的电阻都是无穷大, 证明此脚就是栅极 G 。交换表笔重测量, S-D 之间的电阻值应为几 百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为 D 极,红表笔接的是 S 极。日本生 产的 3SK 系列产品, S 极与管壳接通, 据此很容易确定 S 极。将 G 极悬空, 黑表笔接 D 极, 红表笔接 S 极,然后用手指触摸 G 极,表针应有较大的偏转。双栅 MOS 场效应管有两个 栅极 G1 、 G2 。为区分之,可用手分别触摸 G1 、G2 极,其中表针向左侧偏转幅度较大的 为 G2 极。目前有的 MOSFET 管在 G-S 极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短 路了。对于其它相关认识,我不做细说,只要大家能认识就行了。 ※集成电路:集成电路是一种采用特殊工艺,将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基 片上而形成的具有一定功能的器件, 英文为缩写为 IC ,也俗称芯片。 在电路中用 “U”表示。 ※集成电路分类: 集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大派别, 而具体功能 更是数不胜数, 其应用遍及人类生活的方方面面。 集成电路根据内部的集成度分为大规模中 规模小规模三类。其封装又有许多形式。 “双列直插”和“单列直插”的最为常见。消费类 电子产品中用软封装的 IC ,精密产品中用贴片封装的 IC 等。 ※集成电路使用注意事项: 大部份 IC 采用 CMOS 元件为核心集成; 对于 CMOS 型 IC , 特别要注意防止静电击穿 IC ,最好也不要用未接地的电烙铁焊接。 使用 IC 也要注意其参数, 如工作电压,散热等。数字 IC 多用+ 5V 的工作电压,模拟 IC 工作电压各异。 ※集成电路型号:集成电路有各种型号,其命名也有一定规律。一般是由前缀、数字编 号、后缀组成。 前缀表示集成电路的生产厂家及类别, 后缀一般用来表示集成电路的封装形 式、版本代号等。 常用的集成电路如小功率音频放大器 LM386 就因为后缀不同而有许多种。 LM386N 是美国国家半导体公司的产品, LM 代表线性电路, N 代表塑料双列直插。具体 封装这不多作解说,我们只要能认识就 OK 。其它筒单集成电路:稳压 IC、音乐 IC、语音 IC…… 猎芯网是由深圳市猎芯科技有限公司开发运营的电子元器件 B2B 交易服务平台。于 2015 年 7 月上线,总部位于深圳,在北京、香港设有分公司,拥有专业的行业和互联网人 才团队,迄今已获得多轮风险。猎芯网可以为用户提供涵盖购买、报关、仓储、等 整个交易环节的全闭环服务;提供免费开放平台, 客户可进行自由交易。此外,猎芯网还提 供联营、专卖、寄售、供应链等服务,极大的提升了效率 ,降低了交易成本。
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