3、一,二道色環表示標稱阻值的有效值,第三道色環表示倍數,第四道色環表示允許偏差,五色環中,前三道表示有效值,第四道為倍數,第五道為允許誤差.精密電阻常用此法. 例:有一電阻器,色環顏順序為:棕,黑,橙,銀,則阻值為:10X103 10%(),電阻的MARKING (色標法),電阻的外觀,MELF RES,LEAD RES,CHIP RES,電阻的外觀,電阻的外觀,晶片電阻,零件認識(二),電容 Capacitor,電容之分類(1),依照構成電容的材料分以下几種類型: 陶瓷電容,鉭質電容,鋁質電解電容,塑膠電容,依照外型來分,貼片電容, 徑向電容,軸向電容,依照安規來分,X電容,Y電容,電容之標示,電路符號,(a),(b)分別表示為無極性,有極性的電容器的電路符號.,a,b,電容的主要性能參數(一),標準容量及允許偏差 D=0.5% F=1% G=2% J=5% K=10% M=20% 額定工作電壓:是該電容在電路中能夠長期可靠地工作而不被擊穿,所能承受的最大直流電壓又稱耐壓. 損耗系數DF值:在電場作用下,電容器單位時間內發熱而消耗的能量.損耗包括介質損耗和金屬部分的損耗,通常用損耗角正
4、切值來表示.,電容的主要性能參數(二),溫度系數: 在一定的溫度范圍內,溫度每變化一度,電容量的相對變化值。 絕緣電阻: 絕緣電阻表明電容器漏電的大小。電容器漏電越小越好,也就是絕緣電阻越大越好。電解電容的絕緣電阻一般較小。,塑膠電容的構成,塑膠電容在生產制造方面,目前有兩種生產方式:一種為旋繞方式、一種為堆積方式。其生產方式如下面的圖例:,塑膠電容的構成,塑膠電容的構成,堆積式生產的電容要比旋繞式生產的電容具有更好的電火花自愈能力。,塑膠電容的外形,Stacked-film capacitors, radial leads:,SMD電容外觀尺寸,AL電解電容的結構,電容的外觀,A.盒式電容器,B.徑向, 浸漬型電容器,C.安規電容器,電容的外觀,D.徑向, (KINK) 浸漬型電容器,E.Tantalum cap(SMD),電容的外觀,Polarity Capacitance Voltage AVX logo Tolerance code: +/-20% = Standard (no marking) +/-10% = “K”on reverse side of unit +/5%
5、= “J” on reverse side of unit,零件認識(三),半導體二極管,零件認識(三),半導體二極管之定義 半導體二極管之分類(結構) 半導體二極管之標示 半導體二極管的特性 溫度對二極管特性的影響 半導體二極管的主要參數 半導體二極管的選擇,半導體二極管之定義,導電能力介于導体和絕緣体之間的物質稱為半導體 半導體二極管是由PN結加上引出線和管殼組成,半導體二極管之分類(1),半導體二極管分為以下几種類型: 點接觸型二極管。特點是結面積小,因而結電容小。適用於高頻工作,但不能通過很大的電流。主要應用于小電流的整流和高頻時的檢波、混頻等.,半導體二極管之分類(2),面接觸型二極管.特點是結面積大,因而能通過較大的電流,但其結電容也大,只能在較低的頻率下工作. 平面型二極管,面積較大的,可通過較大的電流,適用于大功率整流;結面積小的,結電容小,適用于在脈沖數字電路中作開關管.,半導體二極管之標示,二極管的特性,正向特性:在室溫下,矽管的Uon(二極管的導通電壓)= 0.5V,鍺管的Uon=0.1V.正向導通且電流不大時,矽管的壓降為0.60.8V,鍺管的壓降為0.10.3
6、V.兩種管的差別是由于矽材料PN結的Uho(正負離子在交界面兩邊形成的電位差)比鍺材料PN結的大. 反向特性:小功率矽管的反向電流一般小于0.1uA,而鍺管通常為幾十微安.這種差別的原因是由于矽的禁帶寬度EGO比鍺的大. 反向擊穿:反向擊穿電壓一般在幾十伏以上.,溫度對二極管特性的影響,二極管的特性對溫度很敏感,隨溫度升高正向特性曲線向左移,反向特性曲線向下移.變化的規律是:在室溫附近,溫度每升高1度,正向壓降減小22.5mV;溫度每升高10度,反向電流約增大一倍.,二極管的主要參數,最大整流電流IFO:指二極管長期運行時允許通過的最大正向平均電流,它是由PN結的結面積和外界散熱條件決定的.實際應用時,二極管的平均電流不能超過此值,並要滿足散熱條件,否則會燒壞二極管. 最大反向工作電壓URM:指二極管在使用時所允許加的最大反向電壓,超過此值二極管就有發生反向擊穿的危險.通常取反向擊穿電壓的一半作為UR. 反向電流IR.二極管未擊穿時的反向電流值.此值越小,二極管的單向導電性越好.此值與溫度有密切關系,在高溫運行時要特別注意. 最高工作頻率FM.:主要由PN結的結電容大小決定,超過此值,
7、二極管的單向導電性將不能很好地體現.,二極管的選擇,要求導通電壓低時選鍺管;要求反向電流小時選矽管. 要求導通電流大時選平面型;要求工作頻率高時選點接觸型. 要求反向擊穿電壓高時選矽管. 要求耐高溫時選矽管.,零件認識(四),IC Integrated circuit 集成電路,IC是利用半導体材料制造,將電路所需要的各种零件,如二极体,電晶体及電容器,等用适當之連接与隔离的方法,构成整個電路,有极性和方向。其規格直接標示于本体上。,IC之定義,安裝IC時,將IC有缺腳的一端對準PC板上相應圖示中有缺腳的地方進行安裝。,零件認識(五),跳線,跳線之定義,跳線由銅線外鍍錫而成。起同電壓位連接作用。無方向,無極性。,零件認識(六),磁性元件,磁性元件包括: 電感, 變壓器,磁珠等.,磁性元件之電感,色码电感:是具有固定电感量的电感器,外形與普通電阻相似,其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记. 共模電感:是一种抑制共模燥声的滤波电感,共有兩個繞組,四只腳.绕线和普通的繞線电感不一样:兩個繞組是对称繞的.,電感分類: 贴片电感,色环电感,扼流電感,共模电感, 工字電感等.,扼流電感,共模電感
8、,貼片電感,磁性元件之電感,色環電感 (臥式),色環電感 (立式),工字電感,磁性元件之電感,變壓器是指將電壓由低到高或由高到低轉化的一種元器件;它具有兩個或兩個以上的電路,以共同的磁路互相耦合,將電能由一電路轉化到另一電路。對於高頻變壓器磁路通常是空氣芯、鐵芯、矽鋼片或鎳鋼片。 有方向,無极性。,磁性元件之變壓器,臥式變壓器,立式變壓器,濾波器,磁珠專用於抑制信號線、電源線上的高頻雜訊和尖峰干擾,還具有吸收靜電脈衝的能力。,變壓器之磁珠(core bead),磁珠 (立式編帶),磁珠 (臥式編帶),零件認識(七),橋式整流器,橋式整流器具有整流作用。臥式及立式均有方向和极性。,零件認識(八),三极管,三極管:三極管顧名思義具有三個電極。最主要的功能是電流放大和開關作用。二極體是由一個PN結構成的,而三極管由兩個PN結構成,共用的一個電極成爲三極管的基極(用字母b表示)。其他的兩個電極成爲集電極(用字母c表示)和發射極(用字母e表示)。由於不同的組合方式,形成了一種是NPN型的三極管,另一種是PNP型的三極管。,三极管,貼片式,插件式,零件認識(九),MOSFET,MOSFET:金屬-
9、氧化層-半導體-場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體(field-effect transistor).早期MOSFET的柵極(gate electrode)使用金屬作爲其材料,但隨著半導體技術的進步,現代的MOSFET柵極早已用多晶矽取代了金屬。,MOSFET,零件認識(十),Varistor,Varistor(壓敏電阻) “壓敏電阻”是中國大陸的名詞,意思是在一定電流電壓範圍內電阻值隨電壓而變,或者是說電阻值對電壓敏感的阻器。相應的英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡寫爲“VDR”, 或者叫做“Varistor。 在中國臺灣,壓敏電阻器是按其用途來命名的,稱爲突波吸收器。壓敏電阻器按其用途有時也稱爲“電衝擊(浪湧)抑制器(吸收器)”。,Varistor,零件認識(十一),FUSE(保險絲),保險絲的作用是在發生短路或者過載等故障時熔斷以切斷電路來保護受該保險絲保護的電氣元件.,FUSE,零件認識(十二),PTC/NTC,PTC是Positive Temperature Coefficient 的縮寫,意思是正的溫度係數,通常我們提到的PTC是指正溫度係數熱敏電阻,簡稱PTC熱敏電阻。超過一定的溫度(居裏溫度)時,它的電阻值隨著溫度的升高呈階躍性的增高。,NTC是Negative Temperature Coefficient 的縮寫,意思是負的溫度係數,通常我們提到的NTC就是負溫度係數熱敏電阻器。 隨著溫度的升高,載流子數目增加,所以電阻值降低。,PTC/NTC,
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