中电港募资15亿BBIN扩充电子元器件新领域应用产品线

　　BBIN bbinBBIN bbinBBIN bbin发烧友网报道（文/刘静）近日，中电港IPO进展至预披露更新环节。作为国内最大的

　　此次中电港冲刺的是深主板上市，拟发行不超过1.90亿股，募集15亿资金，“电子元器件新领域应用创新及产品线扩充项目”、“数字化转型升级项目”以及偿还银行贷款等。

　　深圳中电港技术股份有限公司（简称：中电港）成立于2014年，聚焦电子元器件的应用，主要为客户提供电子元器件分销、设计链服务、仓储配送、产业数据等服务，服务超过5000家客户，广泛覆盖消费电子、通讯系统、工业电子、计算机、汽车电子、安防监控、人工智能等领域。

　　多年来中电港一直保持行业领军地位，据国际电子商情网统计，中电港2018年、2019年稳居境内电子元器件分销商第二，2020年首度超过蝉联多年第一的泰科源，成为境内分销商之首。

　　成立以来，中电港备受资本关注，八年时间里完成5轮亿级融资，其中披露具体交易金额的A轮和B轮融资合计高达15.83亿元人民币，知名方有中国电子信息、国家集成电路产业基金、中国国新控股等。中国电子通过中电信息控制中电港41.79%的股份，并直接持有中电港5.74%的股份，合计控制中电港47.53%的股份，为中电港的实际控制人。目前周继国先生担任中电港的董事长，年薪241万元。

　　2021年营收首度突破300亿，授权产品线条报告期内，中电港营业收入连续四年破百亿且年均复合增长率保持在30%以上，经营规模在本土分销企业中稳居前列，2020年实现营业收入260.26亿元，领跑本土分销商营收榜。2021年中电港首次突破300亿营收，达到383.0亿元，同比增长47.16%。

　　虽然近四年中电港的营收规模持续快速地扩大，但是盈利能力表现欠佳，2018年、2019年净利润均未过亿元，2020年首次突破亿元大关，实现历史最大涨幅270.93%。2021年前三季度的净利润为2.52亿元，占2020年全年的79%。整体净利润水平较低，主要跟毛利率有关，据悉中电港在报告期内综合毛利率分别为3.64%、3.72%、3.87%、3.72%。

　　值得注意的是，近年中电港经营活动现金流持续流出，长期为负数。报告期内，经营活动现金流量净额分别为-16.72亿元、-10.39亿元、-17.38亿元、-62.62亿元。而且中电港存在资产负债率较高的风险，报告期各期末，资产负债率分别为72.07%、75.82%、83.00%和87.28%。未来如果中电港IPO不能成功融资，或者不能及时取得银行贷款，将给公司生产经营带来不利影响。

　　中电港的营收主要来源于三大板块业务，分别为授权分销、非授权分销、协同配套及设计链服务等。其中分销业务的授权产品线条，包括CPUGPUMCU等处理器及存储器射频器件及无线连接产品、模拟器件、分立器件、传感器件、可编程逻辑器件等。

　　授权分销业务是中电港收入的最主要来源，报告期内分别占主营业务收入的比例为56.12%、60.08%、58.79%、63.74%，比例呈波动上升趋势，为企业营收贡献6成左右的营收。而且授权分销是2021年1-9月唯一超过2020年全年收入的业务。2020年中电港的非授权分销业务表现更为强劲，同比涨幅高达56.37%，而当期授权分销业务同比涨幅为48.21%，协同配套及设计链服务业务收入同比增长54.31%。

　　在产品分类的主营业务收入方面，2018年、2019年中电港销售最多的是处理器产品，分别实现35.55亿元、40.23亿元收入。据悉，中电港销售的处理器产品包括CPU、GPU、MCU、MPU、手机芯片，合作品牌为AMD、澜起、英伟达、恩智浦、微芯、瑞萨、华大半导体兆易创新、展锐。

　　2020年、2021年1-9月中电港销售最多的是存储器产品，分别实现69.01亿元、76.76亿元收入。主要包括DRAM、Flash、SRAM、EEPROM等存储器产品，代理的品牌主要为美光、江波龙、紫光国芯、合肥长鑫、长江存储、兆易创新、武汉新芯、瑞萨、芯成、复旦微、贝岭、微芯、安森美。

　　中电港合作客户众多，除上述提及的客户外，还覆盖终端应用领域的小米、传音、创维、美的、海尔、海信、中兴、移远通信、浙江中控、雷赛智能、华硕、比亚迪、华阳集团、富士康等。

　　招股书显示，2018年、2019年小米连续两年为中电港的第一大客户，而2021年前三季度富士康的销售收入迅速提升，成为中电港新的第一大客户。报告期内，中电港向前五大客户合计销售收入分别为43.66亿元、52.91亿元、77.72亿元、59.82亿元，分别占主营业务收入的比例为30.49%、30.79%、29.86%、22.01%。

　　全球电子元器件分销行业呈现头部集中效应。艾睿电子、安富利大联大、文晔科技分销商主导海外电子元器件分销市场，据国际电子商情网公布的数据，2020年上述这四大分销商的营业收入合计为807.15亿美元，占当期海外TOP15电子元器件分销商营业收入总额的77.40%。

　　而国内电子元器件分销市场，主要分销商为中电港、泰科源、深圳华强、芯知己数码、海盈科技、唯时信、蓝源实业、英唐智控、力源信息、信和达，2020年这10大分销商营业收入合计1405.06亿元。2020年中电港以260.26亿营收，领跑国内电子元器件分销商营收榜。我国本土电子元器件分销商营收规模仍较为有限，尚未进入全球营收超1000亿的第一阵营。

　　在盈利能力方面，报告期内境内电子元器件分销行业平均毛利率分别为9.95%、7.63%、7.58%、9.14%，中电港整体的毛利率低于行业平均水平。2020年中电港的盈利能力略高于文晔科技和大联大，与高毛利率的商络电子、雅创电子存在一定差距。

　　在研发投入方面，中电港报告期内研发费用分别为3335.68万元、4428.60万元、4920.76万元、5011.50万元，研发投入逐年加大。同期研发费用率分别为0.23%、0.26%、0.19%、0.18%。经营规模较大的中电港研发费用率整体低于深圳华强、英唐智控、科通芯城、力源信息、好上好等中等规模公司。

　　此次深主板IPO，中电港拟募集15亿资金，用于“电子元器件新领域应用创新及产品线扩充项目”、“数字化转型升级项目”、补充流动资金及偿还银行贷款。

　　中电港所从事的电子元器件分销行业，目前正朝四大趋势向前发展，一是行业整合不断加速；二是分销服务向专业化方向发展、向数字化方向探索；三是国内原厂在技术水平、生产能力进一步提升之后，推广需求持续增长；四是全球化分工对分销商的全球化运营能力要求进一步提升。这也是促使中电港将募集资金投向电子元器件新领域产品线扩充项目和数字化转型升级项目的根本原因。

　　中电港计划往网信系统、智慧视觉、智慧音频、智慧网关等新领域进行创新应用，进一步丰富公司的产品线类型，同时对国际头部IC厂商（AMD、英伟达、迈凌、瑞萨）的核心产品线进一步加大资金投入，增强公司对客户需求的响应能力，满足下游新领域市场对电子元器件高速增长的需求，稳固公司的市场地位，增强企业的盈利能力。

　　而2.05亿元的“数字化转型升级项目”，主要是通过招募信息技术人员，以此改善现有运营管理系统。该募投项目完成后，中电港的客户服务的效率与质量将进一步提升，核心竞争力也将进一步增强。企业运营上数字化转型，是信息化时代发展的必然趋势，现国家也在大力鼓励企业做数字化转型。在国家政府政策的助力下，中电港的数字化转型升级有望进一步加速推进。

　　值得注意的是，此次募投项目，中电港花大额的募集资金用于偿还银行贷款。中电港连续四年经营活动产生的现金流量净额均为负数，且年度资产负债率均在70%以上，由此来看营收高速增长的中电港仍旧面临资金紧张的问题。未来如果深主板IPO成功，将进一步缓解中电港的资金压力。

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　　ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

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　　AD5175 单通道、1024位数字变阻器，配有I²C接口和50-TP存储器

　　信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

　　AD5174 单通道、1024位数字变阻器，配有SPI接口和50-TP存储器

　　信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

　　AD5292 单通道、1%端到端电阻容差（R-TOL）、1024位数字电位计，具有20次可编程存储器

　　信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差（电阻性能模式）：±1%（最大值） 20次可编程游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围：−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作，支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电，同时确保端到端电阻容差误差小于1%，并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机...

　　AD5291 单通道、1%端到端电阻容差（R-Tol）、256位数字电位计，具有20次可编程存储器

　　信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差：±1%（电阻性能模式） 20次可编程 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 温度系数（分压器模式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列，分别是单通道256/1024位数字电位计1 ，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽，既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电，也可以采用+21 V至+33 V单电源供电，同时端到端电阻容差误差小于1%，并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5291/AD52...

　　信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置，刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

　　AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

　　信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置，刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

　　信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限：100年（典型值， TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下，可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

　　信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力：100年（典型值，TA = 55°C ）产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下，可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

　　信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大值） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器，用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2，拥有1024阶跃分辨率，保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口，AD5235具有灵活的编程能力，支持多达16种工作模式和调节模式，其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读，同时提供额外的EEMEM1 ，用于存储用户定义信息，如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

　　信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 µs（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**，提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富，可通过一个标准三线式串行接口进行编程，具有16种工作与调整模式，包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下，可以将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中，并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复，或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保护EE...

　　28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件，内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0& 1,1） 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC，TSSOP和8焊盘TDFN，UDFN封装 此设备无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

　　56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件，内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）& （1,1） 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ，TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅，无卤素/ BFR，以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

　　信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件，内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）启用。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP，SOIC，TSSOP 8引脚和TDFN，UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准...

　　60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件，内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0& 1,1） 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC，T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...