您现在所在位置: 主页 > 新闻中心 > 常见问题

公司资讯

Company information

行业动态

Industry dynamics

常见问题

Common Problem

BBIN BBIN宝盈四种最常用的电子元器件的参数解析

发布日期:2024-03-17 15:03 浏览次数:

  你知道最常用的电子元器件的参数吗?本文主要从电阻、电感、电容、MOSFET这四种最常用的电子元器件的参数进行详细讲解,大家学习一下吧!

BBIN BBIN宝盈四种最常用的电子元器件的参数解析(图1)

  2、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度。

  3、额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为-55℃~+70℃的条件下,电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

  5、温度系数:温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小,电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数。

  6、老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示电阻器寿命长短的参数。

  1、电感量:电感量也称自感系数,是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。

  电感器电感量的大小,主要取决于线圈的圈数(匝数)、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常,线圈圈数越多、绕制的线圈越密集,电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大;磁心导磁率越大的线圈,电感量也越大。

  一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高,允许偏差为±0.2%~±0.5%;而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高;允许偏差为±10%~15%。

  3、品质因数:品质因数也称Q值或优值,是衡量电感器质量的主要参数。它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高,其损耗越小,效率越高。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。

  4、分布电容:分布电容是指线圈的匝与匝之间、线圈与磁心之间存在的电容。电感器的分布电容越小,其稳定性越好。

  5、额定电流:额定电流是指电感器有正常工作时反允许通过的最大电流值。若工作电流超过额定电流,则电感器就会因发热而使性能参数发生改变,甚至还会因过流而烧毁。

  1、容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围,一般分为±5%,±10%,±20%。精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。

  2、额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。

  3、温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

  4、绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。

  5、损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

  1、ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

  4、V(BR)DSS:漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

  5、RDS(on):在特定的VGS(一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

  6、VGS(th):开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中,常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

  7、PD:最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

  8、Tj:最大工作结温。通常为150℃或175℃,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量。

  1、MOSFET 是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单;

  3、工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗小;

  4、有较优良的线性区,并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作 Hi-Fi 音响;

  5、功率 MOSFET 可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。以上就是最常用的电子元器件的参数的解析,希望能给大家帮助。

  --

  本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵您的权益,请及时联系本站删除。

  英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

  【2024年3月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增...

  开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。

  【2024年3月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全...

  STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性

  带有离心开关的电机,如果电机不能在很短时间内启动成功,那么绕组线圈将会很快烧毁。电容值:双值电容电机,起动电容容量大,运行电容容量小,耐压一般都大于400V。

  电容与内部电路共同组成一定频率的振荡,这个电容是硬连接,固定频率能力很强,其他频率的干扰就很难进来了。

  设计电路时,不记得单片机复位电路原理了,所以今天特别写了这篇文章,可以以前对电路理解不深和忘记的原因,所以特写这篇文章,希望以后不再忘记。

  MOSFET,全称为金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种电压控制型半导体器件。它集输入级与输出级为一体,由P型和N型两种不同类型的高效沟道增强型功率二极管组成。

  【2024年1月25日,德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX /OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新...

  本文中,小编将对万用表测电容予以介绍,如果你想对电容测量的详细情况有所认识,或者想要增进对电容测量的了解程度,不妨请看以下内容哦。

  在无线收发器等应用中,系统一般处于偏远地区,通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预,此类应用必须持续运行。系统持续无活动或挂起后,需要复位系统以恢复操作。为了实现系统复位,可以切断电源电压,断开系统电源,然后再...

  本实验室活动的目标是测量电感的自谐振频率(SRF),并根据测量数据确定寄生电容。

  LC振荡器是电子学中一种常用的振荡器类型,由电感(L)和电容(C)元件组成。它利用电感和电容之间的相互耦合,产生一个自激振荡。LC振荡器具有结构简单、调整方便、频率可调范围广等优点,广泛应用于通信、广播、电视、测量等领域...

  2023年12月22日,中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM),与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源...

  以下内容中,小编将对电源的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对电源的了解,和小编一起来看看吧。

  【2023年12月19日,德国慕尼黑讯】为提高结温传感的精度,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS™ S7T产品系列。通过在系统中集成该系列半...

  电风扇将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。

  【2023年12月7日,德国慕尼黑讯】数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首...





020-88888888