BBIN BBIN宝盈常用的电子元件参数(场效应管三极管1N系列稳压二极管参数)

　　电子元器件基础知识（1）——半导体器件 一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-

　　效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不分明，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC通通称作“三个脚的管管”，假如这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速进步的哦！好了，说到这里场效应管的恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用 ： 表示，关于它的结构原理由于比拟笼统，我们是浅显化讲它的运用，所以不去多讲，由于依据运用的场所请求不同做出来的品种繁多，特性也都不尽相同；我们在mpn中常用的普通是作为电源供电的电控之开关运用，所以需求经过电流比拟大，所以是运用的比拟特殊的一种制造办法做出来了加强型的场效应管（MOS型），它的电路图符号： 认真看看你会发现，这两个图似乎有差异，对了，这实践上是两种不同的加强型场效应管，第一个那个叫N沟道加强型场效应管，第二个那个叫P沟道加强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电控制的开关，那么我们就先讲一下怎样运用它来当开关的，从图中我们能够看到它也像三极管一样有三个脚，这三个脚分别叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D），mpn中的贴片元件表示图是

　　电阻 无极性电容 电解电容 电位器 二极管 三极管 场效应管 和三极管一样 电源稳压块78和79系列 整流桥 单排多针插座 双列直插元件 晶振 等，封装描述仔细，器件详细，基本包括常用器件

　　场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦! 言归正传，说到场效应管的长相恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用 表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较

　　文档详细介绍了二极管，稳压二极管，pn三极管，场效应管，TVS管，磁珠，电感，电容，共模电感，保险丝，LDO，DCDC等主要参数与选型指南，可以帮助你快速进阶。

　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f>

　　3MHz,Pc>

　　1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>

　　1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg100 意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz。

　　1. 常用三极管、二极管与代换（见表1） 表1 常用三极管、二极管与代换 2. 常用二极管与代换（见表2） 表2 常用二极管与代换 3. 常用稳压二极管与代换（见表3） 表3 常用稳压二极管与代换 4. 场效应管与代换（见表4） 表4 场效应管与代换 5. 常用功率场效应管检测参数（见表5） 表5 常用功率场效应管检测参数

　　电阻 、电容 、晶体二极管 、稳压二极管 、电感 、变容二极管 、晶体三极管 、场效应晶体管放大器等元器件的参数识别，故障特点等

　　01单元 半导体器件基础 半导体的导电特性 导体、绝缘体和半导体 本征半导体的导电特性 杂质半导体的导电特性 PN结 晶体二极管 二极管的结构与伏安特性 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的等效电路 与开关特性 稳压二极管 晶体三极管 三极管的结构与分类 三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 三极管的开关特性 场效应管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 特殊半导体器件 发光二极管 光敏二极管和光敏三极管

　　恒流二极管的概念 恒流二极管和恒流三极管是近年来问世的半导体恒流器件，是与稳压二极管相对偶的基础电子元器件。在恒流二极管的基础上增加控制脚端，进而发展成为恒流三极管。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它们的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。 恒流二极管的性能特点 恒流二极管（CRD）属于两端结型场效应恒流器件。其电路符号和伏安特性如图一所示。恒流二极管在正向工作时存在一个恒流区，在此区域内IH不随VI而变化；其反向工作特性则与普通二极管的正向特性有相似之处。恒流二极管的外形与3DG6型晶体管相似，但它只有两个引线，靠近管壳突起的引线为正极。恒流二极管的主要参数有：恒定电流（IH），起始电压（VS），正向击穿电压（V（BO）），动态阻抗（ZH），电流温度系数（αT）。其恒定电流一般为0.2～6mA。起始电压表示管子进入恒流区所需要的最小电压。恒流二极管的正向击穿电压通常为30～100V。动态阻抗的定义是工作电压变化量与恒定电流值变化量之比，对恒流管的要求是ZH愈大愈好，当IH较小时Z

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