SiC和GaN器件有望大举进入电力电子市场BBIN BBIN宝盈

　　北极星智能电网在线讯:近二十年来碳化硅半导体材料开始被行内人士重视，因为它有许多优势。早在上世记50年代，在黄昆、谢希德合着的“半导体物理学”着作中已介绍了半导体碳化硅。最早进入制作半导体器件的材料是锗，随后，硅和三、五族半导体材料登上了历史舞台。直至如今电力电子领域的晶闸管和IGBT等高压、大电流器件仍是使用硅单晶材料。由于碳化硅器件设计理论有所突破，人们对更高性能的大功率半导体器件的期望也越来越迫切。

　　据权威媒体分析，SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场，预计到2020年，SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。

　　SiC器件因为成熟度和可靠性更佳，发展脚步将领先GaN。SiC功率器件增长动力主要来自可再生能源领域，在太阳能市场占有率将达32%。在轨道交通领域，SiC和GaN的应用相当，预计到2020年，两者市场份额分别为16%和15%。在IT和电子设备市场，GaN较SiC更有优势，估计2020年市场份额可达14%。

　　据悉，PEC电力电子苏州站(10月25-26日，苏州会议中心)，将迎来业界内知名企业及行业组织专家，共同探讨SiC和GaN在未来的发展趋势，以及能否真正意义上为国民经济带来质的飞跃等话题。如CREE科锐将隆重出席会议，并为观众带来碳化硅器件的发展与应用的精彩演讲，来自中国科学院州纳米研究所的专家，将为业内分享GaN电力电子器件的相关知识。

　　PEC是PowerElectronicsChina的缩写，内容涵盖电力电子器件(工业/消费)、电力电子装置、GaN/SiC材料、汽车电力电子、半导体制造与封装、电能质量、电源管理、散热管理、磁性元件、能量储存、无源器件以及测试测量等。

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