日厂首家！BBIN昭和电工 8 吋SiC磊晶晶圆开始样品出货

　　日厂第一家，日本昭和电工（Showa Denko K.K.）宣布，使用于碳化硅（SiC）功率半导体的 8 吋 SiC 磊晶晶圆（Epitaxial Wafer）已开始进行样品出货。

　　昭和电工9月7日发布新闻稿宣布，使用于SiC功率半导体的8吋（200mm）SiC磊晶晶圆已开始进行样品出货，成为日本国内首家送样8吋SiC磊晶晶圆的厂商。上述8吋SiC磊晶晶圆使用了昭和电工自制的SiC单晶晶圆。

　　昭和电工指出，和原先使用硅晶圆的功率半导体相比，SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热，来自电动车（EV）、再生能源领域的需求急增，而SiC磊晶晶圆为左右SiC功率半导体性能的关键零件。目前SiC功率半导体主要使用6吋（150mm）SiC磊晶晶圆进行生产，而随着SiC磊晶晶圆大尺寸化、每片晶圆所能获取的芯片数将变多，有助于提高生产效率、降低成本。

　　昭和电工目前已和东芝子公司「东芝电子元件及储存装置（ToshibaElectronic Devices & Storage）」、Rohm等多家厂商签订SiC磊晶晶圆的长期供应契约。BBIN bbinBBIN bbin