日厂第一家,日本昭和电工(Showa Denko K.K.)宣布,使用于碳化硅(SiC)功率半导体的 8 吋 SiC 磊晶晶圆(Epitaxial Wafer)已开始进行样品出货。
昭和电工9月7日发布新闻稿宣布,使用于SiC功率半导体的8吋(200mm)SiC磊晶晶圆已开始进行样品出货,成为日本国内首家送样8吋SiC磊晶晶圆的厂商。上述8吋SiC磊晶晶圆使用了昭和电工自制的SiC单晶晶圆。
昭和电工指出,和原先使用硅晶圆的功率半导体相比,SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热,来自电动车(EV)、再生能源领域的需求急增,而SiC磊晶晶圆为左右SiC功率半导体性能的关键零件。目前SiC功率半导体主要使用6吋(150mm)SiC磊晶晶圆进行生产,而随着SiC磊晶晶圆大尺寸化、每片晶圆所能获取的芯片数将变多,有助于提高生产效率、降低成本。
昭和电工目前已和东芝子公司「东芝电子元件及储存装置(ToshibaElectronic Devices & Storage)」、Rohm等多家厂商签订SiC磊晶晶圆的长期供应契约。BBIN bbinBBIN bbin
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