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东芝推出面向更高效工业设备的第三代BBINSiC MOSFET

发布日期:2022-09-01 08:42 浏览次数:

  。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。BBIN bbinBBIN bbin该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已开始出货。

东芝推出面向更高效工业设备的第三代BBINSiC MOSFET(图1)

  新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5],同时降低导通电阻和开关损耗。因此,新产品有助于提高设备效率。

  东芝将进一步壮大其功率器件产品线,BBIN bbin强化生产设施,并通过提供易于使用的高性能功率器件,努力实现碳中和经济。

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