BBIN BBIN宝盈集团常用电子元器件参考资料

　　一．电阻器、 电阻器、电容器、 电容器、电感器和变压器 名称与说明 图形符号 名称与说明 电感器、线圈、绕组或扼 电阻器一般符号 流图。注：符号中半圆数 不得少于 3 个

　　带磁芯、铁芯的电感器 可变电阻器或可调 电阻器 带磁芯连续可调的电感器 滑动触点电位器

　　二．半导体管 名称与说明 图形符号 (1) 二极管的符号 (2) 发光二极管

　　PNP 型晶体三极管 光电二极管 稳压二极管 NPN 型晶体三极 管 全波桥式整流器 变容二极管

　　三．其它电气图形符号 名称与说明 图形符号 具有两个电极 的压电晶体 或 注：电极数目 可增加 熔断器 指示灯及信号 灯 扬声器

　　动合 ( 常开 ) 触点开 关 动断 ( 常闭 ) 触点开 关 手动开关

　　第二节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

　　1． 电阻器和电位器的型号命名方法 表 1 电阻器型号命名方法 第三部分：特征分类 第一部分：主称 第二部分：材料 符 符 意义 符号 意义 意义 号 号 电阻器 电位器 R T 1 电阻器 碳膜 普通 普通 W H 2 电位器 合成膜 普通 普通 S 3 有机实芯 超高频 ―― N 4 无机实芯 高阻 ―― J 5 金属膜 高温 ―― Y 6 氧化膜 ―― ―― C 7 沉积膜 精密 精密 I 8 玻璃釉膜 高压 特殊函数 P 9 硼碳膜 特殊 特殊 U G 硅碳膜 高功率 ―― X T 线绕 可调 ―― M W 压敏 ―― 微调 D G 光敏 ―― 多圈 R B 热敏 温度补偿用 ―― C 温度测量用 ―― P 旁热式 ―― W 稳压式 ―― Z ―― 正温度系数 示例： (1) 精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）

　　对主称、材 料相同，仅性能 指标、尺寸大小 有差别，但基本 不影响互换使用 的产品，给予同 一序号；若性能 指标、尺寸大小 明显影响互换 时，则在序号后 面用大写字母作 为区别代号。

　　例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率 1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为 1/8W，标称阻值为 5.1kΩ，允许误差 为±10%。 (2) 色标法： 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点） 标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义 如图 1 和图 2 所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后 0 的个数 允许误差

　　图 1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%） 。例如，色环为棕黑红，表 2 示 10×10 ＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示 15×103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表 示 275×104＝2.75MΩ±1%的电阻器。

　　一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。 较 标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。 有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判 断。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后 0 的个数 允许误差

　　图 2 三位有效数字阻值的色环表示法 4．电位器的主要技术指标 (1) 额定功率 电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。 使用中应注意额定功 率不等于中心抽头与固定端的功率。 (2) 标称阻值 标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。 (3) 允许误差等级 实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许±20%、±10%、±5%、±2%、±1% 的误差。精密电位器的精度可达 ± 0.1%。 (4) 阻值变化规律 指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任 何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式） 。

　　在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音 机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替， 但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。 5．电位器的一般标志方法 WT－2 3.3k ±10% 允许误差±10% 标称阻值 3.3kΩ 额定功率 2W 碳膜电位器 WX－1 510Ω J 允许误差±5% 标称阻值 510Ω 额定功率 1W 线绕电位器

　　第一部分： 主 称 符号 意 义 电 容 器 第二部分： 材料 符 意义 号 C Y I O Z J B L Q S H D A N G T E 瓷介 云母 玻璃釉 玻璃膜 纸介 金属化纸 聚苯乙烯 涤纶 漆膜 聚碳酸脂 复合介质 铝 钽 铌 合金 钛 其他 符 号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 J W 第三部分： 特征、分类 意义 瓷介 圆片 管形 迭片 独石 穿心 支柱 － 高压 － 云母 非密封 非密封 密封 密封 － － － 高压 － 玻璃 － － － － － － － － 电解 箔式 箔式 烧结粉固体 烧结粉固体 － － 无极性 － 其他 非密封 非密封 密封 密封 穿心 － － 高压 特殊 对主称、材料相同，仅尺 寸、性能指标略有不同， 但基本不影响互使用的产 品，给予同一序号；若尺 寸性能指标的差别明显； 影响互换使用时，则在序 号后面用大写字母作为区 别代号。 第四部分： 序号

　　C D 1 1 第四部分：序号 第三部分：特征分类（箔式） 第二部分：材料（铝） 第一部分：主称（电容器） (2) 圆片形瓷介电容器 C C 1－1 第四部分：序号 第三部分：特征分类（圆片） 第二部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器） (3)纸介金属膜电容器 C Z J X 第四部分：序号 第三部分：特征分类（金属膜） 第二部分：材料（纸介） 第一部分：主称（电容器） 2．电容器的主要技术指标 (1) 电容器的耐压： 常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V， 40V，63V，100V，160V，250V，400V。 (2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表 7 所示。 表7 20% 50% 100% -30% -20% -10% ±2% ±5% ±10% ±20% 容许误差 0.2 I II III IV V VI 级别 ♦ 電容常用字母代表誤差﹕ 電容常用字母代表誤差﹕ B: ± 0.1 ﹪,C: ±0.25﹪ ,D: ± 0.5﹪ ,F: ± 1 ﹪ ,G: ± 2 ﹪,J: ±5﹪,K: ±10﹪,M: ±20﹪,N: ±30﹪,Z:80﹪-20﹪。

　　有时用大于 1 的两位以上的数字表示单位为 pF 的电容，例如 101 表示 100 pF；用小于 1 的数字表示单位为µF 的电容，例如 0.1 表示 0.1µF。 (2) 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为 pF。前两位为有效数字， 后一位表示位率。 即乘以 10i， i 为第三位数字， 若第三位数字 9， 则乘 10-1。 如 223J 代表 22×103pF ＝22000pF＝0.22µF，允许误差为±5%；又如 479K 代表 47×10-1pF，允许误差为±5%的电容。 这种表示方法最为常见。 （3）色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从 顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为 pF。 有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示 22000pF。

　　1．电感器的分类 常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、 偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。 2．电感器的主要技术指标 电感器的主要技术指标 (1) 电感量: 在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比 其比例常数称为自感系数，用 L 表示，简称为电感。即：

　　式中：ϕ＝磁通量 器的固有电容。 (3) 品质因数： 电感线圈的品质因数定义为：

　　(2) 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感

　　式中：ω－工作角频率，L－线圈电感量，R－线) 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。 (5) 线圈的损耗电阻：线．电感器电感量的标志方法 (1) 直标法。单位 H（亨利） 、mH（毫亨） 、µH（微亨） 、 (2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。

　　(3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种 颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为µH，第四种颜色是误差位。

　　1．半导体分立器件的命名方法 （1） 我国半导体分立器件的命名法 表 9 国产半导体分立器件型号命名法

　　第一部分 用数字表示器 件电极的数目 符 号 2 二极管 意义 符 号 A B C D 3 三极管 A B C D E N 型，锗材料 P 型，锗材料 N 型，硅材料 P 型，硅材料 PNP 型，锗材料 NPN 型，锗材料 PNP 型，硅材料 NPN 型，硅材料 化合物材料 第二部分 用汉语拼音字母表示器 件的材料和极性 意义 符 号 P V W C Z L S N U K X 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管 （ fα ＜3MHz, PC1W） G 高频小功率管 （ fα ≥3MHz PC1W） Y B J CS BT FH PIN JG T A 第三部分 用汉语拼音字母 表示器件的类型 意义 符 号 D 低频大功率管 （ fα ＜3MHz, PC≥1W) 高频大功率管 （ fα ≥3MHz PC≥1W） 半导体闸流管 (可控硅整流器) 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN 型管 激光器件 意义 第四部分 用数字 表示器件 序号 第五部分 用汉语拼 音表示规 格的区别 代号

　　例： 1) 锗材料 PNP 型低频大功率三极管： 3 A D 50 C 规格号 序号 低频大功率 PNP 型、锗材料 三极管 3) N 型硅材料稳压二极管： 2 C W 51 序号 稳压管 N 型、硅材料 二极管

　　2) 硅材料 NPN 型高频小功率三极管： 3 D G 201 B 规格号 序号 低频大功率 PNP 型、锗材料 三极管 4) 单结晶体管： B T 3 3 E 规格号 耗散功率 三个电极 特种管

　　半导体 （2）国际电子联合会半导体器件命名法 表 10 国际电子联合会半导体器件型号命名法

　　第一部分 用字母表示使 用的材料 符号 意义 A 锗材料 第二部分 用字母表示类型及主要特性 符号 A B C B 硅材料 D E C 砷化镓 F D 锑化铟 G H 复合材 料 K L 意义 检波、开关和 混频二极管 变容二极管 低频小功率三 极管 低频大功率三 极管 隧道二极管 高频小功率三 极管 复合器件 及其它器件 磁敏二极管 开放磁路中的 霍尔元件 高频大功率三 极管 符号 M P Q R S T U X Y Z 意义 封闭磁路中的 霍尔元件 光敏元件 发光器件 小功率可控硅 小功率开关管 大功率可控硅 大功率开关管 倍增二极管 整流二极管 稳压二极管即 齐纳二极管 一 个 字 母 加 两 位 数 字 第三部分 用数字或字母加 数字表示登记号 符号 意义 通用半 导体器件 的登记序 号（同一 类型器件 使用同一 登记号） 专用半 导体器件 的登记序 号（同一 类型器件 使用同一 登记号） 第四部分 用字母对同一 型号者分档 符号 意义

　　AF239 型某一参数的 S 档 普通用登记序号 高频小功率三极管 锗材料 国际电子联合会晶体管型号命名法的特点： 1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母 是 A，B，C，D 或 R 的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的 产品。 2) 第一个字母表示材料（A 表示锗管，B 表示硅管） ，但不表示极性（NPN 型或 PNP 型） 。 3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如 C 表示低频小功率管，D 表示低频大功 率管，F 表示高频小功率管，L 表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手 册也可以判断出类别。例如，BL49 型，一见便知是硅大功率专用三极管。 4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品， 顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184 为 PNP 型，而 AC185 则为 NPN 型。 5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如 hFE 或 NF）进行分档。 6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指 NPN 或 PNP） 。极性的确定需查阅手册或测

　　量。 (3) 美国半导体器件型号命名法 美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。 这里介绍的是美国晶体管标准型号 命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表 11 所示。 表 11 美国电子工业协会半导体器件型号命名法

　　第一部分 用符号表示 用途的类型 符号 意义 JAN 或J 军用品 第二部分 用数字表示 PN 结的数目 符号 意义 1 二极管 2 三极管 3 三个 PN 结器件 n n 个 PN 结器件 第三部分 美国电子工业协会 (EIA)注册标志 符号 意义 该器件 已在美国 N 电子工业 协会注册 登记 第四部分 美国电子工业协会 (EIA)登记顺序号 符号 意义 多 位 数 字 该器件在 美国电子工 业协会登记 的顺序号 第五部分 用字母表示 器件分档 符号 意义 A B C D L 同一 型号的 不同档 别

　　EIA 登记序号 EIA 登记序号 EIA 注册标志 EIA 注册标志 三极管 二极管 军用品 美国晶体管型号命名法的特点： 1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、 主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N 开头的既可能是一般晶体管，也可能 是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。 2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。 3) 除去前缀以外，凡型号以 1N、2N 或 3NLL开头的晶体管分立器件，大都是美国制 造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。 4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特 性相差很大。例如，2N3464 为硅 NPN，高频大功率管，而 2N3465 为 N 沟道场效应管。 5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数 的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。 6) 登记序号数大的通常是近期产品。 (4) 日本半导体器件型号命名法 日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日 本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。 日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号 及意义如表 12 所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符 号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有： M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。

　　N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。 Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。 H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。 K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。 T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。 G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。 S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。 第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用 R，G， Y 等字母；日立公司常用 A，B，C，D 等字母，作为直流放大系数 hFE 的分档标志。 表 12 日本半导体器件型号命名法

　　第一部分 用数字表示类型 或有效电极数 符 号 第二部分 S 表示日本电子工 业协会（EIAJ）的 注册产品 符 意义 号 表示已在日 本电子工业协 会 (EIAJ) 注 册 登记的半导体 分立器件 第三部分 用字母表示器件 的极性及类型 符 号 A B C D F G H J K M 第四部分 用数字表示在日 本电子工业协会 登记的顺序号 符 意义 号 从 11 开 始，表示在 日本电子工 业协会注册 登记的顺序 号，不同公 司性能相同 的器件可以 使用同一顺 序号，其数 字越大越是 近期产品 第五部分 用字母表示 对原来型号 的改进产品 符 意义 号 A 用字母 B 表示对原 C 来型号的 D 改进产品 E F L L

　　意义 光电(即光敏) 二极管、晶体 管及其组合 管 二极管 三极管、具有 两个以上 PN 结的其他晶 体管 具有四个有 效电极或具 有三个 PN 结 的晶体管 具有 n 个有效 电极或具有 n-1 个 PN 结 的晶体管

　　意义 PNP 型高频管 PNP 型低频管 NPN 型高频管 NPN 型低频管 P 控制极可控硅 N 控制极可控硅 N 基极单结晶体管 P 沟道场效应管 N 沟道场效应管 双向可控硅

　　示例： 1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管） 2 S C 502 A 2SC502 型的改进产品 日本电子工业协会登记顺序号 NPN 型高频三极管 日本电子工业协会注册产品 三极管（两个 PN 结） 2）2SA495（日本夏普公司 GF－9494 收录机用小功率管）

　　2 S A 495 日本电子工业协会登记顺序号 PNP 高频管 日本电子工业协会注册产品 三极管（两个 PN 结） 日本半导体器件型号命名法有如下特点： 1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极 管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。 2) 第二部分均为字母 S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。 3) 第三部分表示极性和类型。例如用 A 表示 PNP 型高频管，用 J 表示 P 沟道场效应三 极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。 4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能， 顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680 型的最大额定耗散功率为 200mW，而 2SC2681 的最大额定耗散功率为 100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先 后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。 5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。 6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把 2S 省 略。例如，2SD764，简化为 D764，2SC502A 简化为 C502A。 7) 在低频管（2SB 和 2SD 型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355 的特征频 率 fT 为 100MHz，所以，它们也可当高频管用。 8) 日本通常把 Pcm≥1W 的管子，称做大功率管。 2．常用半导体二极管的主要参数 表 13 部分半导体二极管的参数

　　1.模拟集成电路命名方法（ 模拟集成电路命名方法（国产） 国产） 表 23 器件型号的组成

　　第 0 部分 用字母表示器件 符合国家标准 符 意义 号 C 中国制造 第一部分 用字母表示器件的类型 符 号 T H E C F D W J 意义 TTL HTL ECL CMOS 线性放大器 音响、电视电路 稳压器 接口电路 第二部分 用阿拉伯数 字表示器件 的系列和品 种代号 第三部分 用字母表示器件 的工作温度范围 符 意义 号 C 0~70oC E -40~85oC R -55~85oC M -55~125oC L LL L 第四部分 用字母表示器件的封装 符 号 W B F D P J K T 意义 陶瓷扁平 塑料扁平 全封闭扁平 陶瓷直插 塑料直插 黑陶瓷直插 金属菱形 金属圆形

　　C T 金属圆形封装 0 o ~ 70 oC 器件代号 线性放大器 中国国家标准

　　输 电 衬 补 补 负 空 出 源 底 偿 偿 反 脚 端 地 地 端 端 馈 端 端