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　　电阻在电路中用“R”加数字表示，如： R1表示编号为1的电阻。 电阻在电路中的主要作用为： 分流、限流、分压、偏置等。

　　电阻的单位为欧姆(Ω)、千欧(KΩ)、兆欧(MΩ)等， 换算方法是： 1兆欧=1000千欧=1000000欧。电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。

　　数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω(即4.7K)；104则表示100K

　　电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。 电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。 电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关 —— 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。

　　电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位 还有： 毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。 其中： 1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9纳法=10^12皮法。

　　数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×10^2PF=1000PF 224表示22×10^4PF=0.22 uF

　　晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。

　　二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

　　二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。 发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。

　　用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值。

　　稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如： ZD5表示编号为5的稳压管。

　　稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

　　稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。 在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。

　　电感在电路中常用“L”加数字表示，如： L6表示编号为6的电感。 电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。 电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。 如： 棕、黑、金、金表示1uH(误差5%)的电感。 电感的基本单位为： 亨(H)， 换算单位有： 1H=10^3mH=10^6uH。

　　变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。 在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：

　　变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。

　　晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如： Q17表示编号为17的三极管。

　　晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。 它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

　　场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。 尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

　　场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下应选用晶体管。

　　场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

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