电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在 电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大 小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电 阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻 器。在的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与 触点间的阻值。 端电压与电流有确定函数关系，体现电能转化为其他形式能力的二端器件，用字母 R 来 表示，单位为欧姆Ω。实际器件如灯泡，电热丝，电阻器等均可表示为电阻器元件。 电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度 影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高 1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻 的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻 在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻 电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称 ，用字母表示， 表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电 阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、 C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示， 表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种， 以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 a1} 国际电阻都是以 R 开头，前面 2 个字母表示电阻的系列名称。RC 表示一般厚膜电阻， 例如： RC0402JR-07100KL；RL 表示低阻值电阻，如 RL0603JR-070R12L；RT 表示高精密厚膜电 阻；RJ 表示薄膜电阻；RV 表示高压电阻。 系列名称（RC/RT/RJ/RV 等）后面的 4 位数表示尺寸，如 0100，0201，0402，0603，0805， 1206，1210，1218，2010，2512 等等。 尺 寸 后 面 的 字 母 表 示 误 差 。 W= ± 0.05%,B= ± 0.1%,C= ± 0.25%,D= ± 0.5%,F= ± 1%,G= ± 2%,J=±5%,K=±10%,M=±20%误差后面的字母表示封装形式，如 R 表示纸带，K 表示塑料编 带。 封装形式后面 2 位数表示封装尺寸，07 表示 7 寸盘；10 表示 10 寸盘；13 表示 13 寸 盘。 封装后面的数值表示阻值，如 0R 表示 0 欧；1K=1000 欧，1M=1000 000 欧。 最后的 L 表示无铅。
基本规定 1、标称阻值：标称在电阻器上的电阻值称为标称值。单位：Ω、kΩ、MΩ。标称值是根 据国家制定的标准系列标注的，不是生产者任意标定的。不是所有阻值的电阻器都存在。 2、允许误差：电阻器的实际阻值对于标称值的最大允许偏差范围称为允许误差。误差 代码：F 、 G 、 J、 K… （常见的误差范围是：0.01%，0.05%，0.1%，0.5%，0.25%，1%， 2%,5% 等）。 3、额定功率：指在规定的环境温度下，假设周围空气不流通，在长期连续工作而不损 坏或基本不改变电阻器性能的情况下，电阻器上允许的消耗功率。常见的有 1/16W 、1/8W 、
4、温度系数：±ppm/℃，即单位温度引起的电阻值的变化。ppm（Part Per Million）表示
百万分之几，比如：标称阻值为 1k 的电阻，温度系数为±100ppm/℃，意为温度变化一摄氏
度，电阻值的变化为 1k±0.1Ω，变化 100℃，阻值变化为 1k±10Ω，精度非常高了。电阻的温
度系数精密级的在几十 ppm，普通的是 200～250ppm，最差的也不过 500ppm。
阻值和误差的标注方法： 1、直标法—将电阻器的主要参数和技术性能用数字或字母直接标注在电阻体上。 eg：5.1k Ω 5% 5.1k Ω J 2、文字符号法—将文字、数字两者有规律组合起来表示电阻器的主要参数。 eg:
0.1Ω=Ω1=0R1, 3.3Ω=3Ω3=3R3,3K3=3.3KΩ 3、色标法—用不同颜色的色环来表示电阻器的阻值及误差等级。普通电阻一般有
4 环表示，精密电阻用 5 环。 4、数码法： 用三位数字表示元件的标称值。从左至右，前两位表示有效数位，第三位表示 10^n
电容上数码标示 479 为 47*10^（-1）=4.7pF。而标志是 0 或 000 的电阻器，表示是跳线Ω。数码法标示时，电阻单位为欧姆，电容单位为 pF，电感一般不用数码标示。
色环电阻第一环的确定 1、四环电阻 因表示误差的色环只有金色或银色，色环中的金色或银色环一定是第四环。 2、五环电阻：此为精密电阻。 （1）从阻值范围判断:因为一般电阻范围是 0-10M，如果读出的阻值超过这个范围，
可能是第一环选错了。（2）从误差环的颜色判断：表示误差的色环颜色有银、金、紫、蓝、 绿、红、棕。如里靠近电阻器端头的色环不是误差颜色，则可确定为第一环。
识别色环电阻的阻值 电子产品广泛采用色环电阻，其优点是在装配、调试和修理过程中，不用拨动元件，
即可在任意角度看清色环，读出阻值，使用方便。一个电阻色环由 4 部分组成（不包括精密 电阻）。
四个色环的其中第一、二环分别代表阻值的前两位数；第三环代表 10 的幂；第四 环代表误差。
下面介绍掌握此方法的几个要点： （1）熟记第一、二环每种颜色所代表的数。可这样记忆： 棕=1 红=2， 橙=3，
黄=4， 绿=5， 蓝=6， 紫=7， 灰=8， 白=9， 黑=0。 彩虹的颜色分布：红橙黄绿蓝靛（diàn）紫，去掉靛，后面添上灰白黑，前面加上 棕，对应数字 1 开始。 从数量级来看，在体上可把它们划分为三个大的等级，即：金、黑、棕色是欧姆级 的；红是千欧级，橙、黄色是十千欧级的；绿是兆欧级、蓝色则是十兆欧级的。这样划分一 下也好记忆。所以要先看第三环颜色（倒数第 2 个颜色），才能准确。 第四环颜色所代表的误差：金色为 5％；银色为 10％；无色为 20％。 举例说明： 例 1：四个色环颜色为：黄橙红金 读法：前三颜色对应的数字为 432，金为 5%，所以阻值为 43X10*2=4300=4.3KΩ， 误差为 5%。
按阻值特性 固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感电阻) . 不能调节的,我们称之为定值电阻或固定电阻,而可以调节的,我们称之为可调电阻.常见
的可调电阻是滑动变阻器,例如收音机音量调节的装置是个圆形的滑动变阻器,主要应用于电 压分配的,我们称之为电位器.
按制造材料 碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻，无感电阻，薄膜电阻等. 薄膜电阻 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下： 碳膜电阻器 碳膜电阻（碳薄膜电阻）为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上
面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺 旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金 属皮膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器， 设备，资讯产品之最基本零组件。
金属膜电阻器 金属膜电阻（金属拍摄电阻）同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成 金属膜（如镍铬） ，并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端镀上贵金属。 虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优势。因此被 广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。 金属氧化膜电阻器 某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作，使用一般的电阻会未能保持其安定性。 在这种情况下可使用金属氧化膜电阻（金属氧化物薄膜电阻器） ，它是利用高温燃烧技术 于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜（用锡和锡的化合物喷制成溶液，经喷雾送入
500~500℃的恒温炉，涂覆在旋转的陶瓷基体上而形成的。材料也可以氧化锌等） ，并在金
属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值，然后于外层喷涂不燃性涂料。其性能与金属膜电阻器 类似，但电阻值范围窄。它能够在高温下仍保持其安定性，其典型的特点是金属氧化膜与陶 瓷基体结合的更牢，电阻皮膜负载之电力亦较高。耐酸碱能力强，抗盐雾，因而适用于在恶 劣的环境下工作。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好的优点。
合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。 由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 绕线电阻 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大 功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。 方形线绕电阻 方形线绕电阻（钢丝缠绕电阻）又俗称为水泥电组，采用镍，铬，铁等电阻较大的合金 电阻线绕在无碱性耐热瓷件上，外面加上耐热，耐湿，无腐蚀之材料保护而成，再把绕线电 阻体放入瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只 是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确，低杂音，有良好散热及 可以承受甚大的功率消耗，大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大，成本较高，亦 因存在电感不适宜在高频的电路中使用。 实芯碳质电阻 用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。 并在制造时植入 导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。 特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。 金属玻璃铀电阻 将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。 耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。 贴片电阻 SMT 贴片电阻（片式电阻）是金属玻璃铀电阻的一种形式，它的电阻体是高可靠的钌系列玻 璃铀材料经过高温烧结而成，特点是体积小，精度高，稳定性和高频性能好，适用于高精密 电子产品的基板中。而贴片排阻则是将多个相同阻值的贴片电阻制作成一颗贴片电阻，目的 是可有效地限制元件数量，减少制造成本和缩小电路板的面积。 无感电阻 无感电阻常用于做负载,用于吸收产品使用过程中产生的不需要的电量,或起到缓冲,制 动的作用,此类电阻常称为 JEPSUN 制动电阻或捷比信负载电阻。 插件电阻、贴片电阻。 负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻等。
电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母 C 表示。定义 1：电容器，顾名思 义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设 备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回 路， 能量转换，控制等方面。定义 2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括 导线）间都构成一个电容器。
电容与电容器不同。电容为基本物理量，符号 C，单位为 F（法拉）。 通用公式 C=Q/U 平行板电容器专用公式：板间电场强度 E=U/d ，电容器电容决定式
C=εS/4πkd 随着电子信息技术的日新月异，数码电子产品的更新换代速度越来越快，以平板电视（LCD 和 PDP）、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长，带动了电 容器产业增长。
特点： 1.它具有充放电特性和阻止直流电流通过，允许交流电流通过的能力。 2.在充电和放电过程中，两极板上的电荷有积累过程，也即电压有建立过程，因此，电容 器上的电压不能突变。 电容器的充电：两板分别带等量异种电荷，每个极板带电量的绝对值叫电容器的带电量。 电容器的放电：电容器两极正负电荷通过导线中和。在放电过程中导线上有短暂的电流产 生。
电容充电过程 3.电容器的容抗与频率、容量之间成反比。即分析容抗大小时就得联系信号的频率高低、 容量大小[1] 。 电容器的作用： ●耦合：用在耦合电路中的电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中 大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用[2] 。 ●滤波：用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这 种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除[2] 。 ●退耦：用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放大器的直流电压供给电路中使 用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连[2] 。 ●高频消振：用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容，在音频负反馈放大器中，为 了消振可能出现的高频自激，采用这种电容电路，以消除放大器可能出现的高频啸叫 。 [2] ●谐振：用在 LC 谐振电路中的电容器称为谐振电容，LC 并联和串联谐振电路中都需这种 电容电路[2] 。 ●旁路：用在旁路电路中的电容器称为旁路电容，电路中如果需要从信号中去掉某一频段 的信号，可以使用旁路电容电路，根据所去掉信号频率不同，有全频域（所有交流信号） 旁路电容电路和高频旁路电容电路[2] 。 ●中和：用在中和电路中的电容器称为中和电容。在收音机高频和中频放大器，电视机高 频放大器中，采用这种中和电容电路，以消除自激[2] 。 ●定时：用在定时电路中的电容器称为定时电容。在需要通过电容充电、放电进行时间控 制的电路中使用定时电容电路，电容起控制时间常数大小的作用[2] 。 ●积分：用在积分电路中的电容器称为积分电容。在电势场扫描的同步分离电路中，采用 这种积分电容电路，可以从场复合同步信号中取出场同步信号[2] 。 ●微分：用在微分电路中的电容器称为微分电容。在触发器电路中为了得到尖顶触发信 号，采用这种微分电容电路，以从各类（主要是矩形脉冲）信号中得到尖顶脉冲触发信号 。 [2]
●补偿：用在补偿电路中的电容器称为补偿电容，在卡座的低音补偿电路中，使用这种低 频补偿电容电路，以提升放音信号中的低频信号，此外，还有高频补偿电容电路[2] 。 ●自举：用在自举电路中的电容器称为自举电容，常用的 OTL 功率放大器输出级电路采用 这种自举电容电路，以通过正反馈的方式少量提升信号的正半周幅度[2] 。 ●分频：在分频电路中的电容器称为分频电容，在音箱的扬声器分频电路中，使用分频电 容电路，以使高频扬声器工作在高频段，中频扬声器工作在中频段，低频扬声器工作在低 频段[2] 。 ●负载电容：是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外界电容。负载电容常 用的标准值有 16pF、20pF、30pF、50pF 和 100pF。负载电容可以根据具体情况作适当的调 整，通过调整一般可以将谐振器的工作频率调到标称值
型号命名 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代 表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用 C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 空调配件电容器用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶 瓷、D-铝电解、E-其它 材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母 纸、Y-云母、 Z-纸介
容量标示 1．直标法 用数字和单位符号直接标出。如 1uF 表示 1 微法，有些电容用“R”表示小数点，如 R56 表 示 0.56 微法。 2．文字符号法
用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如 p10 表示 0.1pF、1p0 表示 1pF、6P8 表示 6.8pF、2u2 表示 2.2uF. 3．色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。 电容器偏差标志符号：100%-0--H、100%-10%--R、50%-10%--T、30%-10%--Q、50%20%--S、80%-20%--Z 4．数学计数法：数学计数法一般是三位数字，第一位和第二位数字为有效数字，第三位数 字为倍数。标值 272，容量就 是：27X10^2=2700pf。如果标值 473，即为 47X10^3=47000pf（后面的 2、3，都表示 10 的多少次方）。又 如： 332=33X10^2=3300pf。电容器如何命名 各国电容器的型号命名都很不统一，国产电容器 的型号一般有四部分组成（不适用于压敏电容器、 可变电容器和真空电容器）依次分别代 表名称、材料、分类和序号。
根据分析统计，电容器主要分为以下 10 类： 1．按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。 2．按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器、电热电容器和空气介 质电容器等。 3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 4．按制造材料的不同可以分为：瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容，还有先进的聚 丙烯电容等等 5．高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。 6．低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 7、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 8．调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 9．低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。 10．小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体 钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容
器。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。 容量大，能耐受大的脉动电流。 容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用，不宜使用在 25kHz 以上频 率。 低频旁路、信号耦合、电源滤波。 钽电解电容器
用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰。 温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好， 寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积。 对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态。 超小型高可靠机件中。
自愈式并联电容器 结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质。
频率特性好，介电损耗小。 不能做成大的容量，耐热能力差。 滤波器、积分、振荡、定时电路。瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一 个电极就是安装螺丝。引线电感极小， 频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用。 不能做成大的容量，受振动会引起容量变化。 特别适于高频旁路。 独石电容器(多层陶瓷电容器)
在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体， 外面再用树脂包封而成 小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳 定的性能，体积极小，Q 值高 容量误差较大 噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路纸介电容器 一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为 0.008～0.012mm 的电容器纸隔开重叠卷绕而 成。 制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量 金属化聚丙烯电容器
一般在低频电路内，通常不能在高于 3～4MHz 的频率上运用。油浸电容器的耐压比普 通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路微调电容器(半可变电容器) 电容量可在 某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的 Q 值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需 反复调试的场合使 用。 陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质， 并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容 器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求 不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲 电压击穿。 高频瓷介电容器
适用于高频电路云母电容器 就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗 法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。 频率特性好，Q 值高，温度系数小 不能做成大的容量 广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器
由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成独石 结构 性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在 200℃或更高温度下工作，额 定工作电压可达 500V，损耗 tgδ0.0005～0.008 气泵电容器
电容器：电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流 电路的交流耦合等的电子元件称为电容 器。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类， 其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电 容器、电解电容器和玻 璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。 电容器的损耗与漏电和使用环境的温度有极大的关系！！！ 固定电容器 固定电容器的检测方法： A.检测 10pF 以下的小电容因 10pF 以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能 定性的检查其是否有漏 电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表 R×10k 挡，用 两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零， 则说 明电容漏电损坏或内部击穿。 B.检测 10PF～001μF 固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用 R×1k 挡。两只三极管的 β 值 均为 100 以上，且穿透电流要小。可选用 3DG6 等型号硅三极管组 成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极 e 和集电极 c 相接。由于复合三极 管的 放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于 观察。 应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接 触 A、B 两点，才能明显地看到万 用表指针的摆动。C 对于 001μF 以上的固定电容，可用 万用表的 R×10k 挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针 向右摆动的 幅度大小估计出电容器的容量。
电感器(Inductor)是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。电感器的结构类似于变压 器，但只有一个绕组。电感器具有一定的电感，它只阻碍电流的变化。如果电感器在没有 电流通过的状态下，电路接通时它将试图阻碍电流流过它；如果电感器在有电流通过的状 态下，电路断开时它将试图维持电流不变。电感器又称扼流器、电抗器、动态电抗器。
电感的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容及额定电流等。 电感量也称自感系数，是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。
电感器电感量的大小，主要取决于线圈的圈数（匝数）、绕制方式、有无磁心及磁心的材料 等等。通常，线圈圈数越多、绕制的线圈越密集，电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的 线圈电感量大；磁心导磁率越大的线圈，电感量也越大。
电感量的基本单位是亨利（简称亨），用字母“H”表示。常用的单位还有毫亨（mH）和 微亨（μH），它们之间的关系是： 1H=1000mH 1mH=1000μH
允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值。 一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高，允许偏差为±0.2%~±0.5%；而用于耦
合、高频阻流等线圈的精度要求不高；允许偏差为±10%~15%。 品质因数也称 Q 值或优值，是衡量电感器质量的主要参数。
它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。 电感器的 Q 值越高，其损耗越小，效率越高。 电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起 的损耗等有关。
分布电容是指线圈的匝与匝之间，线圈与磁心之间，线圈与地之间，线圈与金属之间都 存在的电容。电感器的分布电容越小，其稳定性越好。分布电容能使等效耗能电阻变大，品 质因数变大。减少分布电容常用丝包线或多股漆包线，有时也用蜂窝式绕线法等。
额定电流是指电感器在允许的工作环境下能承受的最大电流值。若工作电流超过额定 电流，则电感器就 会因发热而使性能参数发生改变，甚至还会因过流而烧毁。
当线圈中有电流通过时候，线圈的周围就会产生磁场。当线圈中电流发生变化时，其周围的 磁场也产生相应的变化，BBIN bbin此变化的磁场可使线圈自身产生感应电动势（感生电动势）（电动 势用以表示有源元件理想电源的端电压），这就是自感。 用导线绕制而成,具有一定匝数,能产生一定自感量或互感量的电子元件,常称为电感线圈。 为增大电感值,提高品质因 数,缩小体积,常加入铁磁物质制成的铁芯或磁芯。电感器的基 本参数有电感量、品质因数、固有电容量、稳定性、通过的电流和使用频率等。由单一线圈 组成的电 感器称为自感器,它的自感量又称为自感系数。 互感器
两个电感线圈相互靠近时，一个电感线圈的磁场变化将影响另一个电感线圈，这种影响就 是互感。互感的大小取决于电感线圈的自感与两个电感线圈耦合的程度，利用此原理制成 的元件叫做互感器。
电 感可由电导材料盘绕磁芯制成，典型的如铜线，也可把磁芯去掉或者用铁磁性材料 代替。比空气的磁导率高的芯材料可以把磁场更紧密的约束在电感元件周围，因而 增大了 电感。电感有很多种，大多以外层瓷釉线圈（enamel coated wire ）环绕铁氧体（ferrite） 线轴制成，而有些防护电感把线圈完全置于铁氧体内。一些电感元件的芯可以调节。由此可 以改变电感大小。小电感能直接蚀刻在 PCB 板上，用一种铺设螺旋轨迹的方法。小值电感 也可用以制造晶体管同样的工艺制造在集成电路中。在这些应用中，铝互连线被经常用做传 导材料。不管用何种方法，基于实际的约束应用最多的还是一种叫做“旋转子”的电路，它 用一个电容和主动元件表现出与电感元件相同的特性。用于隔高频的电感元件经常用一根穿 过磁柱或磁珠的金属丝构成。
主要用在滤波、振荡、陷波、延迟等电路中，它有密封式和非密封式两种封装形式，两种形 式又都有立式和卧式两种外形结构。
1、立式密封固定电感器 立式密封固定电感器采用同向型引脚，国产电感量范围为 0.1~2200μH（直标在外壳上），额定工作电流为 0.05~1.6A，误差范围为±5%~±10%，进口 的电感量，电流量范围更大，误差则更小。进口有 TDK 系列色码电感器，其电感量用色点标 在电感器表面。
2、卧式密封固定电感器 卧式密封固定电感器采用轴向型引脚，国产有 LG1.LGA、LGX 等系列。 LG1 系列电感器的电感量范围为 0.1~22000μH（直标在外壳上） LGA 系列电感器采用超小型结构，外形与 1/2W 色环电阻器相似，其电感量范围为 0.22~100μH （用色环标在外壳上），额定电流为 0.09~0.4A。 LGX 系列色码电感器也为小型封装结构，其电感量范围为 0.1~10000μH，额定电流分为 50mA、 150mA、300mA 和 1.6A 四种规格。
常用的可调电感器有半导体收音机用振荡线圈、电视机用行振荡线圈、 行线性线圈、中频陷波线圈、音响用频率补偿线、半导体收音机用振荡线圈：此振荡线圈在半导体收音机中与可变电容器等组成本机 振荡电路，用来产生一个输入调谐电路接收的电台信号高出 465kHz 的本振信号。其外部为 金属屏蔽罩，内部由尼龙衬架、工字形磁心、磁帽及引脚座等构成，在工字磁心上有用高强 度漆包线绕制的绕组。磁帽装在屏蔽罩内的尼龙架上，可以上下旋转动，通过改变它与线圈 的距离来改变线圈的电感量。电视机中频陷波线圈的内部结构与振荡线圈相似，只是磁帽可 调磁心。
2、电视机用行振荡线圈：行振荡线圈用在早期的黑白电视机中，它与外围的阻容元件 及行振荡晶体管等组成自激振荡电路（三点式振荡器或间歇振荡器、多谐振荡器），用来产 生频率为 15625HZ 的的矩形脉冲电压信号。 该线圈的磁心中心有方孔，行同步调节旋钮直接插入方孔内，旋动行同步调节旋钮，即可改 变磁心与线圈之间的相对距离，从而改变线圈的电感量，使行振荡频率保持为 15625HZ，与 自动频率控制电路（AFC）送入的行同步脉冲产生同步振荡。
3、行线性线圈：行线性线圈是一种非线性磁饱和电感线圈（其电感量随着电流的增大 而减小），它一般串联在行偏转线圈回路中，利用其磁饱和特性来补偿图像的线性畸变。 行线;字型铁氧体高频磁心或铁氧体磁棒上绕制而成，线圈的旁边装 有可调节的永久磁铁。通过改变永久磁铁与线圈的相对位置来改变线圈电感量的大小，从而
阻流电感器是指在电路中用以阻塞交流电流通路的电感线圈， 它分为高频阻流线、高频阻流线圈：高频阻流线圈也称高频扼流线圈，它用来阻止高频交流电流通过。 高频阻流线圈工作在高频电路中，多用采空心或铁氧体高频磁心，骨架用陶瓷材料或塑料制 成，线圈采用蜂房式分段绕制或多层平绕分段绕制。
2、低频阻流线圈：低频阻流线圈也称低频扼流圈，它应用于电流电路、音频电路或场 输出等电路，其作用是阻止低频交流电流通过。 通常，将用在音频电路中的低频阻流线圈称为音频阻流圈，将用在场输出电路中的低频阻流 线圈称为场阻流圈，将用在电流滤波电路中的低频阻流线圈称为滤波阻流圈。 低频阻流圈一般采用“E”形硅钢片铁心（俗称矽钢片铁心）、坡莫合金铁心或铁淦氧磁心。 为防止通过较大直流电流引起磁饱和，安装时在铁心中要留有适当空隙。
电感器的特性与电容器的特性正好相反，它具有阻止交流电通过而让直流电顺利通过的 特性。直流信号通过线圈时的电阻就是导线本身的电阻压降很小；当交流信号通过线圈时， 线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过， 所以电感器的特性是通直流、阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感器在电路中经常和电 容器一起工作，构成 LC 滤波器、LC 振荡器等。另外，人们还利用电感的特性，制造了阻流 圈、变压器、继电器等。 通直流：指电感器对直流呈通路关态，如果不计电感线圈的电阻，那么直流电可以“畅通无 阻”地通过电感器，对直流而言，线圈本身电阻很对直流的阻碍作用很小，所以在电路分析 中往往忽略不计。 阻交流：当交流电通过电感线圈时电感器对交流电存在着阻碍作用，阻碍交流电的是电感线 圈的感抗。
电感器在电路中主要起到滤波、振荡、延迟、陷波等作用，还有筛选信号、过滤噪声、 稳定电流及抑制电磁波干扰等作用。电感在电路最常见的作用就是与电容一起， 组成 LC 滤 波电路。电容具有“阻直流，通交流”的特性，而电感则有“通直流，阻交流”的功能。如果把 伴有许多干扰信号的直流电通过 LC 滤波电路，那么，交 流干扰信号将被电感变成热能消耗 掉;变得比较纯净的直流电流通过电感时，其中的交流干扰信号也被变成磁感和热能，频率 较高的最容易被电感阻抗，这就可以抑 制较高频率的干扰信号。
电感器具有阻止交流电通过而让直流电顺利通过的特性，频率越高，线圈阻抗越大。因 此，电感器的主要功能是对交流信号进行隔离、滤波或与电容器、电阻器等组成谐振电路。
贴片电感，是用绝缘导线绕制而成的电磁感应元件。属于常用的电感元件。贴片电感的 作用:通直流阻交流这是简单的说法，对交流信号进行隔离,滤波或与电容器, 电阻器等组成 谐振电路.调谐与选频电感的作用：电感线圈与电容器并联可组成 LC 调谐电路。贴片电感在 电路中的任何电流，会产生磁场，磁场的磁通量又作用于 电路上。
当贴片电感通过的电流变化时，贴片电感中产生的直流电压势将阻止电流的变化。当通 过电感线圈的电流增大时，电感线圈 产生的自感电动势与电流方向相反，阻止电流的增加， 同时将一部分电能转化成磁场能存储于电感之中；当通过电感线圈的电流减小时，自感电动 势与电流方向相 同，阻止电流的减小，同时释放出存储的能量，以补偿电流的减小。因此 经电感滤波后，不但负载电流及电压的脉动减小，波形变得平滑，而且整流二极管的导通角 增大。
电感的作用 1：色环电感有阻流作用：色环电感线圈中的铜芯总是与线圈中的电流变化 抗。色环电感对在电路中使用的交流 电流有阻碍作用，阻碍作用的大小称感抗 XL，单位是 欧姆。它与电感量 L 和交流电频率 f 的关系为 XL=2πfL,色环电感主要可分为高频阻流线圈及 低频阻流 线：色环电感有调谐与选频作用：色环电感与电解电容并联可组成 LC 调谐 电路。色环电感在谐振时电路的感抗 与容抗等值又反向，即电路的固有振荡频率 f0 与非交 流信号的频率 f 相等，则回路的感抗与容抗也相等，色环电感的使用一般多不会很高，在电 路中使用的色环电 感一般来说多还算是比较稳定的。
电感的作用 3：色环电感的最大主要用筛选信号、过滤噪声、稳定电流及抑制电磁波干 扰等作用。色环电感器的基本作用就是充电与放电，但由这种基本充放电作用所延伸出来的 许多电路现象，使得色环电感有着种种不同的用途。如今色环电感已经被广大客户所运用了， 小小的电感起到的作用却是不小视的。
运算放大器（简称“运放”）是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结 合反馈网络共同组成某种功能模块。它是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。其输出 信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果。[1] 由于早期应用于模拟计算 机中，用以实现数学运算，故得名“运算放大器”。运放是一个从功能的角度命名的电路单 元，可以由分立的器件实现，也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展，大 部分的运放是以单芯片的形式存在。运放的种类繁多，广泛应用于电子行业当中。
原理： 运放如图有两个输入端 a（反相输入端），b（同相输入端）和一个输出端 o。也分别被称为 倒向输入端非倒向输入端和输出端。当电压 U-加在 a 端和公共端（公共 端是电压为零的点， 它相当于电路中的参考结点。）之间，且其实际方向从 a 端高于公共端时，输出电压 U 实际 方向则自公共端指向 o 端，即两者的方向正好相反。当输入电压 U加在 b 端和公共端之间， U 与 U两者的实际方向相对公共端 恰好相同。为了区别起见，a 端和 b 端分别用-和 号标出，但不要将它们误认为电压参考方向的正负极性。电压的正负极性应另外标出或用箭 头表示。反转放大器和非反转放大器如下图：
一般可将运放简单地视为：具有一个信号输出端口（Out）和同相、反相两个高阻抗输 入端的高增益直接耦合电压放大单元，因此可采用运放制作同相、反相及差分放大器。 运放的供电方式分双电源供电与单电源供电两种。对于双电源供电运放，其输出可在零电压 两侧变化，在差动输入电压为零时输出也可置零。采用单电源供电的运放，输出在电源与地 之间的某一范围变化。
运放的输入电位通常要求高于负电源某一数值，而低于正电源某一数值。经过特殊设计 的运放可以允许输入电位在从负电源到正电源的整个区间变化，甚至稍微高于正电源或稍微 低于负电源也被允许。这种运放称为轨到轨（rail-to-rail）输入运算放大器。
运算放大器的输出信号与两个输入端的信号电压差成正比，在音频段有：输出电压=A0 （E1-E2），其中，A0 是运放的低频开环增益（如 100dB，即 100000 倍），E1 是同相端的 输入信号电压，E2 是反相端的输入信号电压。 按照集成运算放大器的参数来分，集成运算放大器可分为如下几类。
通用型运算放大器就是以通用为目的而设计的。这类器件的主要特点是价格低廉、产品 量大面广，其性能指标能适合于一般性使用。例 μA741（单运放）、LM358（双运放）、LM324 （四运放）及以场效应管为输入级的 LF356 都属于此种。它们是目前应用最为广泛的集成运 算放大器。
这类集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高，输入偏置电流非常小，一般 rid1GΩ~1TΩ，IB 为几皮安到几十皮安。实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻 抗的特点，用场效应管组成运算放大器的差分输入级。用 FET 作输入级，不仅输入阻抗高， 输入偏置电流低，而且具有高速、宽带和低噪声等优点，但输入失调电压较大。常见的集成 器件有 LF355、LF347（四运放）及更高输入阻抗的 CA3130、CA3140 等。
在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中，总是希望运算放大器的失调电压要小且不随温 度的变化而变化。低温漂型运算放大器就是为此而设计的。当前常用的高精度、低温漂运算 放大器有 OP07、OP27、AD508 及由 MOSFET 组成的斩波稳零型低漂移器件 ICL7650 等。
在快速 A/D 和 D/A 转换器、视频放大器中，要求集成运算放大器的转换速率 SR 一定要高，
单位增益带宽 BWG 一定要足够大，像通用型集成运放是不能适合于高速应用的场合的。高 速型运算放大器主要特点是具有高的转换速率和宽的频率响应。常见的运放有 LM318、 μA715 等，其 SR=50~70V/us,BWG20MHz。
由于电子电路集成化的最大优点是能使复杂电路小型轻便，所以随着便携式仪器应用范围的 扩大，必须使用低电源电压供电、低功率消耗的运算放大器相适用。常用的运算放大器有 TL022C、TL-060C 等，其工作电压为±2V~±18V，消耗电流为 50~250μA。目前有的产品功耗已达 μW 级，例如 ICL7600 的供电电源为 1.5V，功耗为 10mW，可采用单节电池供电。
运算放大器的输出电压主要受供电电源的限制。在普通的运算放大器中，输出电压的最大值 一般仅几十伏，输出电流仅几十毫安。若要提高输出电压或增大输出电流，集成运放外部必 须要加辅助电路。高压大电流集成运算放大器外部不需附加任何电路，即可输出高电压和大 电流。例如 D41 集成运放的电源电压可达±150V，μA791 集成运放的输出电流可达 1A。
在 仪器仪表得使用过程中都会涉及到量程得问题.为了得到固定电压得输出，就必须改变运 算放大器得放大倍数.例如：有一运算放大器得放大倍数为 10 倍，输入信 号为 1mv 时，输 出电压为 10mv,当输入电压为 0.1mv 时，输出就只有 1mv，为了得到 10mv 就必须改变放大 倍数为 100。程控运放就是为了解决这 一问题而产生的。例如 PGA103A，通过控制 1,2 脚的 电平来改变放大的倍数。
该参数表示运算放大器工作在线性区时，输入共模电压范围与该范围内偏置电流的变化量之 比。
直流共模抑制 该参数用于衡量运算放大器对作用在两个输入端的相同直流信号的抑制能力。 交流共模抑制 CMRAC 用于衡量运算放大器对作用在两个输入端的相同交流信号的抑制能力，是差模开环 增益除以共模开环增益的函数。 增益带宽积 增益带宽积是一个常量，定义在开环增益随频率变化的特性曲线dB/十倍频程滚降的 区域。 输入偏置电流 该参数指运算放大器工作在线性区时流入输入端的平均电流。 偏置电流温漂 该参数代表输入偏置电流在温度变化时产生的变化量。TCIB 通常以 pA/°C 为单位表示。 输入失调电流 该参数是指流入两个输入端的电流之差。 输入失调电流温漂（TCIOS) 该参数代表输入失调电流在温度变化时产生的变化量。TCIOS 通常以 pA/°C 为单位表示。 差模输入电阻 该参数表示输入电压的变化量与相应的输入电流变化量之比，电压的变化导致电流的变化。 在一个输入端测量时，另一输入端接固定的共模电压。 输出阻抗 该参数是指运算放大器工作在线性区时，输出端的内部等效小信号阻抗。
输出电压摆幅 该参数是指输出信号不发生箝位的条件下能够达到的最大电压摆幅的峰峰值，VO 一般定义 在特定的负载电阻和电源电压下。 功耗 表示器件在给定电源电压下所消耗的静态功率，Pd 通常定义在空载情况下。
运算放大器 电源抑制比 该参数用来衡量在电源电压变化时运算放大器保持其输出不变的能力，PSRR 通常用电源电 压变化时所导致的输入失调电压的变化量表示。 转换速率 该参数是指输出电压的变化量与发生这个变化所需时间之比的最大值。SR 通常以 V/s 为单位表示，有时也分别表示成正向变化和负向变化。 电源电流 该参数是在指定电源电压下器件消耗的静态电流，这些参数通常定义在空载情况下。 单位增益带宽 该参数指开环增益大于 1 时运算放大器的最大工作频率。 输入失调电压 该参数表示使输出电压为零时需要在输入端作用的电压差。
输入失调电压温漂（TCVOS) 该参数指温度变化引起的输入失调电压的变化，通常以V/°C 为单位表示。
CIN 表示运算放大器工作在线性区时任何一个输入端的等效电容（另一输入端接地）。
该参数指运算放大器正常工作（可获得预期结果）时，所允许的输入电压的范围，VIN 通常 定义在指定的电源电压下。
对于运算放大器，输入电压噪声可以看作是连接到任意一个输入端的串联噪声电压源，eN 通常以 nV / 根号 Hz 为单位表示，定义在指定频率。
对于运算放大器，输入电流噪声可以看作是两个噪声电流源，连接到每个输入端和公共端， 通常以 pA / 根号 Hz 为单位表示，定义在指定频率。 理想运算放大器参数：差模放大倍数、差模输入电阻、共模抑制比、上限频率均无穷大；输 入失调电压及其温漂、输入失调电流及其温漂，以及噪声均为零。
运算放大器是用途广泛的器件，接入适当的反馈网络，可用作精密的交流和直流放大器、有 源滤波器、振荡器及电压比较器。
运算放大器是差分输入、单端输出的极高增益放大器，常用于高精度模拟电路，因此必须精 确测量其性能。但在开环测量中，其开环增益可能高达 107 或更高，而拾取、杂散电流或塞 贝克（热电偶）效应可能会在放大器输入端产生非常小的电压，这样误差将难以避免。 通过使用伺服环路，可以大大简化测量过程，强制放大器输入调零，使得待测放大器能够测 量自身的误差。图 1 显示了一个运用该原理的多功能电路，它利用一个辅助运放作为积分 器，来建立一个具有极高直流开环增益的稳定环路。开关为执行下面所述的各种测试提供了 便利。
图1 图 1 所示电路能够将大部分测量误差降至最低，支持精确测量大量直流和少量交流参数。 附加的“辅助”运算放大器无需具有比待测运算放大器更好的性能，其直流开 环增益最好能 达到 106 或更高。如果待测器件（DUT）的失调电压可能超过几 mV，则辅助运放应采用±15 V 电源供电（如果 DUT 的输入失调电压可能超过 10 mV，则需要减小 99.9 kΩ 电阻 R3 的阻 值。）
DUT 的电源电压V 和–V 幅度相等、极性相反。总电源电压理所当然是 2 × V。该电路使 用对称电源，即使“单电源”运放也是如此，因为系统的地以电源的中间电压为参考。
作为积分器的辅助放大器在直流时配置为开环（最高增益），但其输入电阻和反馈电容 将其带宽限制为几 Hz。这意味 着，DUT 输出端的直流电压被辅助放大器以最高增益放大， 并通过一个 1000:1 衰减器施加于 DUT 的同相输入端。负反馈将 DUT 输出驱动至地电位。 （事 实上，实际电压是辅助放大器的失调电压，更精确地说是该失调电压加上辅助放大器 的偏置电流在 100 kΩ 电阻上引起的压降，但它非常接近地电位，因此无关紧要，特别是考 虑到测量期间此点的电压变化不大可能超过几 mV）。
测试点 TP1 上的电压是施加于 DUT 输入端的校正电压（与误差在幅度上相等）的 1000 倍，约为数十 mV 或更大，因此可以相当轻松地进行测量。
理想运算放大器的失调电压（Vos）为 0，即当两个输入端连在一起并保持中间电源电压 时，输出电压同样为中间电源电压。现实中的运算放大器则具有几微伏到几毫伏不等的失调 电压，因此必须将此范围内的电压施加于输入端，使输出处于中间电位。 图 2 给出了最基本测试——失调电压测量的配置。当 TP1 上的电压为 DUT 失调电压的 1000 倍时，DUT 输出电压处于地电位。
图2 理 想运算放大器具有无限大的输入阻抗，无电流流入其输入端。但在现实中，会有少量“偏 置”电流流入反相和同相输入端（分别为 Ib–和 Ib），它们会在高阻 抗电路中引起显著的失 调电压。根据运算放大器类型的不同，这种偏置电流可能为几 fA(1 fA = 10–15 A，每隔几微 秒流过一个电子）至几 nA；在某些超快速运算放大器中，甚至达到 1 - 2 μA。图 3 显示如何 测量这些电流。
图3 该 电路与图 2 的失调电压电路基本相同，只是 DUT 输入端增加了两个串联电阻 R6 和 R7。 这些电阻可以通过开关 S1 和 S2 短路。当两个开关均闭合时，该电路与 图 2 完全相同。当 S1 断开时，反相输入端的偏置电流流入 Rs，电压差增加到失调电压上。通过测量 TP1 的电 压变化（=1000 Ib–×Rs），可以计算出 Ib–。同样，当 S1 闭合且 S2 断开时，可以测量 Ib。如 果先在 S1 和 S2 均闭合时测量 TP1 的电压，然后在 S1 和 S2 均断 开时再次测量 TP1 的电压， 则通过该电压的变化可以测算出“输入失调电流”Ios，即 Ib与 Ib–之差。R6 和 R7 的阻值取决 于要测量的电流大小。
如果 Ib 的值在 5 pA 左右，则会用到大电阻，使用该电路将非常困难，可能需要使用其 它技术，牵涉到 Ib 给低泄漏电容（用于代替 Rs）充电的速率。
当 S1 和 S2 闭合时，Ios 仍会流入 100 Ω 电阻，导致 Vos 误差，但在计算时通常可以忽 略它，除非 Ios 足够大，产生的误差大于实测 Vos 的 1%。
运算放大器的开环直流增益可能非常高，107 以上的增益也并非罕见，但 250，000 到 2，000，000 的增益更 为常见。直流增益的测量方法是通过 S6 切换 DUT 输出端与 1 V 基准 电压之间的 R5，迫使 DUT 的输出改变一定的量（图 4 中为 1 V，但如果器件采用足够大的 电源供电，可以规定为 10 V）。如果 R5 处于1 V，若要使辅助放大器的输入保持在 0 附近不 变，DUT 输出必须变为–1 V。
为了测量开环交流增益，需要在 DUT 输入端注入一个所需频率的小交流信号，并测量 相应的输出信号（图 5 中的 TP2）。完成后，辅助放大器继续使 DUT 输出端的平均直流电平 保持稳定。 图 5 中，交流信号通过 10，000:1 的衰减器施加于 DUT 输入端。对于开环增益可能接近直流 值的低频测量，必须使 用如此大的衰减值。（例如，在增益为 1，000，000 的频率时，1 V rms 信号会将 100 μV 施加于放大器输入端，放大器则试图提供 100 V rms 输出，导致放大器 饱和。）因此，交流测量的频率一般是几百 Hz 到开环增益降至 1 时的频率；在需要低频增益 数据时，应非常小心地利用较低的输入幅度进 行测量。所示的简单衰减器只能在 100 kHz 以 下的频率工作，即使小心处理了杂散电容也不能超过该频率。如果涉及到更高的频率，则需 要使用更复杂的电路。
图5 运算放大器的共模抑制比（CMRR）指共模电压变化导致的失调电压视在变化与所施加的共 模电压变化之比。在 DC 时，它一般在 80 dB 至 120 dB 之间，但在高频时会降低。 测试电路非常适合测量 CMRR（图 6）。它不是将共模电压施加于 DUT 输入端，以免低电平 效应破坏测量，而是改变电源电压（相对于输入的同一方向，即共模方向），电路其余部分 则保持不变。
图6 在图 6 所示电路中，在 TP1 测量失调电压，电源电压为±V（本例中为2.5 V 和–2.5 V），并且 两个电源电压再次上移1 V（至3.5 V 和–1.5 V）。失调电压的变化对应于 1 V 的共模电压变 化，因此直流 CMRR 为失调电压与 1 V 之比。 CMRR 衡量失调电压相对于共模电压的变化，总电源电压则保持不变。电源抑制比（PSRR） 则相反，它是指失调电压的变化与总电源电压的变化之比，共模电压保持中间电源电压不变 （图 7）。
图7 所用的电路完全相同，不同之处在于总电源电压发生改变，而共模电平保持不变。本例中， 电源电压从2.5 V 和–2.5 V 切换到3 V 和–3 V，总电源电压从 5 V 变到 6 V。共模电压仍然保 持中间电源电压。计算方法也相同（1000 × TP1/1 V）。 为了测量交流 CMRR 和 PSRR，需要用电压来调制电源电压，如图 8 所示。DUT 继续在直流 开环下工作，但确切的增益由交流负反馈决定（图中为 100 倍）。
图8 为了测量交流 CMRR，利用幅度为 1 V 峰值的交流电压调制 DUT 的正负电源。两个电源的调 制同相，因此实际的电源电压为稳定的直流电压，但共模电压是 2V 峰峰值的正弦波，导致 DUT 输出包括一个在 TP2 测量的交流电压。
如果 TP2 的交流电压具有 x V 峰值的幅度（2x V 峰峰值），则折合到 DUT 输入端（即放 大 100 倍交流增益之前）的 CMRR 为 x/100 V，并且 CMRR 为该值与 1 V 峰值的比值。 交流 PSRR 的测量方法是将交流电压施加于相位相差 180°的正负电源，从而调制电源电压的 幅度（本例中同样是 1 V 峰值、2 V 峰峰值），而共模电压仍然保持稳定的直流电压。计算方 法与上一参数的计算方法非常相似。
晶体二极管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是 具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体 材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制 造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号 和进行能量转换等。
半导体二极管主要是依靠 PN 结而工作的。与 PN 结不可分割的点接触型和肖特基型， 也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据 PN 结构造面的特点，把晶 体二极管分类如下：
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因 此，其 PN 结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正 向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。 对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管 和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的 PN 结电容量稍有增加，但
正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于 50mA）。在键型 二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
在 N 型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作 PN 结而形成的。正向电压降 小，适于大电流整流。因其 PN 结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
在高温的 P 型杂质气体中，加热 N 型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成 P 型，以 此法 PN 结。因 PN 结正向电压降小，适用于大电流整流。
PN 结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留 PN 结及其必要的部分，把不必要的部分 用药品腐蚀掉。其剩余的部分 便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导 体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说， 似乎大电流整 流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
在半导体单晶片（主要地是 N 型硅单晶片）上，扩散 P 型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽 作用，在 N 型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此，不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 结合的表面， 因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料 是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大 电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质， 就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的 PN 结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用 于制造高灵敏度的变容二极管。
用外延面长的过程制造 PN 结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控 制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
⒈检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通 常把输出电流小于 100mA 的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达 400MHz，正向压降 小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为 2AP 型。类似点触型那样检波用的二极管，除 用于
一般二极管 检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一 致性好的两只二极管组合件。 ⒉整流用二极管 整流二极管的内部结构为一个 PN 结，外形封装有金属壳封、塑料封装和玻璃封装等多种形 式。其管性大小随整流管的参数而异。整流二极管主要用于整流电路，利用二极管的单项导 电性，将交流电变为直流电。由于整流管的正向电流较大，所以整流二极管多为面接触型的 二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。2CP 系列管壳用于小电流整流。 ⑴最大整流电流 是指整流二极管长时间工作所允许通过的最大电流值。 ⑵最高反向工作电压 它是指整流二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所允许的值。如超过这个允许值，整 流管就可能击穿。 ⑶最大反向电流 它是指整流二极管在最高反向工作电压下工作时，允许通过整流管的反向电流。反向电流越 小，说明整流二极管的单向导电性能越好。 ⑷最高工作频率 它是指整流二极管能正常工作的最高频率，选用时，必须使二极管的工作频率低于此值；如 高于此值，整流二极管的单向导电性受影响。 ⒊限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为 了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也
有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其 它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
使用二极管混频方式时，在 500～10,000Hz 的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极 管。
用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变 容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极 管。
开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体 PN 结加上正向偏压后，在导通状态下， 电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在 100M 欧以上）。利 用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子 开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速度很快。 常用开关二极管可分为小功率和大功率管形。小功率开关二极管主要使用于电视机、收录机 及其他电子设备的开关电路、检波电路高频高速脉冲整流电路等。主要型号有 2AK 系列（用 于中速开关电路）、2CK 系列（硅平面开关，适用于高速开关电路）等。合资生产的小功率开 关管有 1N4148、1N4152、1N4151 等型号。打功率开关二极管主要用于各类大功率电源作续 流、高频整流、桥式整流及其它开关电路。主要型号有 2CK27 系列、2CK29 系列及 FR 系列 开关二极管（采用国外标准生产的、型号相同）等。 主要参数：
反映开关管特性好坏的一个参数。开关二极管的开关时间为开通时间和反向恢复时间的总 和。开通时间是指开关二极管从截 止至导通所需时间，开通时间很短，一般可以忽略；反 向恢复时间是指导通至截止所用时间，反向恢复时间远大于开通时间。因此反向恢复时间为 开关二极管主要参 数。一般硅开关二极管的反向恢复时间小于 3ns～10ns；锗开关二极管的 反向恢复时间要长一些。
是指在开关二极管两端的反向电压超过规定的值，使二极管可能击穿的电压。 ⑶最高反向工作电压 是指加在开关管两端的反向电压不能超过规定的允许值。 ⑷正向电流 是指开关二极管在正向工作电压下工作时，允许通过开
肖特基二极管 关管的正向电流。 ⒏变容二极管 变容二极管使利用 PN 结空间电荷具有电容特性的原理制成的特殊二极管。变容二极管为反 偏二极管，其结电容就是耗尽层 的电容，一次可以近似把耗尽层看作为平行板电容，且导 电板之间有介质。一般的二极管多数情况下，其结电容很小，不能有效利用。变容二极管的 结构特殊，它具 有相当大的内部电容量，并可像电容器一样地运用于电子电路中。 主要参数： ⑴最高反向电压：指在变容二极管两端的反向电压不能超过的允许值
⑵反向击穿电压 在施加反向电压的情况下使变容二极管击穿的电压。击穿电压决定了器件的最高反向工作电 压和最小电容容量值。 ⑶结电容 指在一特定反向偏压下，变容二极管内部 PN 结的电容。 ⑷结电容变化范围 指反向电压从零伏变化到某一值时，结电容变化的范围。 ⑸品质因数（Q 值） 电容储存的能量与损耗的能量之比值为该电容器的品质因数 Q。变容而后跟具有内部电容， 同样具有一定的 Q 值。并且大多数变容二极管具有很高的 Q 值。由于变容管的电容量与反 偏压成反向变化，Q 值就随着反向偏置电压的增加二增加。 ⒐频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管 的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用 的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃
恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间 trr 短，因此，其特长是急速地变成关闭 的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因 tt（转移时间）短，所以输 出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 ⒑稳压二极管 稳压二极管在电子设备电路中，起稳定电压的作用。稳压二极管有金属外壳、塑料外壳等封 装形式。 二极管的稳压作用是通过二极管的 PN 结反向击穿后使其两端电压变化很
稳压二极管 小，基本维持一个恒定值来实现的。当反向电压小于击穿电压时，反向电流很小；当反向击 穿电压接近击穿电压时反向电流剧增。稳压二极管在反向击穿前的导电特性于普通整流、检 波二极管像是；在击穿电压下，只有限制其通过的电流（不超过额定值），它是可以安全工 作在反向击穿状态下的。其管子两端电压基本保持不变，起到了稳压的作用。 主要参数： ⑴最大工作电流 是指稳压二极管长时间工作时，允许通过的最大反向电流值。在使用稳压二极管时，其工作 电流不能超过这个数值，否则，可能会把稳压管烧坏。为了确保安全，在电流中必须采取限 流措施，使通过稳压管的电流不超过允许值。 ⑵稳定电压 稳压二极管在起稳定作用的范围内，其两端的反向电压值，称为稳定电压。不同型号的稳压 二极管，稳定电压是不同的。 ⑶动态电阻 稳压二极管在直流电压的基础上，再加上一个增量电压，稳压二极管就会有一个增量电流。 增量电压于增量电流的比值，就是稳压管的动态电阻。动态电阻反映了稳压二极管的稳压特 性，其值越小，稳压管性能越好。 ⒒发光二极管 发光二极管的内部结构为一个 PN 结，而且具有晶体管的 通性，即单向导电性。当发光二极 管的 PN 结上加上正向电压时，由于外加电压产生电场的方向与 PN 结内电场方向相反，使 PN 结势垒（内总电场）减弱，则载流 子的扩散作用占了优势。于是 P 区的空穴很容易扩散
到 N 区，N 区的电子也很容易扩散到 P 区，相互注入的电子和空穴相遇后会产生复合。复合 时产生的能量大部分 以光的形式出现，会使二极管发光。 发光二极管采用砷化镓、磷化镓、镓铝砷等材料制成。不同材料制成的发光二极管，能发出 不同颜色的光。有发绿色光的磷化镓发光二极管；有发红色光的磷砷化镓发光二极管；有发 红外光的砷化镓二极管；有双向变色发光二极管（加正向电压时发红光，加反向电压时发绿 色光）；还有三颜色变色发光二极管，等等。 发光二极管的外形有圆形的、方形的、三角形的、组合型等，封装形式有透明和散射的；有 无色和着色的等。着色散射型用 D 表示；白色散射性用 W 表示；无色透明型用 C 表示；着 色透明型用 T 表示。封装形式有：金属陶瓷和全塑料 3 种形式，并以陶瓷和全塑料为主。 主要参数： ⑴最大工作电流 是指发光二极管长期正常工作时，所允许通过的最大电流。 ⑵正向电压 是指通过规定的正向电流时，发光二极管两端产生的正向电压。
晶体二极管示意图 ⑶反向电流 是指发光二极管两端加上规定的反向电压时，管内的反向电流。 ⑷发光强度 它表示发光二极管亮度大小的参数，其值为通过规定的电流时，在管芯垂直方向上单位面积 所通过的光通量，单位是 mcd。 ⑸发光波长 是指发光二极管在一定工作条件下，所发出光的峰值（为发光强度最大一点）对应的波长， 也称峰值波长。
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。 ⒈正向特性 当加在二极管两端的正向电压（P 为正、N 为负）很小时（锗管小于 0.1 伏，硅管小于 0.5 伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电
二极管伏安特性曲线 压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线 I 段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为 0.5-.7 伏左右，锗管为 0.1-0.3 左右。 ⒉反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不
变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，
硅管约为 1 微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很 大，锗管的稳定性比硅管差。
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电 压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可 由 1 伏到几百伏，甚至高达数千伏。
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向 导电性，不能工作，PN 结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
二极管在电路中的应用是必不可少的，无论是做整流电路还是钳位作用还是其他的一些 作用，都会用到它。
二极管可分为发光二极管（LED），整流二极管，稳压二极管，开关二极管等等，这里只 介绍前面说的几种。
发光二极管，一般作为指示灯用，例如电脑的硬盘灯一闪一闪的表示你的硬盘正在工作 （如果不闪，则很可能是你的机器忙不过来或者是处在待机状态），还有就是一些随身听上 的指示灯，以及充电器的指示灯。发光二极管相对其他二极管正向导通电压较大，一般在 1.6V 到 1.8V 间。二其他二极管一般在 0.2-0.3V（锗管），0.6-0.8V（硅管）。
负极性电信号滤掉---半波整流，也可以进行其它的整流----例如全波整流。 二极管还具有稳压作用，这是因为二极管反向接通时，在二极管被击穿的情况下，其电
流将瞬间增大，这样在外电压增大时，由于二极管被击穿后增加的电流会通过二极管而不会 经过与二极管并联的负载上，从而可以保护与其并联的器件。常见的有保护场效应管，即在 场效应管栅极反向并接一个二极管。二极管击穿电压一般在 4V-7V.
钳位作用：钳位作用就是利用二极管的正向导通电压在导通后维持在 0.2-0.4V（锗管）， 0.6~0.8V（硅管），从而使与其连接的器件两端电压维持在一个范围内，最简单就是三极管 的 BE 结电压在导通时可保持在钳位电压，这点常用于三极管的静态分析。一般无特别说 明硅管取 0.7V，锗管取 0.3V。
开关二极管常见型号有 1N4148，1N4150，1N4448，利用的是二极管的高速转换特性。 其它二极管还有肖特基二极管，隧道二极管，双向出发二极管，微功耗基准电压二极管等， 由于其制作工艺不同而具有不同的功能。
1：晶体二极管的识别方法及其作用 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5 表示编号为 5 的二极管。
⒈作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而
在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如 1N4004）、隔离二极管（如
1N4148）、肖特基二极管（如 BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
⒉识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的 N 极（负极），在二极管外表大多采用
一种色圈标出来，有些二极管也 用二极管专用符号来表示 P 极（正极）或 N 极（负极），也
有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电 流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶
体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管 是在一块半导体基片上制作两个相距很近的 PN 结，两个 PN 结把整块半导体分成三部分， 中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有 PNP 和 NPN 两种。
主要参数 特征频率 fT:当 f= fT 时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于 fT,电路将不正 常工作. fT 称作增益带宽积，即 fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率 fo 以及高频电流放大倍 数，便可得出特征频率 fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT 也可以定义为 β=1 时 的频率． 电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. hFE 电流放大倍数. VCEO 集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. PCM 最大允许耗散功率. 封装形式 指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
贴片三极管 b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管 e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管 f.按结构工艺分：合金管、平面管 g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管
判断类型 脚位判断 三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图：
三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用 表为例，红笔，黒笔-）我们将测试档位切换至 二极管档 （蜂鸣档）标志符号如右图：
正常的 NPN 结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是 430Ω680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同） 反向电阻无穷大；正常的 PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是 430Ω-680Ω，正向电阻 无穷大。集电极 C 对发射极 E 在不加偏流的情况下，电阻为 无穷大。基极对集电极的测试 电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发 射极的测试电阻小 5-100Ω 左右（大功 率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能 已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏， 这个元件也可能不久 就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。
尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结 构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。
要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如 C945 正常的脚位是 BCE，但有的厂家出的 此元件脚位排列却是 EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电 路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器。
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