碳质电阻和一些 1/8 瓦碳膜电阻的阻值和误差用色环表示。在电阻上有三道或者四道色 环。靠近电阻端的是第一道色环,其余顺次是二、三、四道色环,如图 1 所示。第一道色环 表示阻值的最大一位数字,第二道色环表示第二位数字,第三道色环表示阻值未应该有几个 零。第四道色环表示阻值的误差。色环颜色所代表的数字或者意义见表 1。 表 1 色环颜色所代表的数字或意义 色 别 第一色环数字 第二色环数字 第三色环应乘的数 第四色环误差 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 金 银 无色 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 0.1 0.01 5% 10% 20% 10 100 1K 10K 100K 1M 10M 100M
比如有一个碳质电阻, 它有四道色环, 顺序是红、 黄、 这个电阻的阻值就是 270000 紫、 银。 欧,误差是±10%。
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5 表示编号为 5 的二极管。 1、 作用: 二极管的主要特性是单向导电性, 也就是在正向电压的作用下, 导通电阻很小; 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,电路中常把它用 在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如 1N4004) 、隔离二极管(如 1N4148) 、肖特 、发光二极管、稳压二极管等。 基二极管(如 BAT85) 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的 N 极(负极) ,在二极管外表大多
采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示 P 极(正极)或 N 极(负极), 也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识 别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二 极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚 好相反。 4、常用的 1N4000 系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A) 均为 1 稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5 表示编号为 5 的稳压管。 1、 稳压二极管的稳压原理: 稳压二极管的特点就是击穿后, 其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电 压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这 3 种故障 中,前一种故障表现出电源电压升高;后 2 种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 稳压值 3.3V 变容二极管 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN 结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这 一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在高频调制电路上,实现低频信号调制 到高频信号上,并发射出去。工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极 管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性 能变差: (1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。 (2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被 对方接收后产生失真。出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。 晶体三极管 晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示
1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含有 2 个 PN 结,并且具有放大能力的特殊 器件。它分 NPN 型和 PNP 型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所 谓 OTL amplifier(无输出功率放大器)电路中的对管就是由 PNP 型和 NPN 型配对使用。常用 的 PNP 型三极管有:A92、A94、9012、9015 等型号;NPN 型三极管有:A42、A44、9014、 9018、9013 等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。为了便于比 较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考。 名称 : 输入阻抗: 共发射极电路 共集电极电路(射极输出器) 共基极电路
小(几欧~几十欧) 大(几十千欧~几百千欧) 大 小(小于 1 并接近于 1) 中(约 15~20 分贝) 好
输出阻抗: 中(几千欧~几十千欧)小(几欧~几十欧) 电压放大倍数: 电流放大倍数: 大 大(几十)
应用:共发:多级放大器中间级,低频放大 共集: 输入级、输出级或作阻抗匹配用 共基: 高频或宽频带电路及恒流源电路 场效应晶体管放大器 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备 中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。 3、场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电 流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下, 应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载 流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地 把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
常用集成电路封装 有兴趣的可以对照一下我们手头上有的芯片 89C51 DIP LM2575 SIP
通常所说的贴片元件 SOP SSOP 工控机 BIOS PLCC TI DSP QFP 1、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑 IC , 存贮器 LSI,微机电路等。引脚中 心距 2.54mm,引脚数从 6 到 64。封装宽度通常为 15.2mm。有的把宽度为 7.52mm 和 10.16mm 的封装分别称为 skinny DIP 和 slim DIP(窄体型 DIP)。但多数情况下并不加区分, 只简单地统称为 DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip。 2、SIP(single in-line package) 单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封装呈侧立状。引脚中心距通常为 2.54mm,引脚数从 2 至 23,多数为定制产品。封装的形 状各异。也有的把形状与 SIP 相同的封装称为 SIP。 3、SOP(Small Out-Line package) 也叫 SOIC,小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字 形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP 除了用于存储器 LSI 外,也广泛用于规模不太大的 ASSP 等电路。在输入输出端子不超过 10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中 心距 1.27mm,引脚数从 8~44。另外,引脚中心距小于 1.27mm 的 SOP 也称为 SSOP;装 配高度不到 1.27mm 的 SOP 也称为 TSOP。还有一种带有散热片的 SOP。 4、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package) J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈 J 字形,故此 但绝大部分是 DRAM。 得名。 通常为塑料制品, 多数用于 DRAM 和 SRAM 等存储器 LSI 电路, 用 SOJ 封装的 DRAM 器件很多都装配在 SIMM 上。引脚中心距 1.27mm,引脚数从 20 至 40。 5、PLCC(plastic leaded chip carrier) 带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形, 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在 64k 位 DRAM 和 256kDRAM 中采用,现在已经 普及用于逻辑 LSI、DLD(或可编程程逻辑器件)等电路。引脚中心距 1.27mm,引脚数从 18
到 84。 6、QFP(quad flat package) 四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时,多 数情况为塑料 QFP。塑料 QFP 是最普及的多引脚 LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等 数字逻辑 LSI 电路,而且也用于 VTR(磁带录象机)信号处理、音响信号处理等模拟 LSI 电 路。引脚中心距有 1.0mm 、0.8mm 、0.65mm 、0.5mm 、0.4mm 、0.3mm 等多种规格。 中心距规格中最多 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于 0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防 止引脚变形,现已出现了几种改进的 QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的 BQFP; 带树脂保护环覆盖引脚前端的 GQFP;在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹具里就可进行测试的 TPQFP。 在逻辑 LSI 方面, 不少开发品和高可靠品都封装在多层陶 瓷 QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为 348 的产品也已问世。此外,也有用 玻璃密封的陶瓷 QFP。 7.BGA (Ball Grid Array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以代替引脚,在印刷基板的正面装配 LSI(大规模集成电路)后用模压树脂或灌封方法进行 密封。也称为凸点陈列载体(PAC) 。引脚可超过 1000,是多引脚 LSI 用的一种封装。封装 本体也可做得比 QFP (四侧引脚扁平封装) 例如, 小。 引脚中心距为 1.5mm 的 360 引脚 BGA 仅为 31mm 见方;而引脚中心距为 0.5mm 的 304 引脚 QFP 为 40mm 见方。而且 BGA 不用 担心 QFP 那样的引脚变形问题。 BGA 逐渐向微间距方向发展, 最新型封装有 1.0mm、 0.8mm 和 0.5mmPIN 间距。 电感器、 电感器、变压器检测方法与经验 1色码电感器的的检测 将万用表置于 R×1 挡, 黑表笔各接色码电感器的任一引出端, 红、 此时指针应向右摆动。 根据测出的电阻值大小,可具体分下述三种情况进行鉴别: A被测色码电感器电阻值为零,其内部有短路性故障。 B被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有 直接关系,只要能测出电阻值,则可认为被测色码电感器是正常的。 2中周变压器的检测 A将万用表拨至 R×1 挡,按照中周变压器的各绕组引脚排列规律,逐一检查各绕组的 通
断情况,进而判断其是否正常。 B检测绝缘性能 将万用表置于 R×10k 挡,做如下几种状态测试: (1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值; (2)初级绕组与外壳之间的电阻值; (3)次级绕组与外壳之间的电阻值。 上述测试结果分出现三种情况: (1)阻值为无穷大:正常; (2)阻值为零:有短路性故障; (3)阻值小于无穷大,但大于零:有漏电性故障。 3电源变压器的检测 A通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。如线圈引线是否断裂,脱焊, 绝缘材料是否有烧焦痕迹,铁心紧固螺杆是否有松动,硅钢片有无锈蚀,绕组线圈是否有外 露等。 B绝缘性测试。用万用表 R×10k 挡分别测量铁心与初级,初级与各次级、铁心与各次 级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值,万用表指针均应指在无穷大位置不动。 否则,说明变压器绝缘性能不良。 C线圈通断的检测。将万用表置于 R×1 挡,测试中,若某个绕组的电阻值为无穷大, 则说明此绕组有断路性故障。 D判别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的, 并且初级绕组多标有 220V 字样,次级绕组则标出额定电压值,如 15V、24V、35V 等。再 根据这些标记进行识别。 E空载电流的检测。 (a)直接测量法。将次级所有绕组全部开路,把万用表置于交流电流挡(500mA,串入 初级绕组。当初级绕组的插头插入 220V 交流市电时,万用表所指示的便是空载电流值。此 值不应大于变压器满载电流的 10%~20%。 一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应 在 100mA 左右。如果超出太多,则说明变压器有短路性故障。 (b)间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个 10/5W 的电阻,次级仍全部空载。 把万用表拨至交流电压挡。加电后,用两表笔测出电阻 R 两端的电压降 U,然后用欧姆定律 算出空载电流 I 空,即 I 空=U/R。 F空载电压的检测。将电源变压器的初级接 220V 市电,用万用表交流电压接依次测出
各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合要求值,允许误差范围一般为:高压绕 组≤±10%,低压绕组≤±5%,带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2%。 G一般小功率电源变压器允许温升为 40℃~50℃,如果所用绝缘材料质量较好,允许 温升还可提高。 H检测判别各绕组的同名端。在使用电源变压器时,有时为了得到所需的次级电压, 可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时,参加串联的各绕组 的同名端必须正确连接,不能搞错。否则,变压器不能正常工作。 I.电源变压器短路性故障的综合检测判别。 电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发 热严重和次级绕组输出电压失常。通常,线圈内部匝间短路点越多,短路电流就越大,而变 压器发热就越严重。检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流(测试 方法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器,其空载电流值将远大于满载电流的 10%。当 短路严重时,变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热,用手触摸铁心会有烫手的感 觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。 二,三极管的检测方法与经验及测判三极管的口诀 1、二极管的检测方法与经验 1检测小功率晶体二极管 A判别正、负电极 (a)观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形 箭头的一端为正极,另一端是负极。 (b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。 一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准, 黑表笔所接的一端为正极, 红表笔所接的一端则为负极。 B检测最高工作频率 fM。晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实 用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触 型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表 R×1k 挡进行测试,一般正向电阻小于 1k的 多为高频管。 C检测最高反向击穿电压 VRM。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作 电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的 击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正
向电阻较大。用 R×1k 电阻挡测量,一般正向电阻值为 5k~10k,反向电阻值为无穷大。 3检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相 同。即先用 R×1k 挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为 45k左右,反向电阻为无 穷大;再用 R×1 挡复测一次,一般正向电阻为几,反向电阻仍为无穷大。 4检测双向触发二极管 A将万用表置于 R×1k 挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交 换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用 表所指示的电压值即为被测管子的 VBO 值。 然后调换被测管子的两个引脚, 用同样的方法测 出 VBR 值。最后将 VBO 与 VBR 进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二 极管的对称性越好。 5瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 A用万用表 R×1k 挡测量管子的好坏 对于单极型的 TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电 阻为 4k 左右,反向电阻为无穷大。
对于双向极型的 TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否 则,说明管子性能不良或已经损坏。 6高频变阻二极管的检测 A识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜 色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即 带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。 B测量正、反向电阻来判断其好坏 具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用 500 型万用表 R×1k 挡测 量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为 5k~55k,反向电阻为无穷大。 7变容二极管的检测 将万用表置于 R×10k 挡,无论红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电 阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测 变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障,用 万用表是无法检测判别的。必要时,可用替换法进行检查判断。
8单色发光二极管的检测 在万用表外部附接一节 15V 干电池,将万用表置 R×10 或 R×100 挡。这种接法就相 当于给万用表串接上了 15V 电压,使检测电压增加至 3V(发光二极管的开启电压为 2V)。 检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正 常发光,此时,黑表笔所接的为正极,红表笔所接的为负极。 9红外发光二极管的检测 A判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正 极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较 宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。 B将万用表置于 R×1k 挡,测量红外发光二极管的正、反向电阻,通常,正向电阻应在 30k左右,反向电阻要在 500k以上,这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。 10红外接收二极管的检测 A识别管脚极性 (a)从外观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时,面对受光窗 口,从左至右,分别为正极和负极。另外,在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面, 通常带有此斜切平面一端的引脚为负极,另一端为正极。 (b)将万用表置于 R×1k 挡,用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查,即交换 红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值,正常时,所得阻值应为一大一小。以阻值较小 的一次为准,红表笔所接的管脚为负极,黑表笔所接的管脚为正极。 B检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻,根据正、反向 电阻值的大小,即可初步判定红外接收二极管的好坏。 11激光二极管的检测 A将万用表置于 R×1k 挡,按照检测普通二极管正、反向电阻的方法,即可将激光二极 管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意,由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大, 所以检测正向电阻时,万用表指针仅略微向右偏转而已,而反向电阻则为无穷大。 2、三极管的检测方法与经验 1中、小功率三极管的检测 A已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏 (a)测量极间电阻。将万用表置于 R×100 或 R×1k 挡,按照红、黑表笔的六种不同接 法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很 高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料
三极管的极间电阻大得多。 (b)三极管的穿透电流 ICEO 的数值近似等于管子的倍数 β 和集电结的反向电流 ICBO 的乘积。 ICBO 随着环境温度的升高而增长很快, ICBO 的增加必然造成 ICEO 的增大。 ICEO 而 的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用 ICEO 小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管 e-c 极之间的电阻方法,可间接估计 ICEO 的大小, 具体方法如下: 万用表电阻的量程一般选用 R×100 或 R×1k 挡,对于 PNP 管,黑表管接 e 极,红表笔 接 c 极,对于 NPN 型三极管,黑表笔接 c 极,红表笔接 e 极。要求测得的电阻越大越好。e -c 间的阻值越大, 说明管子的 ICEO 越小; 反之, 所测阻值越小, 说明被测管的 ICEO 越大。 一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千 欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明 ICEO 很大,管子的性能不稳 定。 (c)测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管 hFE 的刻度线及其测试 插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡,量程开关拨到 ADJ 位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨 到 hFE 位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从 hFE 刻度线上 读出管子的放大倍数。 另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表 明管子的放大倍数 β 值,其颜色和 β 值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所用色标并 不一定完全相同。 B检测判别电极 (a)判定基极。用万用表 R×100 或 R×1k 挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、 反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值 时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极 b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表 笔接的是基极 b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为 PNP 型管;如果黑表笔接的是基极 b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被 测三极管为 NPN 型管。 (b)判定集电极 c 和发射极 e。 PNP 为例)将万用表置于 R×100 或 R×1k 挡, (以 红表笔 基极 b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小 一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表 笔所接管脚为发射极。
C判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于 3MHz,而低频管的截止频率则小于 3MHz,一般情况下,二者 是不能互换的。 D在路电压检测判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆 卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测三极管各引脚的电压 值,来推断其工作是否正常,进而判断其好坏。 2大功率晶体三极管的检测 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法,对检测大功率三极 管来说基本上适用。但是,由于大功率三极管的工作电流比较大,因而其 PN 结的面积也较 大。PN 结较大,其反向饱和电流也必然增大。所以,若像测量中、小功率三极管极间电阻那 样,使用万用表的 R×1k 挡测量,必然测得的电阻值很小,好像极间短路一样,所以通常使 用 R×10 或 R×1 挡检测大功率三极管。 3普通达林顿管的检测 用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分 PNP 和 NPN 类型、估测放大能力 等项内容。因为达林顿管的 E-B 极之间包含多个发射结,所以应该使用万用表能提供较高 电压的 R×10k 挡进行测量。 4大功率达林顿管的检测 检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部 设置了 V3、R1、R2 等保护和泄放漏电流元件,所以在检测量应将这些元件对测量数据的影 响加以区分,以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行: A用万用表 R×10k 挡测量 B、C 之间 PN 结电阻值,应明显测出具有单向导电性能。 正、反向电阻值应有较大差异。 B在大功率达林顿管 B-E 之间有两个 PN 结,并且接有电阻 R1 和 R2。用万用表电 阻挡检测时,当正向测量时,测到的阻值是 B-E 结正向电阻与 R1、R2 阻值并联的结果; 当反向测量时,发射结截止,测出的则是(R1+R2)电阻之和,大约为几百欧,且阻值固定, 不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是,有些大功率达林顿管在 R1、R2、上还并有 二极管,此时所测得的则不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)与两只二极管正向电阻之和的并 联电阻值。 5带阻尼行输出三极管的检测 将万用表置于 R×1 挡,通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值,即可判
断其是否正常。具体测试原理,方法及步骤如下: A将红表笔接 E,黑表笔接 B,此时相当于测量大功率管 B-E 结的等效二极管与保护 电阻 R 并联后的阻值,由于等效二极管的正向电阻较小,而保护电阻 R 的阻值一般也仅有 20~50,所以,二者并联后的阻值也较小;反之,将表笔对调,即红表笔接 B,黑表笔 接 E,则测得的是大功率管 B-E 结等效二极管的反向电阻值与保护电阻 R 的并联阻值,由 于等效二极管反向电阻值较大,所以,此时测得的阻值即是保护电阻 R 的值,此值仍然较小。 B将红表笔接 C,黑表笔接 B,此时相当于测量管内大功率管 B-C 结等效二极管的正 向电阻,一般测得的阻值也较小;将红、黑表笔对调,即将红表笔接 B,黑表笔接 C,则相 当于测量管内大功率管 B-C 结等效二极管的反向电阻,测得的阻值通常为无穷大。 C将红表笔接 E,黑表笔接 C,相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻,测得的阻值一 般都较大,约 300~∞;将红、黑表笔对调,即红表笔接 C,黑表笔接 E,则相当于测量管 内阻尼二极管的正向电阻,测得的阻值一般都较小,约几至几十。 功率放大管真假辨别 功率放大管是音频功率放大器中的关键器件,现将正品与假品作一番比较。 1.从印刷的字体来看:正品字体匀称清秀,字迹不易被擦拭掉,而假品的字体如同写上 那样,用手指甲轻轻刮拭便会使字迹颜色变浅、甚至掉漆看不清。 2. 从封装按压的烙印来看: 在靠近管子上部坚固螺孔旁的两边分别印有英文字母和数字, 下部靠近管脚的中间则印有不同厂家或国家的封装的字样, SK 如 (三肯) PHILIPPINES 、 (菲 律宾) 、MALAYSIA(马来西亚)等。而假品则并无印字,或是上面两点的印字臃肿难看,而 下面一点由于字位多干脆不印。当然也有一部分合资管此处无印字,但其他方面都与原装管 并无明显的差别。 3. 从功放管的封装及加工工艺来看: 正品自身所带的散热片与封装塑料粘合处界线清晰、 边角平整,而假品的粘合处界线弯曲不清甚至有缝隙(现市场最易见的假品有小东芝管 A1491/C5198、D817/D1047) ,表面则如拉丝处理过那样有粗糙感(这是假品最易露馅的地 方 ) 某 些 型 号 的 进 口 管 其 散 热 片 表 面 作 过 磨 砂 工 艺 处 理 ( 如 MOTOLOLA 的 。 MJL1302A/MJL3281A) ,而假品及个别的合资管则没有这一工序。 4.从测量的结果来看:用指针式万用表 R×10K 挡测管子的 c、e 极间正反向电阻时, 正品的指针都在∞处不动或摆动的角度非常小, 而假品的 c、 极正向电阻 e (NPN 正向为 Rce、 PNP 正向为 Rec)摆动角度则要大得多,即电阻值较小(这表明管子的穿透电流较大) ;而 用数字万用表测管子的放大倍数 β 时,正品(特别是进口管)的一致性非常好,而假品的一 致性普遍较差。
5. 假品装机使用时的表现: 由于管子的耐压普遍偏低, 所以极易造成管子在开机时烧毁; 或发热比正品严重,此时管子的 c、e 极电阻已比未装机时小得多,而 β 的偏差则更大,正品 则无这种现象。 测判三极管的口诀 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测 判方法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN 结,定管型;顺箭头,偏转大;测不 准,动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。 一、 三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个 PN 结的半导体器件。根据两个 PN 结连接方式不同,可 以分为 NPN 型和 PNP 型两种不同导电类型的三极管,图 1 是它们的电路符号和等效电路。 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择 R×100 或 R×1k 挡位。图 2 绘出了万用电 表欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内 电池的正极。 假定我们并不知道被测三极管是 NPN 型还是 PNP 型,也分不清各管脚是什么电极。测 试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为 1、2),用万 用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取 1、3 两个电 极和 2、3 两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠 倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一 次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极 (参看图 1、图 2 不难理解它的道理)。 二、 PN 结,定管型 找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间 PN 结的方向来确定管 子的导电类型(图 1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极, 若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为 NPN 型管;若表头指针偏转角度很小,则被 测管即为 PNP 型。 三、 顺箭头,偏转大 找出了基极 b,另外两个电极哪个是集电极 c,哪个是发射极 e 呢?这时我们可以用测穿 透电流 ICEO 的方法确定集电极 c 和发射极 e。 (1) 对于 NPN 型三极管,穿透电流的测量电路如图 3 所示。根据这个原理,用万用电表 的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻 Rce 和 Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转 角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c
极→b 极→e 极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此 时黑表笔所接的一定是集电极 c,红表笔所接的一定是发射极 e。 (2) 对于 PNP 型的三极管, 道理也类似于 NPN 型, 其电流流向一定是: 黑表笔→e 极→b 极→c 极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的 一定是发射极 e,红表笔所接的一定是集电极 c(参看图 1、图 3 可知)。 四、 测不出,动嘴巴 若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以 区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏 住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极 b,仍用“顺箭头,偏转大”的判 别方法即可区分开集电极 c 与发射极 e。其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果 更加明显。 可控硅的特性及检测 可控硅(SCR)国际通用名称为 Thyyistor,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条 件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等特点,它是大功率形状型半导体器件,广泛应用 于电力、电子线路中。 一、可控硅的特性 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极 A、阴极中、控制极 G 三个引脚。 双向可控硅有第一阳极 A1(T1) ,第二阳极 A2(T2) 、控制极 G 三个引脚。只有当单向可控 硅阳极 A 与阴极 K 之间加有正向电压,同时控制极 G 与阴极间加上所需的正向触发电压时, 方可被触发导通。此时 A、K 间呈低阻导通状态,阳极 A 与阴极 K 间压降约为 1V。单向可控 硅导通后,控制极 G 即使失去触发电压,只要阳极 A 和阴极 K 之间仍保持正向电压,单向可 控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极 A 电压撤除或阳极 A、阴极 K 之间电压极性发生改 变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截 止, 即使阳极 A 和阴极间又重新加上正向电压, 仍需在控制极 G 和阴极 K 之间重新加上正向 触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于形状的闭合和断开状态,用它可制 成无触点开关。 双向可控硅第一阳极 A1 与第二阳极 A2 间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控 制极 G 和第一阳极 A1 间加有正负极性不同的触发电压, 就可触发导通呈低阻状态。 此时 A1、 A2 间压降也约 1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只 有当第一阳极 A1、第二阳极 A2 电流减小,小于维持电流或 A1、A2 间当电压极性改变且没 有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
二、可控硅的检测 1.单向可控硅的检测 万用表选用电阻 R×1 档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为 数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极 G,红笔接的引脚为阴极 K,另一空脚为 阳极 A。此时将黑表笔接已判断了的阳极 A,红表笔仍接阴极 K。此时万用表指针应不动。 用短接线瞬间短接阳极 A 和控制极 G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为 10 欧姆左 右。如阳极 A 接黑表笔,阴极 K 接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击 穿损坏。 2.双向可控硅的检测 用万用表电阻 R×1 档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数 为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极 A1 和控制极 G, 另一空脚即为第二阳极 A2。确定 A、G 极后,再仔细测量 A1、G 极间正反向电阻,读数相 对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极 A1,红表笔所接引脚为控制极 G。将黑表 笔接已确定了的第二阳极 A2,红表笔接第一阳极 A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值 为无穷大。再用短接线、G 极瞬间短接,给 G 极加上正向触发电压,A2、A1 间阻值约 为 10 欧姆左右。随后断开 A2、G 极短接线 欧姆左右。互换红黑表 笔接线,红表笔接第二阳极 A2,黑表笔接第一阳极 A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻 值为无穷大。用短接线、G 极间再次瞬间短接,给 G 极加上负向的触发电压,A1、A2 间阻值也是 10 欧姆左右。随后断开 A2、G 极间短接线,万用表读数应不变,保持 10 欧姆 左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节 1.5V 干电池,以提高触发电 压。 电容器在不同电路中的名称和作用 电容器是一种储能元件,具有隔直通交。阻低频的特性,人们为了认识和分别不同电 容器,根据其在线路中的作用而给给它起了许多名称 1 滤波电容 它并接在电路正负极之间,把电路中无用的交流去掉,一般采用大容量电解容器,也有 采用其他固定电容器的。 2 退耦电容 并接于电路正负极之间, 可防止电路通过电源内阻形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。 3 旁路电容
并接在电阻两端或由某点直接跨接至共用电位为交直流信号中的交流或脉动信号设置一 条通路,避免交流成分在通过电阻时产生压降。 4 耦合电容 连接于信号源和信号处理电路或两级放大器之间,用以隔断直流电,让交流或脉动信号通过, 使相邻的放大器直流工作点互不影响。 5 中和电容 连接于三极管基极与集电极之间,用于克服三极管极间电容而引起的自激振荡。 6 槽路电容(调谐电容) 连接于谐振电路或振荡电路綫圈两端的电容。 7 垫整电容 在电容中能使振荡信号的频率范围减小。而且能显著提高低频端振荡频率的电容,它是 与槽路主电容串联的。 8 补偿电容 在振荡电路中,能使振荡信号的频率范围得到扩大的电容,它与主电容并联起辅助作用。 9 逆程电容 并接在行输出集电极与发射极之间,用来产生行扫描锯齿波逆程的电容。 10 自举升压电容 利用其储能来提升电路某点的电位,使其电位值得高于为该点供电的电源电压。 11S校正电容串接于偏转綫圈回路中,用于校正两边延伸征稿失线 稳频电容 在振荡电路中,用来稳定振荡频率的电容。 13 定时电容 在 RC 定时电路中与电阻 R 串联共同决定时间长短的电容。 14 降压限流电容 串接于交流电路中利用它对交流电的容抗进行分压限流。 15 缩短电容 这种电容是在 UHF 高频头中为了缩短振荡电感的长度而串接的电容。 16 克拉泼电容 在电容三点式振荡电路中,串接在振荡电感线圈的电容,为了消去晶体管结电容的影响, 提高频率稳定性。 17 锡拉电容
在电容三点式振荡电路中,并接在振荡电感綫圈两端的,为了消除晶体结电容的影响,使其 振荡频率越高越容 易起振。 18 加速电容 接在振荡器反馈电路中,使正反馈过程加速,提高振荡幅度。 19 预加重电容 为了防止音频调制信号在制时可能频分量产生衰减或丢失,而适当提升高频分量的 RC 网络中的电容。 20 去加重电容 对音频信号中经预加重提升的那部分高频分量连同噪音一起衰掉,恢复伴音信号的本来 面貌的 RC 网络中的电容。 21 稳幅电容 在鉴频器中,用来稳定输出信号幅度。 22 消亮点电容 在显像管附属电路中,用以消除关机亮点的电容。 23 移相电容 用来改变交流电信号相位的电容。 24 反馈电容 跨接于放大器的输入与输出端用来反馈信号的电容。 25 软启动电容 通常接在电源开关基极,防止开机运时加在开关基极的浪涌电流或电压太大而损坏开关 管。 26 启动电容 串接于单机电机副绕组,为电机副绕组提供启动用的移相交流,电机运转正常时与副绕 组断开。 27 运转电容 串接于单相电机副绕组。为电机副绕组提供移相交流电流,电机运转正常时与副绕组仍 串于电路中BBIN bbinBBIN bbinBBIN bbin
Copyright © 2012-2023 bbin 版权所有 备案号:吉ICP备2021005409号