BBIN实时时钟IC SD3178

　　BBIN bbinBBIN bbinBBIN bbinSD3178是一种具有标准IIC接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过7位地址寻址来读写片内122字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、电池电量寄存器、70字节的用户SRAM寄存器及8字节的ID码寄存器)。

　　SD3178内置晶振及数字温度补偿，用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带来的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题，实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、高可靠计时功能。SD3178内置定时/报警中断输出脚和独立的32K输出脚,报警中断时间最长可设至100年。SD3178具有一个后备电池输入脚VBAT，内部的充电电路可对外接的充电电池进行智能充电，也可对电池电量进行检测和欠压报警指示。SD3178内置8字节的ID，每一颗芯片具备唯一的身份识别码。该芯片可满足对高精度实时时钟芯片的各种需要，是在选用实时时钟IC时的理想选择。主要性能特点：

　　年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。

　　内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器，共有96种组合报警方式，并有单事件报警和周期性 报警两种中断输出模式，报警时间最长可设至100年。

　　自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟），最小定时为244us，最长定时可到31年，通 过计算可获得较精确的毫秒级定时值。

　　具有可控的32768HZ方波输出脚F32K，可以位允许/禁止32K输出。

　　内置8bit转换结果的数字温度传感器，为了节省电池电量消耗，设为VDD模式下60S间隔测温一次，电池模式600S间隔测温一次。

　　具有一次性或充电的后备电池输入脚VBAT ，其内部的3.3V稳压充电电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电，内置的充电限流电阻可 位选2K、5K和10K三种。

　　内置电池电压检测功能，可读取当前电池电压值(三位有效数)，设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断。

　　芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且VDD小于VBAT,芯片会转为由接在VBAT的后备电池供电；当VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。（内置电源模式指示位PMF,VDD模式时

　　内置IIC总线秒自动复位功能(从Start命令开始计时)，该功能可以避免IIC总线挂死问题。

　　内置三个时钟数据写保护位,避免对数据的误写操作，可更好地保护数据。

　　内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允许IIC通信.上电默认值BATIIC=0)，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控

　　内置上电指示位RTCF，当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。

　　内置电池电压欠压指示位BLF，当电池电压低于2.2V时BLF位置1。

　　串行数据输入/输出脚，此管脚通常用一电阻上拉至VDD，并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接.

　　串行时钟输入脚，由于在SCL上升/下降沿处理信号，要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间，应严格遵守说明书。

　　报警中断输出脚，根据控制寄存器来设置其工作的模式，它可通过重写控制寄存器来禁止.