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《半导体光电》(双月刊)创刊于1976年,是由中国电子科技集团公司主管、重庆光电技术研究所主办的科技期刊。本刊旨在传播、推广、交流光电子科学与技术,促进光电子技术及其相关学科理论和技术的繁荣与发展。在报道重点上,本刊秉持以光电器件为主体,以材料、结构及工艺为基础,以光电器件在各个领域中的应用为先导的选题原则。主要设有“动态综述”、“光电器件”、“材料、结构及工艺”、“光通信”及“光电技术应用”等栏目。
本刊为:RCCSE(B+)(2020第六版), 中文核心(2020年版), 科技核心(2022自然科学) , 知网收录, 目次收录(维普), 目次收录(万方),第一批认定学术期刊,
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,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。2.
8 000字,综述稿不限。所有稿件应附中英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。3.
,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200~250字为宜。4.
GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。6.
2020年第4期开始改版为彩色印刷,接受彩色图文件。请在投稿时一并提交图文件,分辨率不低于600dpi,框图、流程图等推荐用visio软件绘制。7.
,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号):
.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.2)
:作者.题名[C]//编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.5)
:主要责任者.题名:其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地:出版者,出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.9)
)外文著者一律用姓在名前,采用首字母缩写(中国人用全名不缩写)。姓和名之间不加逗号,名2个以上大写首字母,2名间空一格。文献作者3名以内全部列出,4名以上则列前3人,后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等,应用逗号分开。(
)为扩大期刊论文的传播范围,提高影响力,即日起,凡文中涉及的中文参考文献,请提供对应外文格式。8.
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