《半导体光电》杂志投稿及BBIN BBIN宝盈集团征稿简则

　　《半导体光电》创刊于1976年，是由中国电子科技集团公司主管、重庆光电技术研究所主办的中文科技期刊。本刊国内外公开发行，经过近四十年的发展已经成为我国光电子专业领域有代表性的刊物。

　　《半导体光电》旨在传播、推广、交流光电子科学与技术，促进光电子技术及其相关学科理论和技术的繁荣与发展。在报道重点上，本刊秉持以光电器件为主体，以材料、结构及工艺为基础，以光电器件在各个领域中的应用为先导的选题原则。主要设有“动态综述”、“光电器件”、“材料、结构及工艺”、“光通信”及“光电技术应用”等栏目。

　　《半导体光电》是全国中文核心期刊，连续多年获得工业和信息化部“优秀科技期刊奖”。被中国科学引文数据库、中国学术期刊、INSPEC数据库、Elsevier二次文献Scopus数据库、《CA》、《JA》等众多国内外数据库收录，影响力逐年提升。

　　(1) 来稿文责自负。文稿务必主题明确，论述合理，逻辑严谨，数据可靠，叙述清楚，文字精炼。内容应保守国家秘密，引用他人作品应给出来源。

　　(2) 文稿一般不超过6 000 字，综述稿不超过8 000 字，其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件，应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

　　 (3) 摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素，也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题，主要工作过程及所采用的技术手段和方法，研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250 字为宜。

　　 (4) 关键词以5～8 个为宜。为便于文献检索，应尽可能提供中图分类号。

　　 (5) 文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

　　 (6) 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。

　　 (7) 文稿中引用他人的成果，务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写（含标点符号）：

　　1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)［M］.出版地:出版者，出版年.起止页码.2) 译著:作者.书名［M］.译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

　　4) 会议论文集:作者.题名［C］// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

　　6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号［P］.公告日期或公开日期.

　　8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

　　（2）外文著者一律用姓在名前，采用首字母缩写（中国人用全名不缩写）。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。

　　 (9) 本刊编辑部将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知，作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用，本刊将酌付稿酬并赠送样刊。

　　（10）为扩大《半导体光电》的读者面与影响力，本刊已与《中国知网（CNKI）》独家签署了光盘出版和上网协议。作者若不同意刊登在本刊上的论文制作成光盘版或上网，请来稿时具体说明；若未说明者，本刊视为同意上网。光盘版和上网等的稿费已包含在本刊支付的稿费中。