台积电取得半导体装置专利实BBIN BBIN宝盈现更高效的半导体设备设计

　　界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“的专利，授权公告号CN220233202U，申请日期为2023年4月。

　　专利摘要显示，一种半导体装置，包括垂直配置在第一底鳍结构上方的第一组半导体层和垂直配置在第二底鳍结构上方的第二组半导体层，设置在基板上方的隔离绝缘层，包括设置在第一组半导体层和第二组半导体层之间的介电层的壁鳍，以及栅极结构。栅极结构包括环绕第一组半导体层中的每一个的第一栅极介电层，以及环绕第二组半导体层中的每一个的第二栅极介电层、设置在第一栅极介电层上方的多个第一导电层，以及设置在第二栅极介电层上方的多个第二导电层，以及设置在第一导电层和第二导电层上方的栅电极。