(1)28纳米或更成熟的数字或模拟逻辑半导体(即平面晶体管的栅极长度为28纳米或更长);
(2)半间距大于18纳米的DRAM或小于128层的NAND半导体,不使用新兴存储器技术,例如过渡金属氧化物、相位-改变与高级存储器制造相关的存储器、钙钛矿或铁磁体;或者
(2)具有后平面晶体管结构的半导体如FinFET或GAA结构和(3)以封装设施为目的,利用3D集成封装的半导体。
(b) 利用纳米材料的半导体,包括一维和二维碳同素异形体,例如石墨烯和碳纳米管;
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