BBIN BBIN宝盈《2010’全国半导体器件技术研讨会》纪要

　　7月16日上午，中国半导体行业协会分立器件分会赵小宁秘书长主持了研讨会开幕式、特邀报告和主题报告。中国半导体行业协会陈贤秘书长首先致开幕词，对来自全国各地的200多位代表表示热烈欢迎，期望研讨会取得圆满成功（见附件一）。工信部电子信息司关白玉副巡视员应邀发表了重要讲话，对半导体行业的发展作了非常重要的指示。

　　浙江半导体行业协会陈光磊秘书长和此次研讨会的承办单位―分立器件分会、专用集成电路国家级重点实验室和CETC第十三研究所的代表赵彦军副所长也在会上致辞，欢迎与会代表，预祝会议成功。

　　会议特别邀请了CETC第五十八研究所教授、中国工程院许居衍院士；CETC原副总经理、科技委副主任赵正平教授；电子科技大学张波教授分别作了《摩尔定律：一个范式，一种理念》、《RFMEMS的发展》和《功率MOSFET的研究与新发展》的报告，对与会代表有很大启发和指导意义（见《半导体技术》 2010年增刊）。

　　会议邀请了台湾大学光电所暨电机系冯哲川教授作题为《用于LED的宽禁带GaN、ZnO和相关半导体材料的MOCVD生长制备技术》的主题报告，许多与会者对冯教授的报告表现出了浓厚的兴趣，希望能建立合作关系。研讨会也为海峡两岸的学术技术交流创造了有利条件。

　　共计260余人出席了会议。会议共收到论文76篇，由于专业对口的原因，录用论文64篇（见附件二），55篇论文被收录在中文核心期刊、中国科技核心期刊《半导体技术》2010年增刊中，并在报到注册时发给了参会代表。47篇论文在会上进行了交流。分立器件分会作为会议的承办者之一，第一次将被录用的论文按照国家科技出版物标准以书面形式全文刊登在中文核心期刊、中国科技核心期刊上，是一次尝试。编辑部的同志们严格要求，付出了巨大的辛苦劳动，期望有利于更深入和广泛的交流，获得好的效果。

　　论文来自全国各地的高校、企业、研究所以及分立器件分会会员单位。论文涉及到用于电子装备的新型电力电子器件的设计、制造及其工艺技术；半导体激光器；LED；传感器；MEMS；半导体材料；器件制造工艺技术；微波器件和模块；款禁带器件技术；半导体设备；封装材料和封装技术；测试技术。反应了当前国内除集成电路和电力装备电力电子器件以外的几乎所有器件热门话题，从一个侧面反应了当前我国半导体技术发展的实际情况，对与会者和政府决策机构具有参考意义。

　　研讨会还进行了由全体参会者共同参与的“优秀论文”评选活动。经过投票，无锡华润华晶微电子有限公司魏峰等人的论文“功率VDMOS集成ESD防护设计”、浙江大学微电子和光电子研究所胡佳贤等人的论文“高压 VDMOS结终端技术研究”、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室高欣等人的论文“高功率半导体激光器的单光纤耦合输出”等十篇论文获得由中国半导体行业协会颁发的“优秀论文”证书。行业协会是民间组织，这项群众性的活动，不具备任何官方机构的权威性，但是体现了与会者对优秀科技成果的充分推崇和尊重，受到与会者的欢迎。

　　一周动态：涉及车辆160万辆！2023年我国共实施新能源汽车召回72次；广州增芯、燧原等项目“芯动态”（3月10日-15日）