第五章 半导体BBIN BBIN宝盈集团材料

　　其中的代表是SiC和Ge-Si合金。 SiC是一种宽带半导体， 可以制成p-n结并可制成 在500℃下工作的面接触型整流器，也可制成高温

　　息的储存、处理、加工及显示方面都有重要应用。 它是能源、信息、航空、航天、电子技术必不可

　　应用举例：GaAs和InAs主要应用在太阳能电池中； InAs还是一种光电导、光电磁或p-n结伏特效应的 近红外探测器的良好材料；InSb是制造红外线探 器和滤波器的良好材料。

　　Ⅱ－Ⅵ族化合物是由Ⅱ族元素(Zn、Cd、Hg)和Ⅵ 族元素(O、S、Se、Te)相互作用而成的。

　　特点：具有直接跃迁型能带结构，禁带范围较宽， 发光色彩比较丰富。另外，电导率变化范围也很 广，而且随温度升高可以使禁带宽度变小。

　　在同一半导体样品中，用不同的掺杂工艺使其一边 形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在 两种半导体交界面附近就形成了P－N结。

　　PN结的形成 由于P区的多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N区多 数载流子是电子，少数载流子是空穴，这就使交界面两侧明 显地存在着两种载流子的浓度差。因此，N区的电子必然越 过界面向P区扩散，并与P区界面附近的空穴复合而消失， 在N区的一侧留下了一层不能移动的施主正离子；同样，P 区的空穴也越过界面向N区扩散，与N区界面附近的电子复 合而消失，在P区的一侧，留下一层不能移动的受主负离子。 扩散的结果，使交界面两侧出现了由不能移动的带电离子组 成的空间电荷区，因而形成了一个由N区指向P区的电场， 称为内电场。随着扩散的进行，空间电荷区加宽，内电场增 强，由于内电场的作用是阻碍多子扩散，促使少子漂移，所 以，当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，将形成稳定的 空间电荷区，称为PN结。

　　薄膜半导体比体单晶优越之处： ① 固溶体的偏析，薄膜半导体可以极少偏析甚至完全 不偏析； ② 提高半导体纯度及晶体完整性； ③ 生长异质结，这是靠体单晶根本无法解决的问题； ④ 生长特殊结构，如超晶格结构、非晶硅薄膜等，这 也是无法靠体单晶解决的问题；

　　异质结：由两种不同的半导体材料组成的结。 三维电路：具有多层器件结构的集成电路，又称立 体集成电路。 现有的各种集成电路都是平面结构，即集成电路的

　　按其功能及应用： 微电子材料、光电半导体材料、热电半导体材料、 微波半导体材料、敏感半导体材料等；

　　非常纯且缺陷极少的半导体称为本征半导体。本征 半导体中导电的电子—空穴对是由热激活导致其共

　　目的电子n0和一定数目的空穴p0，它们由热平衡 决定。在光照下由价带激发电子至导带而产生电 子－空穴对，使电子密度增加△n，空穴密度增加 △p，多余的载流子称为非平衡载流子。

　　当电源正极接P区，负极 接N区时，称为给p-n结加 正向电压或正向偏置。结 果在电路中形成了较大的 正向电流。 当电源正极接N区、负极 接P区时，称为给p-n结加 反向电压或反向偏置。结 果在电路中形成了很小的 反向电流。

　　当电源正极接P区，负极接N区时，称为给pN结加正向电 压或正向偏置，如图Z0106所示。由于PN结是高阻区，而 P区和N区的电阻很小，所以正向电压几乎全部加在PN结 两端。在PN结上产生一个外电场，其方向与内电场相反， 在它的推动下，N区的电子要向左边扩散，并与原来空间 电荷区的正离子中和。同样，P区的空穴也要向右边扩散， 并与原来空间电荷区的负离子中和，使空间电荷区变窄。 结果使内电场减弱，破坏了PN结原有的动态平衡。于是 扩散运动超过了漂移运动，扩散又继续进行。与此同时， 电源不断向P区补充正电荷，向N区补充负电荷，结果在 电路中形成了较大的正向电流。而且随着正向电压的增大 而增大。

　　即使半导体中不存在任何杂质，也会由于热激发 使少数电子从价带热激发到导带底，产生所谓的 本征导电。

　　点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的 半导体晶片表面，通以脉冲电流，使金属丝一端与 晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。只 允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于 高频小电流电路，如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过 较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电 变换成直流电的“整流”电路中。

　　超晶格材料是两种不同掺杂的半导体薄膜或不同成 分的薄膜交替生长而成的周期性多层结构材料。 独特的物理特性：

　　晶格常数和禁带宽度在很宽的范围内连续可调、载 流子的迁移率和寿命较高、能产生隧道效应和独特 的光学特性等。

　　平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通 过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、 脉冲及高频电路中。

　　在光照下，若入射光子的能量大于禁带宽度，半导体PN 结附近被束缚的价电子吸收光子能量，受激发跃迁至导带 形成自由电子，而价带则相应地形成自由空穴。这些电子 一空穴对，在内电场的作用下，空穴移向P区，电子移向 N区，使P区带正电，N区带负电，于是在P区和N区之间 产生电压，称为光生电动势，这就是光电伏特效应。

　　该功能的器件就是整流器，一般由二极管构成，只是 还加入了滤波部分，使直流电更平滑稳定。

　　开关元件－二极管在正向电压作用下电阻很小，处于 导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压下，

　　用作高效率的半导体整流器，在p－n结的 基础上发展了晶体管技术。还可以利用n区 与p区之间产生的电势差－光电伏特效应发 展效率较高的半导体光电池。

　　二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和N型半导体形成的p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。 当不存在外加电压时，扩散电流和飘移电流相等，而处 于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相 抵消作用使载流子的扩散电流增加而产生正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场使自建电场进一步 加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压无关 的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层 中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生 大量电子空穴对，产生数值很大的反向击穿电流，称为 二极管的击穿现象。

　　主要依靠电子导电的半导体，称为n型半导体。 (2) P型半导体 含受主杂质的半导体，由于价带中有些电子激发到 受主能级而产生许多空穴，这种主要依靠空穴导电 的半导体，称为p型半导体。

　　这是由第Ⅲ和第Ⅴ 族元素形成的金属间化合物半导 体。 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的特点： ① 禁带宽度比硅大，因此，具有优良的热稳定性和 耐辐射性。 ② 大多数Ⅲ－Ⅴ族化合物的电子迁移率比硅大，故 具有适于高频、高速开关的优点。 ③ 在Ⅲ－Ⅴ族化合物中，各种化合物间可形成固溶 体，因而可制成禁带宽度、点阵常数、迁移率等连 续变化的半导体材料。

　　Si、Ge、B、Se、Te以及S、P、As、Sb、Sn等的 同素异形体。 硅在整个半导体材料占绝对优势。目前，90％以 上的半导体器件和电路都是用Si来制作的。 硅材料的发展趋势： （1）提高硅的纯度,杂质含量＜10-9； （2）单晶硅的直径越做越大； （3）发展多晶硅。

　　二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路 中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

　　硅二极管 根据用途：整流二极管、开关二极管、稳压二极 管、检波二极管等。 按照管芯结构: 点接触型二极管、面接触型二极管 及平面型二极管。

　　整流二极管－利用二极管的单向导电性，可以把方向 交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。

　　化合物半导体最大的优点：可按任意比 例组合两种以上的化合物半导体，因此， 材料选择的自由度显著增大，为材料的设 计带来便利。

　　在半导体中，可通过引入杂质产生载流子。掺入 杂质后所产生的额外能级处于禁带中间，并对实 际半导体的性能起决定性作用。

　　根据对导电性的影响，杂质态可分为施主杂质和 受主杂质，相应地两者所产生的额外能级分别为 施主能级和受主能级，并最终引出两种杂质半导 体，即n型半导体和P型半导体。

　　如Si/Al2O3、GaS/Si、GaAlAs/GaAs； ③ 超晶格薄膜－两种不同掺杂的半导体薄膜或不同成分

　　当电源正极接N区、负极接P区时，称为给PN结加反 向电压或反向偏置。反向电压产生的外加电场的方向与 内电场的方向相同，使PN结内电场加强，它把P区的多 子（空穴）和N区的多子（自由电子）从PN结附近拉 走，使PN结进一步加宽， PN结的电阻增大，打破了 PN结原来的平衡，在电场作用下的漂移运动大于扩散 运动。这时通过PN结的电流，主要是少子形成的漂移 电流，称为反向电流。由于在常温下，少数载流子的数 量不多，故反向电流很小，而且当外加电压在一定范围 内变化时，它几乎不随外加电压的变化而变化，因此反 向电流又称为反向饱和电流。