《半导体技术》杂志BBIN BBIN宝盈

　　杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术

　　介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1 μ m特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势.

　　1前言 射频识别(RFID)技术是从上世纪80年代走向成熟的一项自动识别技术,近年来发展十分迅速.RFID技术可以用来识别和跟踪几乎所有物理对象,并由此可以构建一个容纳和连结世界上所有物品的广泛的智能网络,RFID技术发展带来的影响将改变我们的生活,给全世界带来一场新的技术革命.

　　作者：孙禹辉; 康仁科; 郭东明; 金洙吉; 苏建修刊期：2004年第04期

　　目前半导体制造技术已经进入0.1 3μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋...

　　建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的R.缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义.

　　介绍了半导体晶片制造设备溅射机和溅射工艺对晶片碎片的影响,给出了如何减少晶片应力以达到少碎片的目的.

　　简要介绍了当前半导体生产中对电子显微镜缺陷再检测(Defect Review SEM,DRSEM)系统的要求,以及应用材料公司针对这些要求推出的新一代DRSEM系统--SEMVisionG2 FIB的各种主要功能及其在半导体生产线上的应用.

　　作者：王水弟; 蔡坚; 谭智敏; 胡涛; 郭江华; 贾松良刊期：2004年第04期

　　介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究.凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺.同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻...

　　I2C总线是最早由PHILIPS公司推出的新一代串行扩展总线,广泛应用于IC器件之间的连接.本文在分析了I2C总线的工作原理及其特点后,通过对台湾CERAMATE公司生产的2Kbits的串行EEPROM芯片24LC02的测试实例分析,提出了I2C总线应用下的EEPROM的一般测试方法.

　　简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景.

　　1简介 高速串行总线结构的出现并且越来越广泛的被使用已使其成为并行结构的可替代技术(见图1).

　　薄/超薄芯片的碎裂占据IC卡早期失效的一半以上,其失效模式、失效机理亟待深入研究.本文分析了芯片碎裂的失效模式和机理,并结合实际IC卡制造工艺以及IC卡失效分析实例,就硅片减薄、划片、顶针及卡片成型工艺对薄IC芯片碎裂的影响进行深入探讨.

　　作者：鲁鹏程; 崔碧峰; 郭伟玲; 邹德恕; 沈光地刊期：2004年第04期

　　介绍了ANSYS有限元软件在半导体激光器热特性模拟中的应用,计算了一个单量子阱980nm半导体激光器在脉冲下的瞬态热分布图,结果表明使用ANY软件进行热分析可以做到模型建立便捷,施加载荷直观,求解速度快,图形显示功能强大,可以推广到各类半导体激光器件的热学特性分析中去.

　　采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.

　　为了提高可见光CCD图像传感器的填充因子从而提高CCD的信噪比,在石英基片上制作了516×516元的微透镜阵列.本文对石英微透镜阵列的制作工艺过程进行了详细讨论.最后的测量结果表明所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓和较好的几何尺寸均匀性.其实测有效孔径比可达到92.8%,极大提高了微透镜阵列的聚光效率.