BBIN BBIN宝盈集团半导体光电材料与器件研究

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　　厦门大学是最早创立国家半导体学科的五校联盟之一，具有雄厚的学科基础，为瞄准国际科学前沿与国家战略需求，凝聚了一支有持续创新能力的研究队伍，致力于半导体光电材料及其器件研究，拥有先进的半导体材料生长和器件加工与表征设备，如MOCVD、8英寸SiC外延系统、UHV-CVD、MBE、电子束蒸发仪、光刻机等，在Ge、Si、AlGaN、SiC、ZnO等材料及其器件研发方面已形成较强的国内优势，为我校物理学、材料科学进入全球ESI世界前1%作出了重大贡献。同时，该学科致力于产学研相结合，引领福建省光电产业的发展。

　　半导体学科承担了国家重大基础性、战略性和前瞻性的多项研究任务，取得了丰硕的成果。研究方向有：（1）高性能Micro-LED芯片与显示；（2）深紫外光电材料和器件；（3）大尺寸SiC外延和功率电子器件；（4）硅基光电子材料和器件；（5）氧化物半导体材料和器件；（6）超宽禁带半导体材料和器件；（7）半导体的量子态调控及输运；（8）二维半导体材料和器件；（9）能量转换材料与器件；（10）新型半导体结构中的光-物质相互作用。

　　宽禁带半导体材料、金属纳米线功能材料，二维半导体薄层材料；新型深紫外LED、高灵敏探测器、多维传感器、智能器件、柔性可穿戴器件芯片及应用；先进纳米微观表征技术；生物蛋白质分子荧光材料研发；微观结构材料模拟计算等。

　　III族氮化物半导体材料, 二维半导体BN合成, 金属纳米线材料等方面的研究

　　凝聚态物理、半导体材料物理、表面和界面物理、量子结构材料物理、微电子学与固体电子学、大功率LED、深紫外LED、新型太阳能电池

　　基于FPGA的高性能计算、图像识别检测、随机数发生器设计与测试、碳基半导体材料与器件

　　1.宽禁带半导体光电器件 2.新型量子结构与器件应用 3.石墨烯及类石墨烯二维材料 4.表面界面物理、自旋电子学

　　1. 宽禁带半导体SiC基MOSFET、IGBT等功率器件研究 2. 宽禁带半导体紫外光电探测器研究 3. 宽禁带半导体深能级缺陷与少子寿命研究