, 而据说,光谱纯的水是不导电的,那么,有没有人试过,把超净水缓缓凝结变成单晶超纯冰,测测它的 介电常数,压电效应,磁导率,禁带宽度和电子迁移率 呢?!...
在固态开关中,开关功率限制与半导体材料有源区的阻抗变化有关,取决于瞬时电压(偏置电压和高频电压的总和)。通过信号的非线性失真可能会随着输入功率的增加而增加。...
本文集整理了常见电力电子器件(如:二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件)基础理论及应用参考书籍,还有第三代半导体器件(如:碳化硅和氮化镓)的研究著作。...
1、二极管 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性元器件,产品结构一般为单个PN结结构,只允许电流从单一方向流过。...
由于制造资料和构造不同,电阻有许多品种,常见的有碳膜电阻器、金属膜电阻器、有机实芯电阻器、线绕电阻器、额定抽头电阻器、可变电阻器、滑线式变阻器和片状电阻器等。...
宽禁带材料简介: 宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料,以I-V族材料SiC等最为常见。...
10 反向饱和漏电流IR 指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。...
开关型功率放大器(Switching Mode PA,SMPA),使电子器件工作于开关状态,常见的有丁(D)类放大器和戊(E)类放大器,丁类放大器的效率高于丙类放大器。...
体管 GaN 固有的材料属性如何创造卓越的射频晶 从概念上讲,使用 GaN 构建的场效应晶体管 (FET) 与使用其他半导体材料(如 GaAs、磷化铟 (InP) 或 Si)构建的使用栅极触点或节点的晶体管类似...
从概念上讲,使用 GaN 构建的场效应晶体管 (FET) 与使用其他半导体材料(如 GaAs、磷化铟 (InP) 或 Si)构建的使用栅极触点或节点的晶体管类似。...
吸收开关为未选择的臂提供一个终止(最常见的是50 ),通常以增加插入损失为代价。无论交换机模式如何,吸收式交换机在每个端口上都有良好的驻波比。 反射开关将未使用的端口未终止。...
由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N 衬底上外延一高阻N-薄层。...
图1.变容二极管的常见符号 由于独特的压控性能,变容二极管主要用于高频电路的自动调谐、调频、调相等、最常见的应用例子是电视机调谐器、FM收音机调制电路,还有热敏晶振等压控振荡器件。...
最常见的单片放大器设计类型是多级、共源、基于晶体管的设计,也称为级联放大器设计。在这里,每一级的增益都成倍增加,从而导致高增益并允许我们增加输出晶体管的尺寸以增加 RF 功率。...
开关型功率放大器(Switching Mode PA,SMPA),使电子器件工作于开关状态,常见的有丁(D)类放大器和戊(E)类放大器,丁类放大器的效率高于丙类放大器。...
由于以太网多样性和复杂性,如入网设备可能是常见的交换机、路由器,也可能是网络摄像头、服务器或者其他专用设备,而网络走线长度也从数十厘米到最长100米,不确定的网络环境为每个接入设备带来了威胁,例如ESD...
一般分为8位,16位和32位,不同位数对应不同的细分领域:8位单片机常见的应用产品如:计算器、玩具、计量秤、充电器、温湿度计、遥控器、马达控制器、键盘等;16位到32位MCU主要应用于智能家居、物联网、...
GaN技术的发展及应用 第三代半导体材料GaN是宽禁带半导体的核心代表,较高的禁带宽度决定了由其制造的半导体器件可以在高压、高温的环境中正常工作。...
市场动态半导体生产材料技术封装测试工艺设备光伏产业平板显示电子设计电子制造视频教程
Copyright © 2012-2023 bbin 版权所有 备案号:吉ICP备2021005409号