BBIN BBIN宝盈集团常见半导体材料英文名称及其特性参数

　　在半导体日常交流中，常有材料英文名称误用发生。例如SiC，误读为Silicon Carbon，但这样译作中文应为“碳硅”，而不是“碳化硅”。对应碳化硅，体现“化”字的英文应为Silicon Carbide。本文总结常见半导体材料的中英文，并列出主要半导体材料的特性参数，以便查阅。

　　由图2中元素单独或与其他元素组合构成的半导体材料名称及其主要特性参数如图3所示。

　　第一代半导体材料：硅(Si)主要应用于大规模集成电路中，目前99%以上的集成电路和95%的半导体器件都由Si材料制作；诸(Ge)主要应用于低压、低频、中功率晶体管及光电探测器中。

　　第二代半导体材料：适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件、是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、GPS导航等领域。

　　第二代半导体材料：具备应用于光电器件、微波器件和电子电力器件的先天性能优势，广泛应用于新能源汽车、消费电子、光伏、风电、半导体照明、导弹和卫星等领域。

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