半导体BBIN BBIN宝盈集团、微电子专业英语单词

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　　16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)

　　25. Autodoping：自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层)

　　32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。

　　37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。

　　38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。

　　39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。

　　42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。

　　44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线. Correlation：相关性。

　　48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。

　　49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。

　　51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。)

　　52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。

　　54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。

　　56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。

　　57. develop：显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程)

　　59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源

　　61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。

　　62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。

　　63. dielectric：Ⅰ)介质，一种绝缘材料; Ⅱ)用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。

　　64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。

　　65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。

　　67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。

　　68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。

　　69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。

　　70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。

　　73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。

　　76. field-effect transistor(FET)：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。

　　133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应

　　146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构

　　148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象

　　149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。

　　150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。

　　151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光刻胶暴光。

　　153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。

　　160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。

　　172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。

　　173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。

　　174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。

　　175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。

　　176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。

　　177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。

　　178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。

　　180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。

　　181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)。

　　182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。

　　183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。

　　186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。

　　188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。

　　190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。

　　193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。

　　197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。

　　201. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。

　　203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。

　　205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。