1章 常用半导体器件BBIN BBIN宝盈集团图50591ppt

　　第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和可控硅 1.6 集成电路中的元件 1.1 半导体基础知识 图1.1.1 本征半导体结构示意图 图1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 图1.1.3 N型半导体 图1.1.4 P 型半导体 图1.1.5 PN结的形成 图1.1.6 PN结加正向电压时导通 图1.1.7 PN结加反向电压时截止 图1.1.8 PN结平衡时载流子的分布 图1.1.9 外加正向电压时PN结载流子的分布 图1.1.10 PN结的伏安特性 图1.1.11 PN结的势势垒电容 图1.1.12 P区少子浓度分布曲线 本征半导体结构示意图 图1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 图1.1.3 N型半导体 图1.1.4 P型半导体 图1.1.5 PN结的形成 图1.1.6 PN结加正向电压时导通 图1.1.7 PN结加反向电压时截止 图1.1.8 PN结平衡时载流子的分布 图1.1.9 外加正向电压时PN结载流子的分布 图1.1.10 PN结的伏安特性 图1.1.11 PN结的势垒电容 图1.1.12 P区少子浓度分布曲线 二极管的几种外形 图1.2.2 二极管的几种常见结构 图1.2.3 二极管的伏安特性 图1.2.4 由伏安特性折线 二极管加正向电压的情况 图1.2.6 例1.2.1 电路图 图1.2.7 二极管的微变等效电路图 图1.2.8 直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路 图1.2.9 图1.2.8 所示电路的波形分析 图1.2.10 稳压管的伏安特性和等效电路 图1.2.11 稳压管稳压电路 图1.2.12 发光二极管 图1.2.13 光电二极管的外形和符号 图1.2.14 光电二极管的伏安特性 图1.2.15 例图1.2.3 电路图 图1.2.1 二极管的几种外形 图1.2.2 二极管的几种常见结构 图1.2.3 二极管的伏安特性 图1.2.4 由伏安特性折线 二极管加正向电压的情况 图1.2.6 例1.2.1 电路图 图1.2.7 二极管的微变等效电路图 图1.2.8 直流电压源和交流电压源 同时作用的二极管电路 图1.2.9 图1.2.8 所示电路的波形分析 图1.2.10 稳压管的伏安特性和等效电路 图1.2.11 稳压管稳压电路 图1.2.12 发光二极管 图1.2.13 光电二极管的外形和符号 图1.2.14 光电二极管的伏安特性 图1.2.15 例图1.2.3 电路图 1.3 双极型晶体管 图1.3.1 晶体管的几种常见外形 图1.3.2 晶体管的结构和符号 图1.3.3 基本共射放大电路 图1.3.4 晶体管内部载流子运动与外部电流 图1.3.5 晶体管的输入特性曲线 晶体管的输出特性曲线 晶体管的极限参数 图1.3.8 温度对晶体管输入特性的影响 图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响 图1.3.10 光电三极管的等效电路、符号和外形 图1.3.11 光电三极管的输出特性曲线 晶体管的几种常见外形 图1.3.2 晶体管的结构和符号 图1.3.3 基本共射放大电路 图1.3.4 晶体管内部载流子运动与外部电流 图1.3.5 晶体管的输入特性曲线 晶体管的输出特性曲线 晶体管的极限参数 图1.3.8 温度对晶体管输入特性的影响 图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响 图1.3.10 光电三极管的等效电路、符号和外形 图1.3.11 光电三极管的输出特性曲线 结型场效应管的结构和符号 图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图 图1.4.3 uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用 图1.4.4 UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 图1.4.5 场效应管的输出特性 图1.4.6 场效应管的转移特性曲线 N沟道增强型MOS管结构示意图及增强型MOS的符号 图1.4.8 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响 图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线 N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号 图1.4.12 N沟道增强型VMOS管的结构示意图 图1.4.13 场效应管的符号及特性 图1.4.14 例 1.4.1 输出特性曲线 电路图 图1.4.1 结型场效应管的结构和符号 图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图 图1.4.3 uDS ＝0时uGS对导电沟道的控制作用 图1.4.4 UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 图1.4.5 场效应管的输出特性 图1.4.6 场效应管的转移特性曲线 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号 图1.4.8 uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响 图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线 N沟道耗尽型MOS管结构 示意图及符号 图1.4.12 N沟道增强型VMOS管的结构示意图 图1.4.13 场效应管的符号及特性 图1.4.14 例 1.4.1 输出特性曲线 电路图 1.5 单结晶体管和可控硅 图1.5.1 单结晶体管的结构示意图和等效电路 图1.5.2 单结晶体管特性曲线 单结晶体管组成的振荡电路 图1.5.4 晶闸管的外形 图1.5.5 晶闸管的结构、等效电路和符号 图1.5.6 晶闸管的工作原理 图1.5.7 晶闸管的伏安特性曲线 单结晶体管的结构示意图和等效电路 图1.5.2 单结晶体管特性曲线 单结晶体管组成的振荡电路 图1.5.4 晶闸管的外形 图1.5.5 晶闸管的结构、等效电路和符号 图1.5.6 晶闸管的工作原理 图1.5.7 晶闸管的伏安特性曲线 集成电路中的元件 图1.6.1 基片与管芯图 图1.6.2 集成电路的剖面图及外形 图1.6.3 PN结隔离的制造工艺 图1.6.4 在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图 图1.6.5 集成电路中的NPN型管 图1.6.6 多发射极管的结构与符号 图1.6.7 多集电极管的结构与符号 图1.6.8 CMOS电路 图1.6.1 基片与管芯图 图1.6.2 集成电路的剖面图及外形 图1.6.3 PN结隔离的制造工艺 图1.6.4 在隔离岛上制作NPN型管 的工艺流程及剖面图 图1.6.5 集成电路中的PNP型管 图1.6.6 多发射极管的结构与符号 图1.6.7 多集电极管的结构与符号 图1.6.8 CMOS电路 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 * 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 *

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