半导体的基本BBIN概念（一）

　　一、半导体的基本概念半导体：导电能力介于导体和绝缘体间。主要考虑四价元素和III-V族元素，如下图所示： 其中Si和Ge的单晶被称为本征半导体，每一个原子均和周边的四个原子构成四个共价键。 本征半导体在热力学温度T=0开尔文和外界无影响（光照等）情况下，价电子均被束缚在共价键中，不会存在自由电子的移动。当发生下面两种情况：温度升高； 光线照射； 共价键中的自由电子会欧聪外界获得能量，挣脱共价键的束缚，离开原子，成自由电子...

　　资料，如下： 1、芯片制造 2、芯片设计 3、芯片企业合集 4、芯片封装测试 5、

　　也会产生空穴。 自由电子带负电，空穴相对来说带正电。 复合:自由电子做自由运动又撞进空穴

　　过程就是复合。 本征激发与温度有关，温度越高运动越剧烈，复合与自由电子浓度有关，自由电子浓度越高相应复合也越激烈。 杂质

　　室温时电阻率约在1mcm～1Gcm之间

　　些电子元器件，怎么可以进行数学运算呢？我们做数学题如37+45是...

　　导电能力受温度、光照、BBIN bbin掺杂等多种因素影响： 热敏特性、光敏特性、掺杂特性 2.2 本征

　　正向导通： PN结加上正向电压称为正向偏置，即P区加电源正极，N区加电源负极。外部电场PN PN

　　空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度. “P”表示正电

　　，它们通常都具有高击穿电场、BBIN bbin高热导率、高迁移率、BBIN bbin高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点。 但是，很多人容易被“第三代”

　　导电能力介于绝缘体和导体之间，并且会随温度、光照或参入某些杂质而会发生显著变化。

　　束缚，成为自由电子，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 1.1、本征

　　结缘体 10-3cm 10-3cm 109cm 109cm

　　些重要性质 温度特性：当温度升高时，其导电能力显著提升； 例如：纯硅，当温度从30C下降到20C，其电阻率提高

　　(如放大与振荡、调制与解调、直接探测与外差探测、倍频、和频与差频等等)几乎都移植到了光频段。电子学与光学之间