BBINSiC功率器件

　　查找您下一个设计所需要的一切。只需选择一个应用，然后单击以查看框图，即可找到我们的半导体解决方案。

　　与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器BBIN bbin件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该BBIN bbin特性，其将成为有助于降低BBIN bbin能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。

　　东芝的1200V SiC MOSFET产品，可提供高速开关和低导通电阻，使其在高功率、高效率的工业电源、低损耗的太阳能逆变器和UPS产品中脱颖而出。

　　东芝提供额定电流为2A至10A的650V碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）。

　　我们的SiC MOSFET模块具有高速开关性能，并使用SiC（碳化硅），这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料，适用于工业电源转换器，例如电力铁路的逆变器和光伏逆变器。

　　解决环境和能源问题是一个重要的全球性问题。随着电力需求持续升高，对节能的呼声以及对高效、紧凑型电力转换系统的需求也迅速增加。

　　东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

　　东芝推出采用DPAK表面贴装型封装的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管