目前月产能为3万片,其中汽车IGBT月产能约2万片,一期项目达产后可月增3万片8英寸中低压组件基材产能,用于新能源汽车,产能仍具翻倍空间
控股子公司中车时代达法雷奥定点要求并将向其供应电驱系统的IGBT模块,项目周期4年,2023年开始量产,总交货量预计超250万台,将首先应用于雷诺某车型
先进中低压/高压MOSFET在5G通信、充电桩、工业控制(光伏及新能源汽车)领域实现批量销售
前三季度IGBT收入同比增长约168.5%,批量供应汽车空调市场头部客户,其中光伏IGBT在全球头部客户认证通过并批量供应
SiC二极管批量供货并进入头部客户,1200V/650V平台已化30余颗产品
SiC MOSFET第一代产品已在650V/1200V/1700V多平台系列化多颗产品,通过新能源汽车OBC应用测试,已开始批量供应
募投项目规划了包括年产30万片6寸高压IGBT晶圆、6万片6寸SiC晶圆和400万个功率模块在内的产能
2022上半年新增多个使用车规级SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点
三季度车主驱用SiC MOSFET模块已开始批量装车应用,搭载于小鹏G9等
第七代微沟槽车规级650V/750V IGBT芯片通过验证,预计下半年批量供货
与华虹宏力、华润上华合作生产MOSFET、IGBT产品,与日月光、成都集佳签订IGBT封测产能协议
子公司金兰半导体第一条IGBT模块封测产线mohmSiC MOSFET样品通过可靠性评估,下半年送样测试
推出20V低侧栅极驱动、600V半桥栅极驱动、40V互补推挽式栅极驱动芯片,下半年起量
全球首款1200V 100A光伏用单管IGBT正首轮工程流片,23年预计送样光伏、储能客户,未来将陆续推出120A、150A等全系列
发布可转债预案,拟募集4.5亿元并5.07亿元用于车规级功率半导体分立器件生产项目,达产后将年产车规级功率半导体器件840万块,预计建设周期为3年
820A/400A 750V IGBT模块、M5i微沟槽650V单管、逆变器用80A模块已获验证并批量交付,下半年IGBT模块并入自动化线A SiC模块在研,外采SiC封测模块已批量出货
首颗M7i微沟槽1200V的IGBT产品通过客户认证并获得小批量订单,中大电流规格预计22年下半年出样,23年开始全面出货
士兰集昕已启动实施年产36万片12英寸芯片生产线寸二期项目在建,加快SGT-MOS、高压超结MOS、IGBT、高压集成电路等上量,2022年上半年总产出22.17万片,已释放5万片月产能,实际月产出达4.7万片,四季度有望达6万片/月
成都士兰电动车主驱模块已在多家客户通过测试,具备年产智能功率模块1.3亿只、工业和汽车级功率模块150万只、功率器件10亿只MEMS传感器2亿只、光电器件4000万只的封装能力,并已规划年产720万块汽车级功率模块封装项目,预计年底达8-10 万,23年4月可实现15万
士兰明镓规划SiC MOSFET芯片12万片/年、SiC SBD芯片2.4万片/年,已初步通线片月产能
第一代平面栅SiC MOSFET技术开发完成,已封装到汽车主驱功率模块上,即将送样
楚微半导体一期已有1条月产1万片的8英寸线英寸Si基芯片产线英寸SiC 基芯片产线V Trench IGBT芯片对应IGBT系列模块持续投放
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