东莞森烁BBIN BBIN宝盈科技有限公司

　　为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从调试级硅片（Dummy Wafer）,测试级硅片（Test Wafer）等，尺寸覆盖2寸—12寸,并可提供半导体硅片单面/双面抛光、减薄、切割、氧化镀膜等加工和定制服务。

　　为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从调试级硅片（Dummy Wafer）,测试级硅片（Test Wafer）等，尺寸覆盖2寸—12寸,并可提供半导体硅片单面/双面抛光、减薄、切割、氧化镀膜等加工和定制服务。

　　区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶，保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶体管（GTR）、晶闸管（GRO）、静电感应晶闸管（SITH）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超高压二极管（PIN）、 智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等。

　　为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从调试级硅片（Dummy Wafer）,测试级硅片（Test Wafer）等，尺寸覆盖2寸—12寸,并可提供半导体硅片单面/双面抛光、减薄、切割、氧化镀膜等加工和定制服务。

　　本公司可以为客户提供多种规格、高质量的SOI硅片（Silicon On Insulator——绝缘体上硅），适用于客户包括MEMS，功率器件，压力传感器和CMOS集成电路制造的广泛应用。

　　硅片的热氧化层是在有氧化剂的高温条件下在硅片的裸片表面形成的氧化层或者二氧化硅层。硅片的热氧化层通常在水平管式炉中生长而成，生长温度范围一般为900℃~1200℃，有“湿法氧化”和“干法氧化”两种生长方式。

　　碳化硅晶片主要用于肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、双极结型晶体管、晶闸管、可关断晶闸管和绝缘栅双极型晶体管的制作。

　　东莞市森烁科技有限公司自2010年成立以来，专注于半导体单晶硅材料及其制品研发、生产和销售，公司拥有先进的具备自主知识产权的核心技术和工艺，配备优良的生产、检测设备和管理系统，为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从调试级硅片（Dummy Wafer）,测试级硅片（Test Wafer）等，尺寸覆盖2寸—12寸,并可提供半导体硅片单面/双面抛光、减薄、切割、氧化镀膜等加工和定制服务。 由于重视客户满意度及质量至上，因此我们持续创新、改善、提升经营绩效。除了积极地与国内外知名厂家合作，研发先进技术并且取得质与价皆优的产品。我们的产品可以应用于监控机台运作参数及提高制程维持良率，并且可以降低成本及兼具环保节能。

　　单晶硅作为一种比较活泼的非金属元素晶体，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。

　　区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶，保证了器件制作的成品率和一致性。

　　砷化镓（gallium arsenide），化学式GaAs，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，由砷和镓两种元素化合而成，外观呈亮灰色

　　SOI晶圆为高速和低功耗器件提供了良好的解决方案，被广泛认为是高压和RF器件的新解决方案。

　　研磨：切片后需要通过研磨来去除切割面的损伤层，以保证硅片表面的质量，大概去除50um。

　　碳化硅晶片主要用于肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、双极结型晶体管、晶闸管、可关断晶闸管和绝缘栅双极型晶体管的制作。