BBIN第三代半导体大涨292% 产业发展进入历史窗口期

　　2022年上半年，受俄乌军事冲突和疫情反复影响，国内外经济均面临下行压力，半导体产业呈现波动下行态势。

　　一方面，全球发达国家采用空前力度加大半导体资金投入，半导体产业链、供应链的本土化和自主可控发展趋势明显，半导体产业战略性愈发突出。

　　另一方面，第三代半导体产业发展进入历史窗口期，材料和器件快速产业化、下游新能源汽车、光伏市场快速增长，上游晶圆供不应求，快速导入市场，行业整体保持较好增长态势。

　　第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表。和Si、GaAs等第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。

　　因此相较于传统硅基器件，采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅体积小重量轻，同时还具备更高的功率输出密度、更高的能量转换效率，可以显著提升系统装置的性能。

　　其中，碳化硅器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。

　　氮化镓器BBIN bbin件具备高开关频率、耐高温、低损耗等优势，可用于制作功率、射频、光电器件，广泛应用于消费电子、新能源车、国防、通信等领域。

　　据市调机构TrendForce数据显示，2021年第三代半导体需求强劲，其中GaN功率元件全年营收将达8300万美元，同比增长73%，预计到2025年市场规模将达8.5亿美元，2020-2025年复合增长率达78%。SiC功率元件方面，预计市场规模至2025年将达33.9亿美元，2020-2025年复合成长率达38%。

　　国产替代势在必行，我国已将“集成电路领域要取得碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的发展”写进“十四五规划”，未来该领域将是我国突破美国科技封锁，实现弯道超车的重要方向。

　　不过，GaN及SiC衬底价格相较传统8英寸、12英寸Si衬底高出5-20倍不等，成本端依然是考量第三代半导体大规模应用的关键因素，且产能仍集中于美国科锐及贰陆、日本罗姆、欧洲意法半导体等IDM，中国厂商正在加速国产化进程。

　　国内布局SiC的上市公司从产业链角度可以分为5类：1)专注衬底材料，如天岳先进和天科合达(中止IPO);

　　在GaN领域，包括GaN衬造商苏州纳维、东莞中镓;外延制造商晶湛半导体、江苏能华;设计企业安谱隆、海思半导体;制造企业三安集成、海威华芯等。

　　此外，新进入厂商不只有传统功率半导体厂商，更多的是做射频器件出身或者有军工背景的企业进入GaN领域，如主营军工电子的亚光科技，主营TR组件及射频模组的国博电子。

　　业内人士认为，第三代半导体材料凭借性能优势已在消费电子、工业和新能源汽车等领域批量使用。随着更大规模化的生产和应用，性价比进一步提高以后，产品的渗透率将更高，整个产业将快速发展，未来的胜出者将是有技术积累和创新能力的企业。

　　证券之星估值分析提示金溢科技盈利能力良好，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价偏高。从短期技术面看，近期消息面一般，主力资金有介入迹象，短期呈现震荡趋势，市场关注意愿一般。更多

　　证券之星估值分析提示中瓷电子盈利能力良好，未来营收成长性良好。综合基本面各维度看，股价偏高。从短期技术面看，近期消息面一般，主力资金有流出迹象，短期呈现震荡趋势，市场关注意愿一般。更多

　　证券之星估值分析提示天富能源盈利能力较差，未来营收成长性较差。综合基本面各维度看，股价偏高。从短期技术面看，近期消息面一般，主力资金有大幅介入迹象，短期呈现震荡趋势，市场关注意愿一般。更多

　　板块异动 上海正在推动自动驾驶相关法律法规的建设和完善 汽车整车板块尾盘异动

　　智通财经APP获悉，9月2日，受上海正在推动自动驾驶相关法律法规的建设和完善消息影响，A股汽车整车板...

　　板块异动 银保监会副主席周亮称保障房地产融资平稳有序 房地产板块异动拉升

　　智通财经APP获悉，9月2日，受银保监会保障房地产融资平稳有序消息影响，A股房地产板块异动拉升，截至...

　　以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的在于传播更多信息，证券之星对其观点、判断保持中立，不保证该内容（包括但不限于文字、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议，据此操作，风险自担。股市有风险，投资需谨慎。如对该内容存在异议，或发现违法及不良信息，请发送邮件至，我们将安排核实处理。