1、一样。电流(密度)一样的话,那么单位面积截面、单位时间里通过的电荷数是一样的。半导体虽然从导电机制上区分有两种载流子,但是空间上空穴过来等同于电子过去,只看物质上实际存在的电子,流经数目当然是一样的。
2、会有雪崩效应。只是非常高掺杂的突变结,势垒区宽度小,不利于雪崩流程里最重要的加速、倍增(电场强但是倍增不了也没用),所以从零开始加大反偏电压时,齐纳击穿会先变得很明显,此时雪崩击穿还并不明显,所以认为齐纳击穿是主要击穿机制。
任何导体和半导体电流的载体都是电子,至于是否相同电流,一个简单的例子一个通电的二极管,二极管有半导体,还有导线。
齐纳管当然也会存在雪崩效应,两个击穿会同时存在,只是在不同掺杂或电压下比例不同罢了。
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