BBIN什么是半导体芯片？

　　资料来源：认识半导体芯片，还要先从半导体材料开始。以硅材料为代表的BBIN bbin第一代半导体材料目前仍然是最主要的半导体器件材料。但是硅材料带隙(禁带)较窄和击穿电场较低等物理属性的特点限制了其在光电子领域和高频高功率器件方面的应用。20世纪90年代以来，随着无线通信的飞速发展和以光纤通信为基础的信息高速公路与互联网的兴起，以砷化镓(GaAs)和磷化铟(IBBIN bbinnP)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。  目前GaAs几乎垄断了手机制造中的功放器件市场。第三代半导体材料的兴起，是以GaN(氮化镓)材料P型掺杂的突破为起点，以高亮度蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器研制成功为标志的。GaN(氮化镓)半导体材料的商业应用研究开始于1970年，其在高频和高温条件下能够激发蓝光的独特性质，从一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。  但是GaN的生长技术和器件制造工艺直到近几年才取得了商业应用的实质进步和突破。GaN的优点是禁带宽度大、电子漂移速度大、高热传导率、高耐压、耐热分解、耐腐蚀、耐放射线辐照等，特别适合于超高频、高温、高耐压、大功率器件。可见，利用氮化镓在电流通过时可发出较强蓝色，并且在其中加入适量的铟元素后还可改变其发光颜色的特性，即可用照明领域。  利用其制成可于照明的器件就是半导体芯片。

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