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吴玲:中国化合物半导体产业发BBIN BBIN宝盈展的四大机遇

发布日期:2023-04-20 15:51 浏览次数:

  集微网报道 4月19日-21日,“2023中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会”在武汉光谷举行。

  在今日的开幕式上,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲作了题为《化合物半导体产业发展战略思考》的主旨演讲,就产业发展目前的形势,存在的问题,面临的挑战等方面的问题分享了观点看法。

  吴玲指出,新一轮科技和产业变革将颠覆性影响人类未来发展,改变生产、生活、思维方式,重塑生产关系和经济模式。

  如今,颠覆性技术正在不断涌现,包括基于新原理的新材料、新器件、同质异质、同构异构集成、“AI+”和AI for Science等。由此带来生成式AI、太空技术、低碳技术、基因生物技术等。而在这些众多技术中,半导体是核心底层技术,国际半导体新趋势则是电子、光子和量子集成及耦合。

  吴玲认为,当前正值全球半导体格局重塑的历史关键期,形成了新材料驱动的半导体发展新战略,第三代半导体将成为保障国家安全的战略物资基础,并支撑经济的高质量发展。

  在化合物半导体方面,吴玲指出,经过多年发展,我国技术实力提升,市场快速启动,形成了较为完整的产业链。经过十二五、十三五的努力,基本解决了有无问题,十四五重点解决能用好用及可持续创新能力的问题。虽然具备了全创新链研发能力,但全产业链整体竞争力不强,核心材料和关键装备仍然是卡脖子瓶颈。

  2022年,我国第三代半导体产值6892亿元(其中半导体照明6750亿元,功率电子和微波射频两个领域总产值141.7亿元,较2021年增长11.7%。SiC、GaN电力电子产值规模达74.3亿元,同比增长28.33%。GaN射频电子产值67.4亿元,较上年持平)

  1、国际政治和经济环境急剧变化,部分核心材料和设备被封锁危险加剧、进口受阻、交付周期拉长,设备涨价。

  2、核心材料芯片产业能力亟待突破。国产化率低,良率低,一致性差,工艺亟待改良,性价比差,专利布局与质量较弱。

  3、分散,企业估值偏高,产生泡沫,项目低水平重复投入,产业无序竞争。

  4、依赖行政资金研发投入不足,缺乏鼓励社会资本参与中早期研发的机制和通道。存在政府、市场双失灵的现象。

  1、全球最大市场已启动(新型电力系统、高铁、新能源汽车、5G/6G通信,半导体照明及超越照明、工业电机及消费电子市场等),应用需求驱动技术创新。

  2、20年技术储备,单项冠军(黄绿光LED),国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断,与国际先进水平差距不大,有机会实现超越。

  3、与集成电路相比,门槛不高,对工艺尺寸线宽,设计复杂度,装备精密制造要求相对低。

  4、下游应用企业基于供应链安全的考量,国家政策支持和资本市场活跃,国产化替代空间大。

  1、统筹中央与地方形成合力,带动企业和社会资本投入,开展“百城亿芯”示范工程,带动国产材料,芯片,封测,应用关键环节技术加速成熟,通过示范应用加速工程化技术迭代提升,培育细分领域龙头企业,推动形成规模化生产能力。

  2、优化产业布局和产业结构,形成特色产业集聚,增强自主可控的技术链和产业链,支撑知识产权、测试、标准、认证系统设计等体系化能力建设。

  3、建立设备示范线,组织设备制造商,用户、工艺、配件、耗材等多方面力量协同创新,提升产业创新能力和国际竞争力。

  1、摆脱当前地缘政治对半导体合作的影响,突破政府间项目合作的瓶颈,加强非政府间合作,快速建立精准的分区域合作体系和策略,探索市场化的渠道和企业间的合作方式。

  2、面向“金砖五国”、“一带一路”沿线国家,在标准,国际市场等领域找到突破口;面向欧亚等产业链环节有技术优势的国家,重点加强与具备成熟技术的中小企业和研发团队深度合作。

  3、鼓励企业和研究机构在国外建设孵化中心和技术创新中心,主动参与国际标准制定。

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