BBIN不再“死磕”光刻机了中科院在芯片领域取得突破性进展

　　近日，中科院在光量子芯片方面的研究突破的消息传出，令全世界半导体行业都十分震惊。美国媒体更是表示，中国应该主动分享光量子芯片方面的技术，浑然记不得美国对华芯片制裁时候的丑恶嘴脸。那么光量子芯片到底是什么，能否让中国在芯片领域弯道超车，不再需要光刻机了呢？

　　中国作为全世界最大的芯片市场，每年需要从国外大量进口各种类型的芯片，而中国国之所以芯片生产数量无法满足国内需求，最大的原因就是收到芯片生产设备光刻机的数量限制，在顶尖芯片生产所需要用到的EUV光刻机方面，中国目前的缺口更大。

　　虽然中国当下在芯片生产领域的技术以及有不小的进步，以及可以完成28nm芯片的量产，离14nm芯片的量产也不远了，但是在光刻机生产方面，我国可谓是还处于0的阶段。

　　光量子芯片以光作为信息传递的载体，不存在电子漂移现象，这就导致光量子芯片具有更加精准的操控精度，和更加稳定的运行能力以及更加持久的储存时间，对于高端光刻机的依赖程度大幅度减少。

　　然而，光量子芯片最重要的点并不在于性能如何优秀，而在于光量子芯片是区别于当前芯片的另外一条道路，在这条新的道路之上，我们和欧美各国是站在同一起跑线上的。

　　众所周知，由于先发优势，欧美各国在传统芯片领域比中国早开始了几十年，这就导致欧美各国在传统芯片领域积累了大量的技术，通过这些技术对中国形成了技术压制，并且欧美各国还希望通过技术封锁的形势，来让中国无法自己量产芯片，只能通过高溢价购买欧美等国生产的芯片，让中国成为欧美各国的芯片倾销市场，来赚取大量的利润。

　　2021年，中国国防大学就曾曝出相关消息，表明中国在光量子芯片领域取得了重大的发展和进步，前段时间也有南京大学的研究团队在光量子芯片领域取得了不小的突破，而近日，中科院又传出了在光量子芯片方面的研究突破消息。

　　根据种种消息，业内人士预测，中国可能将于2023年左右实现光量子芯片的商用量产。在得知中国在光量子芯片领域取得了重大技术突破之后，美国一些主流媒体也开始坐不住了，开始站出来要求中国分享相关的技术。

　　美国向来是这样的丑恶嘴脸，一方面封锁自己掌握的先进技术，不让中国获取，另外一方面在中国取得先进技术突破之后，便又开始要求中国分享相关的技术。之前在量子通讯技术突破的时候，美国媒体便做过一次要求中国分享相关技术的事情，没想到在美国对中国芯片封锁的现在，还有脸要求中国分享相关的技术。

　　光量子芯片技术突破，有望实现量产的相关消息一经传出之后，网络上便有很多人在大肆宣传，声称中国已经不再需要光刻机以及传统芯片领域的技术，仿佛明天中国就成为世界半导体领域的龙头一样。然而中国真的不需要光刻机了吗？

　　事实并非如此，目前光量子领域还处于研究阶段，还没有正式投入到商用量产当中，而且中国对于芯片的需求量巨大，从28nm的成熟工艺制程芯片再到5nm的顶尖先进工艺制程芯片，中国的需求量都极大，光量子芯片的量产也无法在短时间内满足中国的需求。

　　不仅如此，光量子芯片只是减少了对高端光刻机的依赖，并不意味着对光刻机完全不依赖。中国企业现在能从ASML手中买到DUV光刻机，是因为DUV光刻机无法生产高端芯片，一旦中国光量子芯片实现量产，用DUV光刻机也能够生产高端芯片之后，美国必然会要求ASML限制向中国出口DUV光刻机，到那时候，中国企业不一样还是受限于人吗。

　　所以说，光量子芯片可以帮助中国在半导体领域弯道超车，但是并不意味着可以完全抛开传统的芯片半导体领域，也不意味着中国不再需要光刻机等设备。

　　对于当下的中国半导体而言，一方面在传统领域加紧研究，争取早日追赶上欧美各国的脚步，另外一方面开辟新的赛道，在光量子芯片、第三代芯片、卫星通讯等和芯片相关的多个领域进行研究，争取传统赛道进步的同时，在第二赛道领先于欧美各国。只有这样多管齐下，中国企业才能追赶并超过欧美半导体企业，真正实现芯片自主。

　　写在最后：光量子芯片领域意味着我国科研实力的增强，在新赛道有望领先于欧美各国，但是我们也不能因此而骄傲，必须要明白，在短时间内，光量子芯片还不足以推翻当下的半导体行业的格局。对此你们是怎么看的呢？BBIN bbin