集成电路(integrated circuit)是采用多种工艺,把一个电路中所需的晶体管、电 阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介 质基片上,然后封装在一个管壳内,实现所需电路功能的微型结构。现代集成电 路按功能划分,主要可以分为存储器,处理器,逻辑 IC,模拟 IC 四大类。
完整的集成电路的制造过程通常分为前道晶圆制造(Front-End)与后道封装(BackEnd)两个部分。 传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、 模塑、电镀、切筋成型和终测等 8 个主要步骤。与前道晶圆制造相比,后道封装 相对简单,对工艺环境、设备和材料的要求较低。前道晶圆制造的复杂程度要远 超后道封装,主要涉及光刻,刻蚀,薄膜沉积,显影涂胶,清洗,掺杂氧化扩散, 量测等工艺。其中刻蚀与光刻及薄膜沉积一起,并列为晶圆制造最重要的三大工 艺之一。
集成电路的构造并非简单的平面图形,而是一层层构造叠加起的立体结构。其中, 刻蚀作为核心工艺之一的作用,是通过物理及化学的方法,在晶圆表面的衬底及 其他材料上,雕刻出集成电路所需的立体微观结构,将前道掩模上的图形转移到 晶圆表面。在刻蚀新形成的结构上,可以进行
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