BBIN BBIN宝盈集团无杂质半导体的定义

　　无杂质半导体（intrinsic semiconductor，亦称作i型半导体）是指未掺入杂质的半导体。半导体制作过程中的一个重要步骤就是掺入杂质（doping）。......

　　无杂质半导体（intrinsic semiconductor，亦称作i型半导体）是指未掺入杂质的半导体。半导体制作过程中的一个重要步骤就是掺入杂质（doping）。

　　半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

　　磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效应）和半导体特性的半导体材料。

　　相对于无杂质半导体，含有杂质的半导体叫做含杂质半导体（extrinsic semiconductor）。

　　非晶半导体又称无定形半导体或玻璃半导体，非晶态固体中具有半导电性的一类材料。具有亚稳态结构，组成原子的排列是短程有序、长程无序，键合力未发生变化，只是键长和键角略有不同。按键合力性质有共价键半导体，包括四面体的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“链状”的S、Se、Te、As2Se3

　　实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，主要是不想与现在热炒的所谓的纳米衬衣、纳米啤酒瓶、纳米洗衣机等混为一谈！从本质上看，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物传感器件

　　化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。

　　氧化物半导体（oxide semiconductor）具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。

　　半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。 1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体zui显著、zui突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特

　　元素半导体指以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。

　　具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。其导电能力介乎导体和绝缘体之间。主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。工业上应用最多的是硅、锗、硒。用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。其他硼、碳（金刚石、石墨）、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导体，但都尚未

　　半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

　　半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

　　定义：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体：简介：室温时电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述），温度升高时电阻率则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合

　　半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接

　　半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

　　导体变流器是使用半导体阀器件的一种电力电子变流器，使电源系统的电压、频率、相数和其他电量或特性发生变化的电器设备。定义使用半导体阀器件的一种电力电子变流器。术语 ①类似术语也适用于由具体类型的半导体或其他电子阀件组成的变流器或具体类型的变流器。例如晶闸管变流器，汞弧整流器，晶体管

　　半导体材料是什么？半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1

　　与传统的太阳能电池相比，染料敏化太阳能电池具有原材料丰富、生产过程中无毒无污染、生产成本较低、结构简单、易于制造、生产工艺简单、易于大规模工业化生产等优势，在清洁能源领域具有重要的应用价值。在过去二十多年里，染料敏化太阳能电池吸引了世界各国众多科学家的研究，在染料、电极、电解质等各方面取得了很大

　　半导体激光器在半导体激光打标机中的应用：半导体激光器因其使用寿命长、激光利用效率高、热能量比YAG激光器小、体积小、性价比高、用电省等一系列优势而成为2010年热卖产品，e网激光生产的国产半导体激光器的出现，加速了以半导体激光器为主要耗材的半导体激光机取代YAG激光打标机市场份额的步伐。

　　最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果，此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (Ga,Mn)A

　　主要是掺入的杂质种类和数量、以及工作温度，从而影响到载流子浓度和迁移率，结果使得半导体的电导率发生变化。

　　半导体的光电导（photo conductivity of semiconductor）是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级

　　自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。

　　在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要

　　稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，因兼具有半导体和磁性的性质，即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度，因而引起广泛关注，尚处于研究阶段。

　　自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。

　　制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，

　　（1）元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、硒的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器