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资BBIN BBIN宝盈集团金热炒的第三代半导体概念究竟是什么?

发布日期:2023-09-14 16:11 浏览次数:

  第三代半导体概念,这是今年A股的高光赛道之一,看到这,有些朋友就开始纳闷了,第一代和第二代半导体都不知道是啥,咋就这么快到第三代了?有道是“江山代有才人出”,日新月异的科技领域更是如此,那么,第三代半导体究竟是啥?

  第一代半导体的一代目是硅(Si)和锗(Ge),其中,锗(Ge)是20世纪50年代半导体的绝对主角,到了20世纪60年代后期,锗(Ge)的地位则是逐渐被硅(Si)所取代,犀利的是——截止目前,硅(Si)仍是相当重要的半导体材料,还没有半导体能够洒脱地离开硅(Si)而扬长而去。硅(Si)之所以如此重要,是因为CPU和GPU的算力强弱取决于硅的段位。

  在这里,顺带科普一下硅,硅,英文名称Silicon,化学符号是Si,属于元素周期表上第三周期,IVA族的类金属元素。

  1787年,法国著名化学家、生物学家,有着现代化学之父尊称的安托万-洛朗·拉瓦锡(Antoine-Laurent de Lavoisier,1743年8月26日~1794年5月8日)在岩石之中首次发现硅的存在,硅是组成岩石矿物的一个基本元素。据悉,硅在大自然乃至全宇宙都是神奇般的存在,存在感爆棚,它是地壳之中仅次于氧的第二丰富元素,在茫茫宇宙之中,硅的储量也能位居TOP10的第8位。

  不过,需要明确的一点是——虽然硅存在感爆棚,但是极少以单质形式存在,而是硅酸盐(Silicate)或二氧化硅(SiO₂)的形式,也就是说,单质硅需要通过实验或工业制取,用于半导体的硅主要包括硅多晶、硅单晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等。

  第二代半导体的二代目是砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP),其中,砷化镓(GaAs)属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,1964年开始进入实用阶段,用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优势,不过,砷化镓单晶的价格较为昂贵,故此,被业界称为“半导体贵族”。

  磷化铟(InP)则是由金属铟和红磷(Phosphorus red)在石英管中加热反应制得,属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,磷化铟半导体器件广泛应用于微波通信、光纤通信、光电集成电路、外层空间用太阳能电池等领域。

  了解了第一代和第二代半导体之后,就可以上第三代半导体的硬菜了。目前,第三代半导体的三代目是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),基于此,在二级市场之中,还形成了两个分支赛道,就是氮化镓概念和碳化硅概念。

  氮化镓是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,1990年起,氮化镓被应用于发光二极管(light-emitting diode),也就是平常简称的LED,说到LED,还有一个荣誉小故事,那就是——2014年,日本著名的半导体科学家赤崎勇与他的弟子天野浩(日本电子工程学专家)以及美籍日裔科学家中村修二(美国加州大学圣芭芭拉分校教授),基于氮化镓发明了了高亮度蓝色LED,喜获得当年的诺贝尔物理奖。

  目前,氮化镓在日常之中的民品应用便是氮化镓充电器,此前,二级市场炒作氮化镓概念的驱动因素之一便是氮化镓充电器,据悉,多家知名手机品牌已推出氮化镓充电器,有体积小、功率大、耐高温等优势,不过成本相对高,这是因为氮化镓的人工制备成本相对高昂。

  此外,碳化硅是1891年美国人爱德华·古德里希·艾奇逊在电熔金刚石实验之中偶然发现,因此还误以为是金刚石的混合体,碳化硅制成的功率器件有高电压、高频率、低损耗等优势,可应用于智能电网、轨道交通、新能源车充电桩电源等领域。

  科普完了之后,简单聊一下第三代半导体赛道的二级市场驱动逻辑,虽然半导体已经发展到第三代,但是并不是第一代和第二代半导体就退出历史舞台了,非但不是,现在第一代与第二代半导体仍在广泛使用,换言之,目前是三代半导体处于共生的状态,而不是“只见新人笑,不见旧人哭”的喜新厌旧状态。

  值得一提的是——“十四五”规划把第三代半导体确定为我国集成电路产业的核心发展方向之一,对二级市场而言,这就是第三代半导体的核心驱动因素之一,或者说是核心的题材利好因素之一;此外,业界在第三代半导体领域的研发以及投产之后的量产情况、乃至成品的使用率和普及度都会左右第三代半导体赛道在二级市场的表现,因此,第三代半导体赛道的跑手须多多留意业界的相关动态。

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