BBIN BBIN宝盈集团半导体材料类专业就业前景

　　半导体材料类专业就业前景半导体材料的发展现状与趋势材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代，并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展，还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料，也就是半导体/氧化物/绝缘体之意，这种材料在空间得到了广泛的应用。总之，从提高集成电路的成品率，降低成本来看的话，增大硅单晶的直径，仍然是一个大趋势；因为，只有材料的直径增大，电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律，每隔18个月它的集成度就翻一番，它的价格就掉一半，价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上，工艺加工条件相同，但出的芯片数量则不同；所以说，增大硅的直径，仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的集成度来看，最终要研制出适用于硅深亚微米乃至硅纳米工艺所需要的硅外延片，将会成为硅材料发展的主流。目前硅技术的线条发展越来越细了。现在我们国家的909工程是0.35微米的工艺，可以做到0.25微米；然而随着集成度的提高，要求光刻线条越来越细，是否有个极限呢？当线个纳米更小的时候，或许就是硅集成电路的“极限”，当然这个极限不是物理的极限。因为这个所谓的极限预测过多次，曾经预测过微米是硅线微米的集成电路也已经做出来了。通过人们的努力和新的技术的发明，线条也许还可以进一步的减小，当然它最终将受到量子力学测不准原理、光速和热力学的限制。这里讲的所谓的技术限制，就是说在目前这样的条件和技术下，它能够达到的一个极限。我们知道现在的集成电路的布线可多达七、八层以上。如果多层分布的连线过长，那么电子从一个器件到另一个器件的所需的时间完全消耗在走的路上了。也就是说，延迟时间限制了速度的进一步提高。硅材料虽然可能到21世纪的中期仍将占有很重要的地位，然而，硅微电子技术最终是难以满足人们对更大信息量的需求的；所以，发展新型半导体材料比如说-族化合物半导体材料，超晶格量子阱材料以及硅基锗硅合金材料等，作为硅材料的一个替补材料也是很重要的。GaAs和InP等-族化合物材料GaAs和InP等-族化合物材料可能是一个好的替补材料。我们知道硅材料是间接带隙材料，它的发光效率很低，所以它不可能作为光电集成的基础材料，用硅来做发光管、激光器目前还是不可能的。那么-族化合物材料，像GaAs和InP，首先，它的电子的光跃迁不需要声子的参与，它的发光效率很高；与硅相比，它的电子的漂移速度高，同时它耐高温，抗辐照；与此同时，作为微电子器件来讲，它具有高速、高频，低噪音，故在光电子器件和光电集成方面，占据非常独特的优势。-族化合物,现在的市场情况怎么样呢？随着移动通信的发展，目前工作在0.8GHz下的手机，是以硅材料为主体，那么到2.2GHz的时候，或超过这个频段到7.5GHz的时候，硅材料作为它的接收和发射器件或电路，可能就不行了；这个时候，一定要用GaAs,InP或者GeSi材料。从光纤通信来看，也是如此。所以说从移动通信和光纤通信的发展需求看，对半导体-族化合物材料，特别是用于集成电路的GaAs材料的需求，将会每年以20％到30％的速度增长。那么它的研究现状是怎么样的呢？以GaAs,InP为代表的-族半导体材料，两英寸和三英寸的型的材料，基本上能够满足现代的微电子和光电子器件的需求。没有掺杂的半绝缘体的GaAs单晶材料，它是GaAs集成电路的一个基础材料，目前主要采取一种叫作液封直拉法LEC的方法制造。就是将GaAs熔体放置在一个热解BN的坩埚里面，因为As是易挥发的，而氧化砷有很大毒性，因此在它上面覆盖一层材料，比如说三氧化二硼。三氧化二硼的熔点低于GaAs的熔点，可以把熔体的GaAs覆盖起来。在单晶炉里面充了很高的气压，使不能挥发出来，然后把GaAs籽晶通过氧化硼这个透明的液体伸入到GaAs的熔体里面拉晶。这项生产技术，叫做液封直拉法。目前用这种办法，直径为两英寸、三英 寸、四英寸的片材已经商品化。我们国家可以拉制三英寸 GaAs 单晶。两英寸的可以小批量生产。在国际上，六英寸的半绝缘砷 化单晶已在实验室里拉制成功。 这种材料也存在的问题。半绝缘体GaAs的纯度与硅相比，是远 不如硅的。硅可以做得非常纯，有12 的纯度。就是10－6PPM，就是说它的杂质的含量仅为百万分之一 PPM。但 GaAs 呢，仅仅 只有 9，就是一个PPM，即它的杂质和缺陷的浓度高达一个 PPM。所以说GaAs 半绝缘体的性质并不是由纯度高、杂质少决定 的，而是由杂质和缺陷互相补偿，这样的材料实际上是电学补偿 导致的高阻材料。这种材料的热学稳定性较差，在器件工艺的热 处理过程中，缺陷产生、杂质缺陷络合等，可能改变它的导电性 能。这是什么原因呢？我们知道，硅是一个元素半导体，它只有 两种点缺陷，即硅的空位和硅间隙。那么对于- 族材料，它的点缺陷就有六种，有两种空位，两种间隙，两种反位的缺陷。比如 占了Ga 位，Ga 占了 位，这都是点缺陷。这些缺陷都对导电性能产生影响。所以对这种材料，如果把它的 杂质和缺陷络合物加起来的话，缺陷就更多了，因而这种材料的 制作是非常困难的。它是用 LEC 法拉制的。晶体拉制过程中，在 固体与液体交界面处，它的温度剃度比较大，在晶体内部存在着 大的应力；在晶体冷却过程中应力的释放将产生大量缺陷，它的 位错密度非常高。所以说这种材料目前存在着很多的问题要求克 服。从硅来讲，硅可以做到无位错，所以说它可以用于制作超大 规模集成电路。比如说，对于一个平方微米内有一个器件，或多 个器件的电路，那么GaAs 就不行了；因为，它每一个平方厘米就 有一万个以上的缺陷。如果一个器件，碰到这个缺陷，那么整个 电路就失效了。所以说，用GaAs 研制大规模集成电路，它的质量 还有待提高。 -族半导体材料的发展趋势，也可以总结为下面几点。从提高它的价格和性能比来看，增大直径仍是大趋势，只有增大直径， 它的价格才可能进一步降低。从另外一个方面来讲，为满足大规 模集成电路和光电器件的衬底的需求，它的位错密度必须降下去。 要降到每个平方厘米1000 或100 以下，甚至更小，这最终取决于 集成度和材料将要用在什么地方。我刚才讲到，GaAs 的高阻性能 是杂质与缺陷补偿的结果，很不均匀；如何提高这种材料的电学 和光学均匀性，也是需要解决和克服的问题。此外，还要重视片 材制备技术，即要做到片材拿来就可以用的要求，不需要再去抛 光或腐蚀和再去作其他的处理。这就是说，要将拉制的锭条进行 滚圆、磨定位边、抛光和在保护氛围下将抛好的片子封装起来等。 当然，还要求片材的表面没有被损伤，除了肉眼看不见的损伤以 外，亚表面损伤，即在材料的表层下面，比如说几十个纳米以下 的地方，人的肉眼甚至光学显微镜看不见的损伤也是不能有的。 即在片材制备的过程中，不能在它的表皮下面一层产生应力或缺 比如说GaAlAs GaAs的晶格常数相差很小，而它们的禁带的 宽度不同。GaAlAs 的宽度要大于 GaAs 的，把这两种半导体材料 用新的生长技术，像分子束外延技术，金属有机化合物化学汽相 淀积技术等一层一层的、周期性的生长出来。这个周期人为地可 以控制，不像硅单晶，它的晶格常数是一定的；这样的结构，我 们称为超晶格结构。这种超晶格结构的想法，是1969 年由日本的 江琦和美籍华人朱兆祥提出来的，而且江琦因此获得了诺贝尔奖。 我们知道，超晶格的概念提出来的时候，还没有实现这种想法的 技术，只是从理论上预测这种结构会有很多新的性质。一直到20 世纪 70 年代中期的时候，分子束外延技术的发展，还有 MOCVD 技术的发展，才使这种材料生长得到了实现。我们知道，现在的 分子束外延，MOCVD 可以控制一个原子层一个原子层的生长，界 面的陡峭度也可以做到单原子层。由于这种材料的结构可以人为 地改变，可以设计一个程序，通过计算机的控制，把它生长出来； 如果设计的是一个器件结构，那么它的电学和光学的性质则可由 人工控制，所以，能带工程设计是研制新一代量子器件的基础。 InGaN等，它不仅仅是一个高温微电子材料， 也是很好的光电子材料。比如现在发蓝光、绿光的半导体发光二 极管和激光器，就是用这种材料作出来的。另外，碳化硅，立方 氮化硼和金刚石，也是很好的高温半导体材料。当然，要达到应 用，还存在很多问题要解决。这类材料，主要是应用在一些恶劣 的环境，像在高温、航空、航天、石油钻探等方面。现在的电视，