BBIN东芯半导体

　　东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。

　　作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

　　东芯串行NAND Flash产品为单颗粒 芯片设计的串行通信方案，引脚少和封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，带有内部ECC模块。

　　系串行接口单芯片方案2Gb闪存颗粒，一颗芯片上集成了存储阵列和控制器，同时带有内部ECC，这样的设计，既节约了空间，提升了稳定性，也让其在成本上极具竞争力，提升了性价比。可以满足多个应用场景，比如常规的光猫、路由器、网络摄像机监控、物联网、智能音箱等。

　　东芯串行NOR FLASH系列产品，可提供具有通用SPI接口不同规格的NOR Flash，性价比高，广泛应用于对存储空间需求不高的设备中。

　　东芯DDR3系列产品具有更高的传输率及更低的工作电压。在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。

　　东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合的MCP，Flash和DDR均为低电压的设计，其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。

　　东芯LPDDR系列产品具有LPDDR1及LPDDR2两个系列的若干产品，最大时钟频率均可达533MHz。BBIN bbin