Coolsemi的 SGT MOSFET通过采用超深沟槽设计降低导通电阻,导通损耗更低;通过屏蔽栅接源极,有效降低器件的米勒电容,提升器件的开关速度,降低系统功耗。
Coolsemi的高压超结MOSFET通过先进的超结技术和优化结构设计,实现极低的特征导通电阻(Rdson*A),有效提高电源的功率密度和效率。
Coolsemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截止设计,降低外延层厚度以达到优异的Vcesat;通过先进的工艺设计从而降低器件的开关损耗,提升功率密度和效率。
Coolsemi研发的智能功率模块IPM,搭载了自主研发的高性能功率器件以及与功率器件高度匹配的驱动HVIC,集温度检测与自我保护功能于一体。
Coolsemi的碳化硅二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)与Si二极管相比,显著优点是阻断电压提高,几乎无反向恢复以及更好的热稳定性,且反向恢复特性不受温度影响。
Coolsemi推出的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件采用pGaN架构,具备常关型特征,与相应的硅(Si)器件相比,具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷,结合几乎为零的反向恢复电荷,可以支持更简单的拓扑结构,实现更高的系统效率。
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3月24日,由广东省磁性元器件行业协会、大比特资讯主办的2023’中国电子热点解决方案创新峰会在深圳宝安登喜路国际大酒店盛大召开,汇聚200...
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