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　　Coolsemi的 SGT MOSFET通过采用超深沟槽设计降低导通电阻，导通损耗更低;通过屏蔽栅接源极，有效降低器件的米勒电容，提升器件的开关速度，降低系统功耗。

　　Coolsemi的高压超结MOSFET通过先进的超结技术和优化结构设计，实现极低的特征导通电阻(Rdson*A)，有效提高电源的功率密度和效率。

　　Coolsemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截止设计，降低外延层厚度以达到优异的Vcesat;通过先进的工艺设计从而降低器件的开关损耗，提升功率密度和效率。

　　Coolsemi研发的智能功率模块IPM，搭载了自主研发的高性能功率器件以及与功率器件高度匹配的驱动HVIC，集温度检测与自我保护功能于一体。

　　Coolsemi的碳化硅二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）与Si二极管相比，显著优点是阻断电压提高，几乎无反向恢复以及更好的热稳定性，且反向恢复特性不受温度影响。

　　Coolsemi推出的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件采用pGaN架构，具备常关型特征，与相应的硅(Si)器件相比，具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷，结合几乎为零的反向恢复电荷，可以支持更简单的拓扑结构，实现更高的系统效率。

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