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BBIN BBIN宝盈上海功成半导体科技有限公司

发布日期:2023-04-14 06:09 浏览次数:

  Coolsemi的 SGT MOSFET通过采用超深沟槽设计降低导通电阻,导通损耗更低;通过屏蔽栅接源极,有效降低器件的米勒电容,提升器件的开关速度,降低系统功耗。

  Coolsemi的高压超结MOSFET通过先进的超结技术和优化结构设计,实现极低的特征导通电阻(Rdson*A),有效提高电源的功率密度和效率。

  Coolsemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截止设计,降低外延层厚度以达到优异的Vcesat;通过先进的工艺设计从而降低器件的开关损耗,提升功率密度和效率。

  Coolsemi研发的智能功率模块IPM,搭载了自主研发的高性能功率器件以及与功率器件高度匹配的驱动HVIC,集温度检测与自我保护功能于一体。

  Coolsemi的碳化硅二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)与Si二极管相比,显著优点是阻断电压提高,几乎无反向恢复以及更好的热稳定性,且反向恢复特性不受温度影响。

  Coolsemi推出的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件采用pGaN架构,具备常关型特征,与相应的硅(Si)器件相比,具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷,结合几乎为零的反向恢复电荷,可以支持更简单的拓扑结构,实现更高的系统效率。

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